Декорирование дислокаций

Метод декорирования основан на образовании очень маленьких частиц в активных центрах твердых тел. Обычно при нагреве кристалла до определенной температуры вдоль дислокационных линий появляются частицы, которые можно наблюдать либо в проходящем, либо в рассеянном свете. Декорирование дислокаций возможно из-за более быстрой диффузии частиц вдоль дислокационных линий, преимущественного зарождения частиц на дислокациях, способности дислокаций служить источниками вакансий. Декорирующими частицами не всегда являются частицы примеси. Известны два способа декорирования деф тн ой структуры кристаллов. В одном случае исходный образец помещали в кварцевую ампулу, в которой создавали вакуум 0,66 Па. Затем ее запаивали, нагревали до температуры 350°С и выдерживали 1 ч. Во втором случае дефекты в кристалле декорировались после облучения образцов рентгеновским излучением. Вдоль дислокационных линий появлялись микроскопические поры. [c.160]

В будущем, вероятно, появится возможность создавать приборы, основанные на электрических свойствах дислокаций в НК полупроводников. Известно, что дислокация обладает способностью собирать (адсорбировать) примеси в своем поле упругих напряжений. Это приводит к перераспределению примесей вблизи дислокаций в объеме НК (на этом, в частности, основан метод декорирования дислокаций) и появлению р—п-переходов. Формируя дислокационную структуру в полупроводниковом НК (в исходном состоянии совершенный кристалл), можно таким образом создавать сложные электронные схемы высокого разрешения. [c.504]

Очевидно, преобладающее декорирование дислокаций атомами гелия создает благоприятные условия для зарождения и роста на них газовых пузырьков. [c.35]

Дислокации создают локальные напряжения в кристалличе- ской решетке. Кроме того, на них обычно скапливаются примеси (в случае кварца подтверждением этого служит обнаруженное ранее явление декорирования дислокаций частицами неструктурной примеси при высокотемпературном отжиге кристаллов). Поэтому высокая плотность дислокаций в отдельных участках кристалла приводит к заметному ухудшению оптической однородности и появлению специфических дефектов — свилей. [c.90]

Чтобы их можно было легко различить, образец кремния с очень малой плотностью дислокаций насыщают медью при повышенной температуре, а затем охлаждают, медь при этом выделяется на дислокациях. Образец исследуют микроскопически в проходящем инфракрасном свете и наблюдаемые темные линии идентифицируют как дислокации, так как медь в отличие от кремния не прозрачна для инфракрасного света. Рис. 75 иллюстрирует один из таких экспериментов. На фотографии видно, что дислокации являются первичными центрами образования зародышей (что, однако не исключает возможности выделения их в других дефектных местах). Этот процесс известен как декорирование дислокаций . [c.157]

Рис. 50. Три стадии развала геликоидальных дислокаций в результате скопления на них избьп очных компонентов и примесей а — первая стадия (декорирования дислокаций) б — вторая стадия (образования частиц микроскопических размеров на дислокациях) в — третья стадия (образования колоний механических частиц вокрз г линейных дислокаций). Внешние очертания колоний отражают симметрию поверхности, по которой происходило их движение

Изучение дефектности кристаллов. Сегрегация примеси вблизи дефектов широко используется для декорирования дислокаций и межкристаллитных границ, для выявления трехмерных включений и отрицательных кристаллов. Если структура кристаллов устойчива, то декорирование осуществляют при их диффузионном отжиге в среде, содержащей примесь. Если же структура кристалла неустойчива и не выдерживает отжига, то декорирование проводят в процессе роста [22]. [c.273]

На примере реакции термического разложения перхлората аммония было экспериментально показано, что реакция преимущественно протекает на дислокациях и начинается в тех местах кристалла, где дислокации присутствовали еще до начала процесса 15, 6]. На микрофотографиях показаны ямки травления кристалла перхлората аммония, отмечающие точки выхода кривых дислокаций на поверхность кристалла (рис. 4), и декорирование дислокаций выделяющимися при разложении перхлората газообразными продуктами распада при малых глубинах превращения (рис. 5). Совпадение топографии дислокаций и мест, на которых заметна химическая реакция, свидетельствует об определяющей роли дислокаций в протекании процесса. [c.97]

Рис. 106. Распространение коррозионной трещины в высокочистом троПном сплаве системы Al—Zn—Mg с рекрнсталлизованным равноосным зерном. Пластическая деформация в зернах вдоль отдельных частей трещнны была видна после пспыта-иия ИЯ КР в результате декорирования дислокаций выделениями и последующим травлением [139]

НИИ всего цикла температурный перепад между зонами роста и растворения (за счет изменения температуры в зоне растворения) периодически, через каждые 10—15 сут, увеличивается (или понижается) на 2—3 °С. Это позволяет получить кристалл, состоящий из нескольких слоев, различающихся скоростями выращивания. Изменение концентрации примеси в этих слоях дает возможность выбрать для исследования препараты из тех областей кристалла, где достигается максимальный контраст декорирования дислокаций в различных пирамидах роста, которые после термообработки полированных пластин толщиной от 0,1 до 0,2 мм обнаруживаются под микроскопом в определенном-свете при относительно малых увеличениях. Оптическими исследованиями установлено, что визуализация дислокаций обусловлена светорассеянием на многочисленных закономерно ориентированных микроскопических трещинах, возникающих в местах локализации неструктурной примеси. Контраст изображения отдельной дислокации зависит от количества, размеров и ориентации микротрещин, располагающихся вдоль линии ее следования. Обычно трещины ориентируются параллельно плоскостям основных ромбоэдров, базиса, дипирамид и призм. Трещины, параллельные базисной плоскости, имеют довольно крупные размеры (до 1 мм) и поэтому дают размытые изображения дислокационных линий. Наиболее четкие изображения отмечаются в случае декорирования дислокаций несколькими разноориентированными колониями микротрещин. По всей вероятности, контраст декорирования увеличивается и за счет сферических пор диаметром в несколько десятков нанометров, обнаруживаемых под электронным микроскопом в отожженом кварце с включением неструктурной примеси А1. [c.164]

Рис. 75. Декорирование дислокаций кремния при выделении меди вдоль линий дислокаций. Снимок сделан в проходящем ИК-свете (Dash W. С.,. 1. Арр1.

Рис. 56. Вид под микроскопом декорированных дислокаций и межблочных границ в кристалле КС1-АйС1 (7 мол. % в расплаве) при 120-кратном увеличении [50]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология