Дислокации двойникующие, плотность упругом двойнике

Одним из экспериментальных оснований теории дислокационного строения упругих двойников являются результаты избирательного травления кристаллов кальцита, содержащих упругие двойники [71]. При помощи специального приспособления получали упругие двойники, пересекающие боковую поверхность образца, совмещенную с плоскостью сдвига в кальците. Протравливая эту поверхность, когда образец находится под нагрузкой Р, можно было получать фигуры избирательного травления, свидетельствующие о дислокационном строении упругого двойника. Вблизи вершины клинообразного упругого двойника интенсивность растравливания значительно более высокая, нежели в остальных его частях. Что свидетельствует о высокой плотности дислокаций в этой части упругого двойника [71]. [c.26]

Распределение дислокаций вдоль упругого двойника. Получение ин-,формации о плотности распределения дислокаций в скоплении дает возможность восстановить форму двойника, или, другими словами, определить пластическую, зону, возникающую при нагружении. В [219] была предложена и реализована методика, позволившая с большой точностью судить о форме двойника по всей его длине и следить за ее изменением в процессе деформации. Суть ее заключается в восстановлении формы упругого двойника по результатам определения р(х) с помощью избирательного травления. [c.103]

Большая плотность дислокаций в упругом двойнике исключала возможность повторного избирательного травления. Но поскольку исследовались двойники, образованные прямолинейными дислокациями, выходящими, на обе поверхности кристалла, то вместо повторного травления одной и той Же поверхности образца можно быть травить параллельную ей другую, боковую поверхность. Использовались тонкие кристаллы (толщина не превышала 0,2 см), и распределение дислокаций на этих гранях практически было одним и тем же (это было показано в специальных контрольных экспериментах). Подсчет числа ямок травления давал возможность получить функцию р(рс) экспериментальным путем. [c.103]

Рис. 4,9, Плотность дислокаций в упругом двойнике в случае нагрузки и разгрузки (заштриховано). Каждый столбик соответствует числу дислокаций на участке длиной 100 мкм

Таким образом, функция L (i) может непосредственно измеряться в экспериментах. Функция v x, t) может быть определена в точке л =L. Функция же р(х, г) входит в измеряемые в эксперименте величины лишь интегральнь1М образом (в том числе и в выражение для звукового излучения плоского скош1ения дислокаций — см. гл. >8). Поэтому с целью упрощения вычислений будем оперировать не р(х, t), а Д ) = p[L(t)]. Это, по существу, означает, что плотность дислокаций в двойнике зависит только от длины и мало меняется вдоль него. Нужно сказать, что такое предположение опирается также на эксперимент на статическом двойнике прецизионные измерения плотности дислокаций в упругом двойнике показали, что она действительно мало меняется вдоль двойника (см. рис, 4.10). [c.108]

Однако плотность дислокаций на кончике каждого домена в стенке не может отличаться от плотности дислокаций на кончике изолированного домена, поскольку она определяется силами сцепления (силами поверхностного натяжения), а не дальнодействующим упругим взаимодействие (подробнее см. 3.3). Но в теории упругих двойников показано, что р 1) = 0. Ясно, что этим свойством должно обладать также точное решение уравнения (7.1). В теории интегральных сингулярных уравнений известно [169]. что ограниченность решения подобных уравнений на концах интервала / требует вьшолнеиия определенного условия ортогональности, а именно [c.197]

Во-вторых, реальная (некогерентная) двойниковая граница содержит обычно плоские скопления двойникующих дислокаций. Но, как известно, вблизи ядра дислокации возникают сильные упругие поля, которые в принципе могут сместить в окрестности дислокации, если эти поля окажутся существенными в макроскопических объемах [485]. Поэтому вблизи двойниковой границы с большой плотностью дислокащ1й может появиться слой достаточно большой толщины, в котором нарушения структуры кристалла обеспечат смещение Г - В работе [486] сделана оценка толщины сверхпроводящего слоя она дала величину порядка 10" см. Заметим, что при линейной плотности дислокаций 10 см" толщина области неко-герентности двойниковой границы также имеет порядок величины iO" см. [c.237]

Выпишем систему уравнений, определяющих движение тонкого двойника в слабопеременных упругих полях, когда характерная длина волны другого поля значительно, больше длины двойника [191]. В этом случае двойник можно описывать фактически в прежних терминах, учитьшая лишь то, что внешнее упругое поле и плотность дислокаций в двойнике зависят от времени, а сила торможения может зависеть от скорости дислокации. Инерционные свойства дислокаций в практически интересных ситуациях можно не учитывать. В этом случае система основных уравнений [c.83]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология