Дислокации геликоидальные

Винтовая дислокация. Признаком винтовой дислокации является превращение параллельных атомных плоскостей (в бездефектном кристалле) в единую атомную плоскость в виде геликоидальной поверхности (наподобие винтовой плоскости) и наличие на поверхности кристалла своеобразной дислокационной атомной ступеньки (уступа). [c.89]

Рис. 6.036. Геликоидальные дислокации, образующиеся иа прямолинейных винтовых дислокаций в тонких фольгах из алюминиевых сплавов, выдержанных при 60 С в камере с от-носительной влажностью 80%. Х28 000 [6.20]

Если т II Ь, то соответствующая дислокация называется винтовой. Наличие прямолинейной винтовой дислокации в кристалле превращает кристаллические плоскости в решетке в геликоидальную поверхность, подобную винтовой лестнице. На рис. 62 изображена схема расположения атомных плоскостей при наличии винтовой дислокации, совпадающей с линией 00 . [c.187]

Рис. 107. Геликоидальная дислокация, зафиксированная в точках А и В.

В отличие от краевой дислокации граница между смещенной и несмещенной частями кристалла располагается параллельно направлению скольжения, а не перпендикулярно к нему. При винтовой дислокации атомные плоскости скручены в геликоидальную поверхность, напоминающую винтовую лестницу без ступенек. [c.268]

При наличии винтовой дислокации процесс роста протекает как вращение ступени вокруг точки ее соединения с дислокацией. Таким образом, кристалл представляет собой как бы один-единственный геликоидальный слой (фиг. 3.4). Естественно, что на поверхность кристалла могут выходить несколько винтовых дислокаций рост на них может происходить независимо или в условиях их взаимодействия, что зависит от их векторов Бюргерса и расстояний между ними. [c.117]

Необходимо иметь в виду, что при высоких температурах восходящая диффузии примеси и избыточных компонентов кристаллизуемого вещества под действием поля напряжений дислокаций может способствовать локальному увеличению их концентрации. В результате на дислокациях могут возникать частицы макроскопических размеров. На рис. 50 а-в представлена кинетика данного эффекта в поле линейных и ге лико ид ал ьных дислокаций в монокристаллах иттрий-алюминиевого граната. Исследование указанного процесса позволило разделить эту кинетику на три стадии. На первой происходит декорирование геликоидальных дислокаций (см. рис. 50 а), на второй — развал геликоидалььгых дислокаций с образованием системы колец, строго ориентированных в монокристалле (см. рис. 50 б). На этой стадии уже видны механические частицы макроскопических размеров. На третьей стадии эти частицы образуют вокруг линейных дислокаций скопления, контуры которых имеют явно геометрическую форму, отражающую симметрию кристаллографической плоскости, по поверхности которой шла диффузия (см. рис. 50 в). Таким образом, в случае высокотемпературной кристаллизации (а также высокотемпературного отжига) дислокации, кроме локальных термоупругих полей, могут способствовать образованию в монокристаллах механических включений высокой плотности. Их отличие от включений, захватываемых фронтом роста, заключается в том, что размер частиц практически постоянен, а колонии этих частиц представляют собой скопления, в которых частицы находятся на строго определенном расстоянии друг от друга. Можно думать, что природа сил, приводящая к такому распределению, носит электростатический характер [69]. [c.71]

Рис. 50. Три стадии развала геликоидальных дислокаций в результате скопления на них избьп очных компонентов и примесей а — первая стадия (декорирования дислокаций) б — вторая стадия (образования частиц микроскопических размеров на дислокациях) в — третья стадия (образования колоний механических частиц вокрз г линейных дислокаций). Внешние очертания колоний отражают симметрию поверхности, по которой происходило их движение

Важной причиной снижения плотности дислокаций в сильно легированных донорными примесями монокристаллах является также облегченный выход прорастающих из затравки дислокаций на поверхность растущего слитка [71] в результате более интенсивного процесса переползания, обусловленного повышенной концентрацией вакансий [77]. Этот процесс ответствен также за наблюдаемые в сильно легированных кристаллах и-тина явления полиго-пизации и образования геликоидальных дислокаций. Кроме того, для структуры таких кристаллов характерно наличие изолированных коротких ПО.ЯОС скольжения на практически бездислокационном фоне, обусловленное действием дисперсных включений второй фазы как концентраторов напряжений [73]. [c.90]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология