Халькогениды цинка

На подобные модифицированные снязи указывает факт раздвоения кривой зависимости частоты максимума полосы излучения и ширины запрещенной зоны халькогенидов цинка и окиси цинка от среднего ядерного заряда для этих соединений (рис. 43). [c.126]

Физические свойства халькогенидов цинка и кадмия [c.30]

Все халькогениды цинка имеют заметное давление пара при температуре синтеза люминофоров ( 1000°). В парах халькогениды почти полностью диссоциируют по уравнению [c.32]

Светодиоды на основе соединений Халькогениды цинка и кадмия [c.151]

Для халькогенидов цинка и кадмия характерна проводимость только одного типа. Исключением является теллурид кадмия, который получен с высокой проводимостью как n-, так и р-типа. Теллуриду цинка присуща проводимость только р-типа, хотя сообщалось о получении при легировании галлием в неравновесных условиях высокой проводимости л-типа[99, гл. 3—4]. Остальные материалы имеют проводимость только л-типа. [c.151]

В табл. VI,4 приведены основные параметры светодиодов на основе халькогенидов цинка и кадмия. [c.153]

Более крупные монокристаллы халькогенидов цинка и кадмия получают-путем химического транспорта в температурном градиенте, используя галогены, водород или НС1 в качестве газа-носителя [2, 3]. [c.1119]

Полученные данные можно объяснить [67, 68] протеканием катализа в области собственной проводимости. Действительно, даже для ZnS с очень большой шириной запрещенной зоны (3,7 эв), имеются данные [71], что при температурах катализа (100—300° С) этот полупроводник находится в области собственной проводимости. Что касается ZnO U = 3,3 эв), то в работе [72] показано, что с увеличением дисперсности ZnO до 10 см (а именно такую величину имеют кристаллы ZnO в каталитически активных массах) ее электропроводность падает, и ZnO приближается к собственно проводящей. Однако в ряду халькогенидов цинка наряду с шириной запрещенной зоны изменялись и другие свойства катализатора, в частности тип и параметр решетки. Поэтому вывод о корреляции каталитической активности с шириной запрещенной зоны интересно было проверить на большем числе примеров, выбранных таким образом, чтобы изменения других параметров были по возможности сведены к минимуму. [c.22]

Из табл. 24.3 видно что, за исключением СсЮ, при получении халькогенидов цинка и кад.мия предпочтительно образуется тетраэдрическая координация. [c.470]

Основным отличием группы халькогенидов цинка и кадмия, от соединений группы А В , имеющим значение для характеристики их полупроводниковых свойств, является следующее если у соединений типа А В тип проводимости обуславливается посторонними примесями, то у многих соединений типа А В различный тип проводимости возникает в связи с отклонениями от стехиометрии. С этим обстоятельством связана интерпретация соединений типа А В как фаз переменного состава, для которых термодинамические условия равновесия в системе кристалл—газ имеют первостепенное значение [203, 252]." [c.116]

Из-за высоких температур плавления при получении халькогенидов цинка и кадмия для полупроводниковой техники не пользуются методами зонной перекристаллизации или вытягивания монокристаллов из расплава. Исключение представляет теллурид кадмия, для которого разработан способ зонной перекристаллизации с вариацией давления пара летучей компоненты, позволяющей получить как электронные, так и дырочные образцы вещества [252, 254]. Более обычным методом является получение монокристаллов из газовой фазы [255]. В особенности интересны варианты этого метода, разработанные для сульфида цинка [256] и сульфида кадмия [257, 258]. [c.116]

Физико-химические и электрические свойства халькогенидов цинка, кадмия и ртути [51, 135, 246—248, 251, 2611 [c.117]

Как видно из табл. 20, все халькогениды цинка, кадмия и ртути являются полупроводниками. Халькогениды цинка и. кадмия обладают высокой чувствительностью к электромагнитным излучениям, видимому и ультрафиолетовому свету, рентгеновским и гамма лучам, а также к корпускулярной радиации (а и Р). Это позволило применить их при изготовлении фотосопротивлений и фотоэлементов, фоточувствительных слоев в передающих телевизионных трубках, в дозиметрах, в счетчиках. и т.. п. [42. 262].- Селенид и теллурид ртути применяются при изготовлении приборов для измерения напряженности магнитного поля [215]. [c.118]

Активация монокристаллов, полученных из газовой фазы, осуществляется либо в процессе роста, либо после его окончания — диффузией с поверхности. В первом случае может применяться, например, совместная возгонка или добавление к газу-носителю газообразных активирующих агентов. Естественно, что при выращивании кристаллов халькогенидов цинка и кадмия методом транспорт- [c.259]

Для соединений А В характерна преимущественная проводимость только одного типа. Исключением является теллурид кадмия, который получен с высокой проводимостью как п-, так и р-типа. Теллурид цинка можно получить с большой проводимостью р-типа и с незначительной проводимостью п-типа [17], а остальные халькогениды цинка и кадмия могут быть получены с высокой проводимостью /г-типа и незначительной проводимостью р-типа. И только при легировании в термодинамически неравновесных условиях удалось недавно получить теллурид цинка [18, 19] и сульфид кадмия [20] с высокой проводимостью. [c.36]

Халькогениды цинка. Ввиду высокой температуры плавления и большой упругости паров монокристаллы 2п5 чаще всего выращивают из паровой фазы. Для этого необходимо иметь порошок сульфида цинка. Его получают осаждением из раствора сульфата цинка сероводородом при нагревании и непрерывном взбалтывании. В качестве буфера применяют ацетат аммония. Осадок промьшают 2%-ным раствором уксусной кислоты, насыщенным сероводородом. Для предупреждения окисления фильтрование, промывание и высушивание проводят без доступа воздуха. [c.177]

Ширина запрещенной зоны халькогенидов цинка и сульфида кадмия равна 2,2—3,7 эВ и поэтому излучать они могут в шпрокой спектральной области — от УФ- до ИК-дпапазоиа. [c.31]

При обычных условиях синтеза люминофоров все халькогениды содержат значительное количество точечных дефектов. Разупорядоченность кристаллической решетки неизбежна с термодинамической точки зрения. Сведения от степени разупорядоченности и природе дефектов получены в основном косвенными методами — путем анализа результатов изучения электропроводности и данных о самодиффузии в халькогенидах цинка и кадмия. [c.33]

Растворимость (в мол. %) халькогенидов меди в халькогенидах цинка и кадмия описывается уравнениями вида [c.34]

Таким образом, природа твердых растворов меди имеет общий характер для всех халькогенидов цинка и кадмпя. Приведенные выше данные получены прь температуре выше 800°. Растворимость при меньших температурах может [c.34]

Халькогенидам цинка и кадмия присуща так называемая самоактивированная люминесценция, обусловленная либо собственными дефектами, либо их ассоциатами с примесью галогенов или трехвалентных катионов, а также люминесценция, связанная с введением активируюпщх примесей. [c.36]

Активированная люминесценция. Медь, серебро и золото образуют почти аналогичные центры свечения во всех халькогенидах цинка и кадмия. Для каждого активатора характерно наличие нескольких полос излучения, которые по-разному проявляются как в зависимости от условий синтеза, концентрации активатора, вида основы люминофора, так и от условий возбуждения (табл. П.З). [c.37]

Г Вернемся к рассмотрению материалов на основе классификации их па составу. Группа неметаллических неорганических ма--териалов также весьма обширна, как и группа органических материалов. Она включает разнообразные керамические материалы, как кислородсодержащие (фарфор, стекло, керамика на основе чистых тугоплавких оксидов алюминия, тория, магния, иттрия, бериллия и др., керамика сложного состава со специальными свойствами), так и бескислородные (нитриды, бориды и силициды, прозрачная керамика на основе халькогенидов цинка и кадмия, фторидов РЗЭ). Среди них важное место занимают силикатные цементы и бетоны, графитовые материалы (графопласты и графолиты, пироуглерод), а также солеобразные материалы на основе фосфатов и галогенидов. Неорганические материалы можно также разделить на две группы — природные и искусственные. Первые используют для изготовления крупногабаритных сооружений в виде самостоятельного конструкционного материала или в качестве футеровки металлических корпусов различных аппаратов. Горные породы — незаменимый конструкционный материал, в частности для химического производства (башни йодно-бромного производства, поглощения газообразного хлористого водорода и т. д.), а также в качестве наполнителей в производстве вяжущих силикатов — кислотоупорных цементов и бетона. Природные материалы трудно обрабатывать механически, что приводит к громоздкости выполненных из них сооружений. [c.145]

Поли.меризация циклических трисилоксанов на поверхности термически активированных халькогенидов цинка [90] проходит, по-видимо.му, по нерадикальному механизму. [c.153]

Халькогениды цинка, кадмия и ртути. Халькогениды цинка, и кадмия существуют по крайней мере в виде двух модификаций. Характер полиморфных структур зависит от условий синтеза. В работе [247] приводится краткий обзор работ в этой области, а также описание метастабильной модификации селенида цинка с чередованием двух- и трехслойных участков, соответствующих гексагональной и кубической упаковкам. Приводится также описаиие модификаций теллуридов цинка и кадмия. Полиморфные модификации халькогенидов цинка исследовались в работе [248]. [c.115]

Структура тонких слоев теллурида кадмия описана в работах [229, 249]. Среди соединений ртути только сульфид имеет две модификации а-модификацию с особой структурой и р-мо-дификацию (метациннабарит) со структурой цинковой обманки. Селенид и теллурид известны только в структуре цинковой обманки. Микроспайность халькогенидов цинка, кадмия и ртути изучалась в работе [50], где на основании результатов исследования делаются выводы о величине слагаемой ионной связи в указанных соединениях, в общем превышающей эту слагаемую в соединениях типа А В . [c.115]

Исследовался также характер взаимодействия халькогенидов цинка с халькогенидами марганца [202]. В этих системах образуются твердые растворы с переходами структур от тетраэдрических (5, гю) до октаэдрических (ЫаС1). Некоторые сплавы имеют порядок величины проводимости, характерный для полупроводников. [c.133]

Как уже указывалось, типичными представителями кристаллофосфоров с рекомбинационной люминесценцией ( типичными кри-сталлофосфорами ) являются цинк-сульфидные фосфоры и вообще вся группа халькогенидов цинка и кадмия (полупроводниковые соединения класса Отметим, что около половины всех про- [c.43]

Поскольку связь в кристаллах халькогенидов цинка и кадмия не является чисто ионной, то фактически валентные электроны, участвующие в оптических переходах, находятся в совместном владении атомов S(Se) и Zn( d), образующих своеобразную полярную квазимолекулу по соседству с атомом активатора. В этой связи следует обратить внимание на уже отмеченный факт существова- [c.218]

Кристаллы халькогенидов цинка и кадмия выращивают также в процессе синтеза в газовой фазе. Таким путем Фрёрихс [80] впервые получил монокристаллы dS, используя реакцию между парами кадмия и сероводородом. Последний может быть заменен газообразной серой. [c.258]

Важнейшая задач химии полупроводников заключается в создании новых полупроводниковых материалов. Еще в 60-х годах в радиоэлектронике применялись только германий и кремний. А в настоящее время в промышленной электронике и радиотехнике помимо кремния и германия нашли широкое применение полупроводниковые соединения антимонид индия, арсенид галлия, фосфиды индия и галлия, халькогениды цинка, кадмия, ртути, свинца, висмута, сурьмы, а также карбид кремния и др. Число сложных полупроводниковых фаз (соединений и твердых растворов), перспектавных для их практического применения, неуклонно растет из года в год. [c.6]

В неорганическом анализе наибольшее распространение получили сильнокислотные сульфокатиониты и высокоосновные аниониты с третичными аминами в качестве функциональных групп. Слабокислотные катиониты и низкоосновные анионитьг используют преимущественно при анализе органических и биохимических объектов. В последнее время появилось значительное число публикаций, посвященных использованию для концентрирования примесей хелатных смол. В частности, работы по применению этих смол для концентрирования благородных металлов рассмотрены в обзоре [53]. Широкого распространения в повседневной аналитической практике эти смолы пока не получили, что связано с их высокой стоимостью и малой доступностью, а также высокой селективностью. В работе [54] смола сфероноксин с функциональной группой 8-гидроксихинолин была использована для анализа фторида аммония. С применением этой же смолы было проведено концентрирование большого числа примесей из халькогенидов цинка и кадмм [55] (результат холостого опыта в обоих работах составлял около 2-10 % по железу и более низкий по другим элементам). [c.54]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология