Зона валентная

В идеальном кристалле полупроводника (в отсутствие примесей) уровень Ферми расположен примерно посредине между зонами валентной и проводимости (уровень е,, на рис. 112, а). При наличии донорной примеси (имеющей лишние электроны) уровень Ферми по- [c.454]

Рис. 38. Относительные размеры энергетических зон — валентной (В), запрещенной (3) и проводимости (П) — в кристаллах диэлектриков (а), полупроводников (б) и металлов (в)

Зона проводимости Запрещенная зона Валентная зона [c.131]

В дополнение следует указать, что важное значение имеет электронное строение металла наилучшими катализаторами гидрирования являются переходные металлы с незаполненными электронными уровнями в зонах 3 , и 5< , на которые могут переходить валентные электроны атомов Н [19] . Сравнительно малая активность меди, серебра и золота при гидрировании объясняется тем, что у этих металлов указанные зоны являются заполненными . Более того, можно ожидать, что любой фактор, способствующий заполнению й-зоя у металлов 8-й группы, приведет к соответствующему уменьшению их активности [79а] так, например, активность никеля в сплавах N1—Си уменьшается в зависимости от заполнения Зс -зоны валентными электронами меди [80]. Подобным же образом на сплавах Юм-Розери в области существования а-фаз энергия активации увеличивается с ростом избыточного числа электронов твердого растворителя. Согласно Швабу [6], энергия акти- [c.382]

Лекция 47. Энергетические зоны в кристаллах. Распределения электронов по зонам. Валентная зона и зона проводимости. Металлы, диэлектрики. Собственная и примесная проводимость полупровод-ников. [c.167]

Практическое значение ФЭ-сиектроскопии состоит в том, что-она экспериментально определяет энергии молекулярных орбита-лей. При расшифровке ФЭ-спектров точно определяются энергии СМО, РМО и НМО валентных электронов, что имеет первостепенное значение при правильном заселении соответствующих молекулярных орбиталей электронами. Для твердых веществ ФЭ-спектры-дают ценную информацию о структуре и заселенности зоны валентных электронов. А от особенностей структуры и заселенности зоны [c.184]

Если ширина зоны валентных состояний в кристалле равна 1 эв, а число атомов Ы, образующих 1 см кристалла, имеет порядок 10 2, [c.233]

На основе зонной теории легко объяснима электропроводность твердого тела. Чем, например, объясняется электропроводность лития и других щелочных металлов У них валентная зона занята только наполовину, так как N атомов имеют N валентных электронов (по одному я-электрону на атом), а число мест в 5-зоне 2 N. Незаполнен-ность верхней (валентной) зоны порождает электронную проводимость, характерную для металла. Действительно, под влиянием электрического поля валентные электроны должны начать движение к положительному полюсу, т. е. приобретать дополнительную энергию. Такое наращивание этой энергии очень малыми порциями (почти непрерывное) возможно, если в зоне валентных состояний есть уровни, свободные от электронов. Если зона валентных состояний полностью заполнена электронами, то проводимость должна отсутствовать, т. е. тело должно иметь свойства диэлектрика. В полностью заполненной зоне электроны не могут наращивать энергию малыми порциями, так как принцип Паули запрещает переходы внутри заполненной зоны. [c.234]

Если ширина зоны валентных состояний в кристалле равна 1 эВ, а число атомов N. образующих 1 см кристалла, имеет порядок то энергетические уровни в зоне расположены в среднем на расстояниях 1/10 2 эВ друг от друга. Между зонами состояний 1 и в кристалле лития находится область неразрешенных состояний (запрещенная зона). [c.291]

С этой точки зрения атомы бериллия и других элементов П группы имеют полностью заполненную -зону валентных состояний N атомов, образующих кристалл, [c.291]

Зонная теория объясняет полупроводниковые св-ва твердых тел на основе одноэлектронного приближения и распределения электронных энергетич. уровней в виде разрешенных и запрещенных зон (см. Твердое тело). Энергетич. уровни электронов, участвующих в ковалентной связи, образуют верхнюю из заполненных разрешенных зон (валентную зону). Следующая по энергии разрешенная зона, уровни к-рой не заполнены электронами,-зона проводимости. Энергетич. интервал между дном (минимумом энергии) зоны проводимости и потолком Еу [c.56]

Расстояния менее 120 пм недопустимы из-за взаимного отталкивания при сближении двух атомов углерода. Интервал 120-170 пм называется зоной валентных расстояний. Затем идет запрещенная щель 170-280 пм, сменяющаяся новой зоной возможных С-С расстояний, [c.5]

Основой при рассмотрении электрических и других свойств твердых веществ служат схемы энергетических уровней. Зонная теория уровней [134] широко использовалась не только для металлов, которые характеризуются некоторой не полностью заполненной зоной заметной ширины (порядка нескольких эв), но и для полупроводников и изоляторов, которые имеют нижнюю зону (валентную) и верхнюю зону (зону проводимости) (рис. 1). В почти совершенном изоляторе, будь то в твердом ионном соединении, таком, как хлористый натрий, или в ковалентном кристалле, как алмаз, или в молекулярном кристалле, как н-гексан, изолирующие свойства связаны с заполненной нижней зоной. Полупроводниковые свойства могут возникать при появлении положительных дырок в нижней зоне или электронов в зоне проводимости. Наряду с этими [c.661]

Методами электронной спектроскопии экспериментально показано, что на внутренних атомных уровнях меняется энергия связи электронов в зависимости от структуры зоны валентных электронов, величины зарядности атома, числа и геометрии атомов в первой координационной сфере. [c.131]

Электрические свойства твердого тела, согласно данным физики, определяются системой электронных уровней и подвижностью ионов решетки. Последняя обусловливает ионную проводимость, которая сопровождается электролизом. Чаще носителями тока являются электроны, потенциальная энергия которых в твердом теле зависит от химической природы тела и от температуры. В твердых телах потенциальная энергия электронов U распределена по двум зонам а) по зоне валентных электронов, закрепленных у определенных атомов решетки б) по зоне сво1бод-ных электронов проводимости. У металлов эти две зоны примыкают непосредственно друг к другу, причем иижний уровень зоны проводимости располагается ниже уровня Ферми — границы химического потенциала электронов (рис. 2 и 3). [c.211]

Иначе обстоит дело, когда электрон находится в незаполненной или частично заполненной зоне. Приложение электрического поля вызовет в этом случае направленное перемещение электронов вдоль зоны, т. е. будет наблюдаться электрическая проводимость. Именно наличие частично заполненной зоны в металлах делает их проводниками. Благодаря тому, что электрон, находящийся в незаполненной зоне, способен перемещаться под действием электрического поля, эту зону принято называть зоной проводимости, заполненную зону — валентной зоной. [c.66]

За истекшие годы наши знания о процессах испарения и конденсации в сильной степени углубились и расширились. С целью интерпретации перемещения электронов при химических реакциях были развиты электронные представления и разработаны такие теории, как зонная, валентной связи, кристаллического поля и поля лигандов, причем последняя служит введением в теорию простетических групп в энзимах. Шваб дал формулировку электронных механизмов каталитических процессов для металлов. Вагнер, Гарнер и Волькенштейн распространили их на полупроводники. Подобным же образом в результате широких исследований полупроводниковых окисей и сульфидов было предложено при изучении механизма действия катализаторов перейти от рассмотрения кооперативных свойств твер- [c.10]

Только в решетке типа флюорита имеются простран-ственно-геометрические условия, позволяющие более крупным анионам при наложении поля иметь значительную подвижность. Кроме того, для указанных электролитов характерно наличие дефектов в анионной подре--щетке (ири полностью заполненной катионной) и большого разрыва энергии между зонами валентности и проводимости электронов. Иными словами, в этих электролитах имеются все необходимые условия для возникновения чисто-анионной проводимости. [c.214]

Высокая электропроводность металлов обусловлена тем, что либо не все уровни валентной зоны заняты, либо две зоны — валентная и возбужденная — перекоывают одна другую и также имеют достаточное число вакансий. Так как расстояние внутри данной зоны мало, то уже при незначительной энергии поля электроны будут переходить на следующие уровни и принимать участие в переносе тока. [c.136]

Рис. 2.12. Энергии примесных уровней антисайта Nq, для его положений в решетке нитрида галлия и заряда 1,2 — нейтральное 3—5 — зарядовые состояния -1, -2 и -Зс, соответственно. Позиии Nq, 1 — в узле катионной решетки 2—4 — в реконструированном состоянии сдвиг вдоль [111] с достижением минимума энергии системы, см. рис, 2.11. ВЗ, ЗП — границы зон валентной и проводимости

Обозначено равновесное межатомное расстояние гц. Масштаб по вертикальной оси произвольный. Слева —схема, поясняющая модель зонной структуры. Л —диэлектрики Б —собственные полупроводники В —примесные полупроводники Г—металлические проводники. J —зона проводимости 3—валентная зона Л —зоны, обусловленные примесими 4—Зр-зоий (зона проводимости) 5 — Зз-зона (валентная зона). [c.135]

Вещества, в которых при Т = 0°К верхняя из за-голненных электронами энергетических зон (валентная зона) и нижняя из незаполненных электронами энергетических зон (зона проводимости) не перекрываются, являются полупроводниками или диэлектриками. Граница между ними весьма условна — в полупроводниках энергетический зазор между зоной проводимости и валентной зоной не очень велик, что приводит к появлению в зонах заметного числа свободных носителей заряда при Т > 0 К. [c.341]

Вследствие перекрывания электронных оболочек соседних атомов кристаллической решетки энергетическ1 й сие тр твердых тел непрерывен. В нем можно выделить две энергетические зоны валентную зону, соответствующую связанными электронам, и зону проводимости, в которой находятся свободные электроны, способные перемещаться под действием электрического поля. В зависимости от взаимного расположения энергетических зон и заполненности их электронами твердые тела подразделяются на металлы, полупроводники и диэлектрики. [c.14]

Энергетический спектр полупроводников характеризуется наличием двух разрешенных зон валентной зоны и зоны проводимости, разделенных между собой энергетической щелью (запрещенной зоной), и в этом смысле аналогичен спектру диэлектриков (рис. 1.3). В отличие от диэлектриков, однако, энергетическая щель в полупроводниках настолько узка, что при температурах протека тня химических реакций часть электронов валентной зоны обладает достаточной энергией для перехода в зону проводимости. Тем самым носледпяя оказывается частично, хотя и в небольшой степени, заполненной. Одновременно с этим в валентной зоне образуются вакантные состояния — дырки . Вероятность заполнения зоны проводимости электронами подчиняется статистике Ферми — Дирака [c.30]

Общая химия (1984) -- [ c.309 ]

Химия (1986) -- [ c.431 ]

Физика и химия твердого состояния органических соединений (1967) -- [ c.661 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.0 ]

Общая химия Изд2 (2000) -- [ c.107 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология