Коэффициент прохождения рекомбинации

Высокие значения предэкспоненциальных факторов реакций диспропорционирования, возможно, связаны с меньшей ограниченностью движения в переходном состоянии его по сравнению с конфигурацией голова к хвосту . Но так как скорости реакций диспропорционирования и рекомбинации радикалов близки по своим величинам и в случае реакций рекомбинации в активированном комплексе надо допустить-полную свободу вращения радикалов, то логично допустить, что переходное состояние для реакций диспропорционирования и рекомбинации является одинаковым. Но, приняв это,, мы должны допустить, что перестройка активированной молекулы в направлении к продуктам диспропорционирования происходит после прохождения через переходное состояние. Вследствие высокой экзотермичности процесса в целом энергетические барьеры перестройки могут не превыщать нормального уровня энергии радикалов и поэтому не проявляются экспериментально в температурных коэффициентах реакции. [c.243]

В действительности мы получаем при таком подходе величину трансмиссионного коэффициента х в уравнении (72). Этот коэффициент учитывает вероятность того, что не каждая молекула реагента, превращающаяся в активированный комплекс или проходящая энергетический барьер, станет молекулой—продуктом реакции. Он является мерой вероятности отражения системы обратно после прохождения. Обычным примером является реакция рекомбинации атомов (78), которая не протекает в отсутствие третьего тела. Энергия рекомбинации двух атомов в точности равна энергии диссоциации молекулы. Если эта энергия не удаляется за счет вмешательства третьей молекулы, она с неизбежностью перейдет в колебательную энергию двухатомной молекулы и вызовет немедленную диссоциацию. Таким образом, в этом случае х = О из-за сохранения энергии и имнульса. [c.169]

Теоретические расчеты скорости гетерогенной рекомбинации не объясняют наблюдающуюся зависимость коэффициента рекомбинации от давления [565—567]. В работе [565] для объяснения этой зависимости выдвинута гипотеза о наличии монослоя молекул на монослое атомов, адсорбируемых поверхностью стекла (поверхность стекла была покрыта атомами молибдена вследствие распыления электродов). Вводилась вероятность прохождения атомов через монослой молекул. Эта гипотеза не соответствует современным представлениям о механизме адсорбции газа на поверхности твердых тел [568, 569]. Кроме того, при расчетах рекомбинации используются представления о равновесном характере адсорбции газов, что в ряде случаев, особенно в низкотемпературной плазме при бомбардировке поверхности твердых тел активными частицами, не всегда достигается. [c.204]

В связи с тем, что рассмотренные выше (стр. 201) реакции рекомбинации атомов натрия с атомами галоидов в некоторых случаях имеют низкий коэффициент прохождения, обусловленный влиянием неадиа-батического пути реакции, возникает вопрос, не существует ли аналогичных затруднений для реакции атома натрия (или атома какого-либо другого щелочного элемента) с молекулами галоидов [c.222]

I) Катодное травление на постоянном токе. В методе катодного травления на постоянном токе для рекомбинации положительно заряженных ионов необходимо, чтобы подложка, которая подвергается бомбардированию потоком частиц, была проводящей. Это условие выполняется только в том случае, если пленка, которая подвергается травлению и маскирующее покрытие — металлические. На практике такое положение встречается довольно редко, и потому этот метод имеет весьма ограниченное применение. В этом случае формирование рисунка в пленке почти любого металла легко осуществляется методами обычной фотолитографии. Больший практический интерес представляет катодное травление окисных пленок. В этом случае обеспечение рекомбинации зав.чсит от характера и материала. маскирующего покрытия. Один из вариантов такого метода был применен Ва-леттом [133]. Из тонкой металлической фольги была изготовлена маска, которая располагалась в тесном контакте с поверхностью кремниевой подложки и с изолирующим (окисным) слоем. Потенциал катода, подававшийся на маску, составлял 1,5—2 кВ. Рисунок, который должен был быть вытравлен в изоляционном слое, состоял из маленьких отверстий (0,06 мм диаметром). Бомбардирование этих участков достигалось за счет того, что при прохождении по направлению к маске ионы аргона ускорялись по прямой линии и далее через отверстия в металлической фольге. Положительные заряды, накапливавшиеся на поверхности изолятора, притягивались частично вторичными электронами испускавшимися маской и поэтому нейтрализовались. Этот процесс эффективен только в случае очень малых расстояний, потому что в этом случае электрическое поле вдоль ионной оболочки сильное и, как правило, оттягивает вторичные электроны от поверхности. Скорости удаления при этом составляют от 150 до 300 А мин для пленок различного состава стекла и двуокиси кремния. Некоторые рассеянные ионы попадают под края отверстий з маске, так что стенки растравленных отверстий имеют наклонную форму, с коэффициентом растравливания с(/Д/, равным примерно 0,4 (см. рис. 16). [c.626]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология