Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Электронные перекрывание

    Обычный бактериологический тест—определение способности некоторых бактерий образовывать индол-из триптофана. Индольное кольцо — прекрасный донор я-электронов. В присутствии акцепторов электронов оно способно образовывать комплекс с переносом, зарядов, или электронное перекрывание (очень слабый вид связи с акцептором электронов). [c.30]


    Металлическая связь—это такая связь, в которой электроны каждого отдельного атома принадлежат всем атомам, находящимся в контакте. Это обеспечивает лучшее перекрывание электронных облаков, по сравнению с электронным перекрыванием в молекулах, состоящих только из двух атомов. [c.129]

    Каждый атом углерода в бензольном цикле связан с тремя окружающими его атомами за счет своих 5р -гибридных орбиталей. Образуемые ими ст-связи лежат в одной плоскости и составляют друг с другом углы 120° эти связи объединяют шесть атомов углерода в шестичленный цикл. К каждому атому углерода присоединен один атом водорода таким образом, каждый атом углерода образует три связи (рис. 27.3). Остающаяся на каждом атоме углерода не-гибридизованная р-орбиталь направлена перпендикулярно плоскости 5р -гибридных орбиталей, и на этой р-орбитали имеется один электрон. Перекрывание р-орбитали с аналогичными р-орбиталями обоих соседних атомов углерода приводит к тому, что в молекуле бензола образуется система тс-электронов, делокализованная, или, как иногда говорят, размазанная , по всему [c.470]

Рис. 10.1. Электронное перекрывание в малых циклах Рис. 10.1. <a href="/info/314866">Электронное перекрывание</a> в малых циклах
    В двухатомной молекуле О2 каждый атом кислорода имеет шесть валентных электронов. Перекрывание внешних облаков приводит к образованию двух электронных пар. Связь, осуществляющаяся двумя электронными дублетами, называется двойной и обозначается графически двумя черточками, например 0=0 (или 0 0). [c.181]

    Следует особо подчеркнуть, что понижение энергии при образовании связи не имеет никакого отношения к спину электрона. Перекрывание двух атомных орбиталей возможно даже в том случае, когда связывающая орбиталь содержит лишь один электрон ( одноэлектронная связь ). При этом энергия связи составляет примерно половину обычной двухэлектронной энергии связи и длина связи несколько увеличена. Образование систем с одноэлектронной [c.23]

    Представление об электронной структуре бензола тесно связано с его геометрическим строением. Плоская координация связей с валентными углами 120° свидетельствует в пользу существования 5/) -гибридных орбиталей на атомах углерода. Таким образом, молекула бензола представляет собой плоский скелет из а-связей. В перпендикулярной плоскости остаются облака шести р-электронов, перекрывание между которыми дает я-связи. Шесть чистых р-орбиталей взаимодействуют между собой с образованием шести молекулярных орбиталей, три из которых оказываются связывающими, а три разрыхляющими [c.197]


    Поскольку каждый атом бора предоставляет три электрона, а каждый атом водорода — один, необходимо разместить на соответствующих орбиталях 22 электрона. Для простоты предполагается, что каждый атом бора имеет четыре гибридные 5р -орбитали, участвующие в образовании связей, а каждый атом водорода — одну 5-орбиталь. Каждый атом бора, обозначенный Ви (см. рис. 13.4), образует две концевые связи В—Н благодаря перекрыванию хр -орбиталей бора и -орбиталей водорода, а также две мостиковые связи В—Н—В. При этом используются все четыре 5р -орби-тали каждого атома Вц и необходимы 12 электронов. В то же время каждый атом В1 образует только одну концевую связь Б—Н и две мостиковых связи В—Н—В, используя еще 8 электронов при этом на 5р -орбитали каждого атома В1 остается по одному электрону. Перекрывание этих однократно заполненных орбиталей В1 ведет к образованию одинарной связи В1—В[. [c.346]

    В сульфонах электронное перекрывание в карбанионах со структурой зр (рис. 12 и зр (рис. 13) различно, поэтому инверсия затруднена. [c.371]

    В сульфоксидах нет существенного различия в электронном перекрывании для структур зр и как показано на рис. 14 при помощи проекционных формул Ньюмена, и поэтому инверсия протекает легко. [c.371]

Рис. 12. Структура зр а-суль-фонильного карбаниона с наиболее стабильной конформацией н минимальным электронным перекрыванием. Рис. 12. Структура зр а-суль-фонильного карбаниона с наиболее <a href="/info/598940">стабильной конформацией</a> н минимальным электронным перекрыванием.
    Инверсия протекает также легко в соединениях, в которых имеются три отрицательно заряженных атома кислорода, например в сульфинатах, для которых нет большого различия в электронном перекрывании структур 5р и зр как показано на рис. 15 при помощи проекционных формул Ньюмена. [c.371]

    Как следует из табл. 2.1, в молекуле СО имеется прочная тройная связь, хотя углерод в невозбужденном состоянии и кислород имеют по два неспаренных электрона, перекрыванием которых и образуется двойная химическая связь. Предложено несколько моделей, объясняющих строение молекулы СО. Согласно одной из них третья связь образуется по донорно-акцепторному механизму, при котором непо деленная пара электронов кислорода взаимодействует с вакантной орбиталью углерода  [c.47]

    Так как в кристаллах галидов ш,елочных металлов в большинстве случаев координационное число равно 6, а атом металла отдает не более одного электрона, перекрывание может дать максимально 1/6 электрона каждому соседнему атому галогена. Последний в свою очередь может принять статистически по 1/6 электрона от шести атомов калия, и в результате образуется ион 1 . Для достижения такого положения в сущности не надо заметно передвигать электрон по направлению от одного атома к другому в радиальном направлении. Скорее всего надо добиться неких изменений в азимутальном смысле внешнее s-орбитальное облако атома катионогена должно из чисто сферического превратиться в искаженное шестью выступами, направленными к координированным атомам галогена. При этом достаточно перекрывания порядка 1/6 е , а эта малая величина может быть получена при взаимодействии сравнительно далеких от r a хвостовых частей электронных облаков, т. е. на расстояниях, значительно превышающих радиус катиона. В случае явно ионных кристаллов можно приближенно предсказать межъядерное расстояние, складывая атомные (а не ионные) радиусы максимальной плотности. Это свидетельствует о том, что даже в типично ионных структурах вклад ковалентного характера в волновую функцию достаточно велик для того, чтобы являться определяющим межъядерное расстояние. [c.235]

    Подобные представления о механизме реакции разделяются и рядом других исследователей [65, 166, 474, 476, 509, 526—529]. Существенно важным в образовании промежуточного комплекса является то, что он возникает в результате сближения плоскостей двух реагирующих молекул таким образом, что при этом происходит максимальное накопление я-электронов, перекрывание л-орбит и последующее образование новых а-связей. Все это и приводит к устойчивому циклическому аддукту, как это можно представить схемой, например для случая конденсации бутадиена с малеиновым ангидридом [486]  [c.72]

    Особенно характерно образование соединений между молекулами, одна из которых имеет низко лежащую свободную МО, а другая — 1есвязывающую орбиталь атомного типа, заполненную двумя электронами.. Перекрывание этих дв>т( МО приводит к образованию новых двух МО, общих для всей системы, и возникновению прочного химического соединения (рис. 53). Возникающая таким образом связь по своему происхождению называется донорно-акцепторной связью. Молекула с низколежащей свободной орбиталью называется акцептором электронов, а имеющая пару электронов на несвязывающей МО — донором. Примером донорно-акцепторного механизма образования химической связи в двухатомных молекулах может служить образование молекулярного иона НеН из атома Не и иона Н . Атом гелия имеет два электрона ка ] -орбитали с энергией —24,6 эВ (ПИ = = 24,6 эВ). Его рассматривают как типичный инертный атом с заполненной оболочкой. У иона имеется свободная 15-орбиталь с энергией —13,6 эВ. При контакте Не и Н возникает НеН -ион, а-МО которого можно представить как линейную комбинацию 15-орбиталей атома Не и иона Н  [c.140]


    А. Слои состоят из правильных шестиугольных колец. Каждый атом кольца образует три ст-связи за счет трех эектронов атома углерода в состоянии 25р -гибридизации. Эти связи расположены в одной плоскости под углом 120°. Оставшиеся шесть р-электронов кольца делокализованы. Плоская форма шестиугольных колец обусловливает параллельность орбиталей этих электронов. Перекрывание их облаков приводит к тому, что все р-электроны свободно движутся по всему кольцу, создавая высокую электропроводность графита. Делокализацией р-электронов объясняется также и то, что длины связей [c.306]

    Через РОД де Ветте [120] по формуле Кирквуда и слэте-ровскпм функциям рассчитал рефракции некоторых ионов с учетом их взаимодействия в решетке. Де Ветте принял во внимание только электростатические силы и не рассматривал электронное перекрывание иоиов, однако получил качественно такой же, как Дикк и Оверхаузер, результат— катионы в кристаллической решетке имеют большую поляризуемость, чем в свободном состоянии, а анионы — наоборот. Учет перекрывания орбит еще больше усилит это различие. [c.69]

    Иетоды, применяющиеся для расчета больших систем методы молекулярных фрагментов и P IJLO. Методы расчета взаи-модействия больших молекул иа далеких расстояниях, в области отсутствия электронного перекрывания, подробно изло кеиы в 3 гл. II. Иа близких расстояииях для расчетамежмолекулярпызг [c.175]

    Энергия ковалентной связи является, главным образом, энергией резонанса двух электронов между двумя атомами (раздел 5). Исследование формы резонансного ийтеграла показывает, что по величине энергия резонанса возрастает с увеличением перекрывания атомных орбит, участвующих в образовании связи. Слово перекрывание показывает, в какой мере совпадают пространственные области, в кото рых две орбитальные волновые функции имеют большие значения (поскольку квадрат орбитальной волновой функции представляет функцию распределения вероятности для электрона, перекрывание является в основном мерой взаимопроникновения облаков связывающих электронов двух ато мов). Соответственно этому можно ожидать, что из двух орбит атома та орбита, которая будет сильнее перекрываться орбитой другого атома, будет образовывать более прочную с вязь с этим атомом и, кроме того, связь, образованная данной орбитой, будет стремиться расположиться в том направлении, в котором стнцентрирована орбита. [c.83]

Рис. 15. Структура а-сульфинатного карбаниона а—структура 5рз с минимальным электронным перекрыванием б—структура р2 с минимальным электронным перекрыванием (или структура переходного состояния при инверсии). Рис. 15. Структура а-сульфинатного карбаниона а—структура 5рз с минимальным <a href="/info/314866">электронным перекрыванием</a> б—структура р2 с минимальным <a href="/info/314866">электронным перекрыванием</a> (или <a href="/info/186190">структура переходного состояния</a> при инверсии).

Смотреть страницы где упоминается термин Электронные перекрывание: [c.38]    [c.75]    [c.25]    [c.371]    [c.373]    [c.192]    [c.180]    [c.51]   
Общая химия Изд2 (2000) -- [ c.38 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Гидрид лития перекрывание электронных облаков

КАО перекрывание

Перекрывание электронных орбиталей

Распределение электронного заряда, интерференция и перекрывание

Распределение электронной плотности в атомах и перекрывание облаков в двухатомных молекулах

Теория Маркуса случай малого перекрывания электронных орбиталей

Электронное приближение и приближение нулевого дифференциального перекрывания

Электронные облака перекрывание

Электронные переходы требования к перекрыванию орбиталей



© 2025 chem21.info Реклама на сайте