Маскирующие покрытия

Рис. 17. Создание рисунка в пленке С использованием негативного маскирующего покрытия.

В планарной технологии полупроводниковых кремниевых приборов и интегральных схем широко применяются оксидные пленки на базе 5102. Они используются как маскирующее покрытие в фотолитографических и диффузионных процессах, в качестве разделительной изоляции, для пассивации готовых структур и других целей [c.109]

Изучение пористости пленок ЗЮ на кремнии. Пленки ЗЮ , используемые в технологии полупроводниковых приборов, не должны содержать сквозных пор. Неудовлетворительная сплошность пленок часто является причиной технологического брака. Макродефекты структуры пленки обычно представляют собой поры, образую-ш,иеся при несовершенном росте окисла, границы кристаллов (если стеклообразная пленка склонна к рекристаллизации) микротрещины, формирующиеся из-за несоответствия коэффициентов термического расширения подложки и пленки. Последние два вида макродефектов встречаются на относительно толстых пленках и могут быть устранены изменением технологического режима. Причиной порообразования могут быть определенные виды загрязнений и структурных дефектов на исходной поверхности кремния. Часто поры могут образовываться за счет окклюзии (захвата) газов, а также при слиянии точечных дефектов (вакансий) в кластеры. Наличие пор в значительной мере осложняет использование оксидной пленки в качестве маскирующего покрытия (поскольку поры являются каналами диффузии) и для изоляции (вследствие возможных замыканий алюминиевой разводки на тело прибора). Как пассивирующее покрытие пленка также непригодна, потому что при этом не обеспечивается герметичность структуры. [c.122]

KOR 1500— 2500 KOR 14 1—3 Проколы В маскирующем покрытии фоторезиста [150] [c.639]

Тип Резистивное покрытие Проявитель Характеристики электронного луча Отличительные особенности резиста, используемого в качестве маскирующего покрытия при травлении СС 3 X О. [c.640]

Применение МОС для получения маскирующих покрытий рассмотрено в разделе 10.4.2. [c.451]

Изучение спектрального поведения материалов в широком диапазоне длин волн важно для создания маскирующих покрытий. Разработка таких покрытий, однако, представляет значительные трудности, особенно для большого диапазона длин волн. [c.130]

Формирование рисунка фотолитографическими методами основано на использовании поли.мерной пленки заданной конфйгурации, нанесенной на поверхность металлических или изолирующих пленок, покрывающих всю поверхность подложки. Рисунок микросхемы наносится на маскирующее покрытие из полимерной пленки и повторяется в пленке металла или изолирующего слоя вытравливанием незащищенных участков. Маскирующее покрытие ) из полимерной пленки создается с помощью полимерных фото-чувстнительных материалов, называемых фоторезистами, молекулярная структура и растворимость которых изменяются при облучении фотонами. Для того, чтобы выделить те участки, на которых следует изменить растворимость фоторезиста, и чтобы оградить их от воздействия светового излучения, необходимо иметь диапозитив или фотошаблон с рисунком требуемой конфигурации. Этот процесс аналогичен процессу контактной печати, применяемому в фотографии, за исключением того, что вслед за проявлением рисунка в слое фоторезиста, следует травление рисунка в пленке, на которую нанесен фоторезист и удаление полимерного маскирующего покрытия. [c.570]

Нитрид кремния. Пленки SisN4 химически инертны и с большим трудом поддаются травлению. Наиболее подходящим травителем является концентрированная (48%) HF при этом скорость травления изменяется от 150 А мин [110] до 500 я 1000 А мин- [98], в зависимости от метода получения пленок и их толщины. Буферные растворы HF взаимодействуют с гораздо меньшей скоростью, около 15 А мин [ПО]. Еще одним травителем может быть раствор, состоящий из 3 мл концентрированной HF и 10 мл концентрированной HNO3 травление осуществляется при температуре 70° С i[98]. Общий недостаток всех этих реактивов состоит в том, что все существующие фоторезисты не выдерживают взаимодействия с ними достаточно продолжительное время, чтобы вытравить несколько сотен ангстрем пленки 31з 4. Для преодоления этого препятств.чя с помощью рельефа рисунка по покрытию фоторезиста изготавливают защитные пленки из молибдена [ПО] или сплава хром — серебро [98]. Эти металлы не взаимодействуют с HF и она не проникает под пленки этих металлов, так что таким способом могут быть изготовлены сравнительно бездефектные рисунки. Сообщают об изготовлении таким способом отверстий диаметром около 7,5 мкм и прямых линий с четкими и резкими краями, [110]. Известно, что в качестве маскирующего покрытия применяют пленки ЗЮг и пленки 51зМ4. которые затем травятся горячей, концентрированной серной кислотой [113]. [c.610]

К нагретому до 90°С раствору, содержащему 9/10 частей 30%-ного NaOH или КОН, добавляется 1/10 части 30—35-ной перекиси водорода. Эта смесь травит тантал, нитрид тантала, окись тантала со скоростью 1000—2000 А мин-. Однако она взаимодействует также и с фоторезистом, поэтому в дополнение к фоторезистам применяются металлопленочные маскирующие покрытия, например, золото. [c.611]

I) Катодное травление на постоянном токе. В методе катодного травления на постоянном токе для рекомбинации положительно заряженных ионов необходимо, чтобы подложка, которая подвергается бомбардированию потоком частиц, была проводящей. Это условие выполняется только в том случае, если пленка, которая подвергается травлению и маскирующее покрытие — металлические. На практике такое положение встречается довольно редко, и потому этот метод имеет весьма ограниченное применение. В этом случае формирование рисунка в пленке почти любого металла легко осуществляется методами обычной фотолитографии. Больший практический интерес представляет катодное травление окисных пленок. В этом случае обеспечение рекомбинации зав.чсит от характера и материала. маскирующего покрытия. Один из вариантов такого метода был применен Ва-леттом [133]. Из тонкой металлической фольги была изготовлена маска, которая располагалась в тесном контакте с поверхностью кремниевой подложки и с изолирующим (окисным) слоем. Потенциал катода, подававшийся на маску, составлял 1,5—2 кВ. Рисунок, который должен был быть вытравлен в изоляционном слое, состоял из маленьких отверстий (0,06 мм диаметром). Бомбардирование этих участков достигалось за счет того, что при прохождении по направлению к маске ионы аргона ускорялись по прямой линии и далее через отверстия в металлической фольге. Положительные заряды, накапливавшиеся на поверхности изолятора, притягивались частично вторичными электронами испускавшимися маской и поэтому нейтрализовались. Этот процесс эффективен только в случае очень малых расстояний, потому что в этом случае электрическое поле вдоль ионной оболочки сильное и, как правило, оттягивает вторичные электроны от поверхности. Скорости удаления при этом составляют от 150 до 300 А мин для пленок различного состава стекла и двуокиси кремния. Некоторые рассеянные ионы попадают под края отверстий з маске, так что стенки растравленных отверстий имеют наклонную форму, с коэффициентом растравливания с(/Д/, равным примерно 0,4 (см. рис. 16). [c.626]

Для того, чтобы стенки растравливаемых отверстий были более крутыми, необходимо, чтобы маскирующее покрытие напылялось непосредственно на поверхность пленки, так чтобы между пленкой и маскируюшим покрытием не было вовсе никакого зазора. Спивак и др. [134] разработа- [c.626]

Материал Толщина, А с ш ная доза ю- Кулонх Хсм в качестве маскирующего покрытия при травлении II и [c.639]

Диэлектрические пленки находят широкое применение в электронике. Они используются для пассивации поверхности и стабилизации параметров полупроводниковых приборов, в качестве маскирующих покрытий в процессах легирования полупроводниковых материалов, а также в качество диэлектрических слоев при создании пленочных конденсаторов, изолирующих слоев при создании многослойных структур. Окислы в виде сплошных равномерных пленок могут быть осаждены из паровой фазы в результате разложения паров таких МОС, как алкоголяты, карбокенлаты, феноляты и ацетил ацстона-ты металлов. [c.311]

Достаточно отметить необходимость пассивации и герметизации поверхности полупроводниковых приборок для стабилизации параметров интегральных микросхем, использование маскирующих покрытий при введении микропримесей в полупроводниковые кристаллы. С целью повышения надежности и срока службы эффективно используется специальная защита электронных приборов от климатического воздействия. [c.451]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология