Плотность двойникующих дислокаций в двойнике

Сингулярные минимумы. Им соответствуют грани с характерными признаками слоистой кристаллизации и конусовидными холмиками—акцессориями роста, а именно грани т, Я -я т. Несмотря на указанные морфологические признаки, представляется сомнительным, чтобы дислокационный механизм играл существенную роль в стимулировании процесса отложений вещества по этим граням. Как показывают данные рентгеновской топографии, для пирамид роста (Я) и (г) характерна относительно высокая плотность ростовых дислокаций (Ю —10 ), ориентированных почти нормально к поверхности роста, причем часть дислокаций имеет винтовую компоненту. На поверхности этих граней обычно присутствует лишь небольшое число холмиков роста. Что же касается нарастания грани Я, то для нее, как известно, основным стимулятором роста являются двойниковые акцессории (рост во входящих углах по границам дофинейских двойников). [c.155]

Для простоты рассмотрим двойник не у поверхности, а внутри кристалла (рис. 105, а). Предположим, что в начале координат х = = 0) расположен источник двойникующих дислокаций, который способен создавать под действием приложенной нагрузки любое количество пар прямолинейных дислокаций противоположных знаков. Введем плотность двойникующих дислокаций р (д ), очевидным образом связанную с толщиной двойника h (х) в точке х [c.304]

О макроскопическом двойнике имеет. смысл говорить лишь тогда, когда число образовавшихся двойникующих дислокаций велико, а длина двойника значительна ( эксперименте часто число дислокаций, приходящихся на 1 см длины двойника, достигает величины порядка 10 при длине двойника порядка нескольких миллиметров). Но в таком случае распределение дислокаций можно описывать плотностью, являющейся непрерывной функцией X и обозначаемой в дальнейшем р (х). [c.54]

Величина (3.44) элементарным образом сводится [83] к виду функционала от плотности распределения дислокаций вдоль двойника р(х). [c.77]

Распределение дислокаций вдоль упругого двойника. Получение ин-,формации о плотности распределения дислокаций в скоплении дает возможность восстановить форму двойника, или, другими словами, определить пластическую, зону, возникающую при нагружении. В [219] была предложена и реализована методика, позволившая с большой точностью судить о форме двойника по всей его длине и следить за ее изменением в процессе деформации. Суть ее заключается в восстановлении формы упругого двойника по результатам определения р(х) с помощью избирательного травления. [c.103]

Двойниковые границы имеют различную плотность и ориентацию. Ростовые двойники обычно широкие и свободны от дислокаций. Двойники деформации встречаются часто как близко расположенные линейные границы. Между ними имеется значительная плотность дислокаций. Могут быть выделены по крайней мере три причины образования двойников 1) частицы Si , захваченные растущей лентой 2) поверхность раздела затравка—растущий кристалл 3) нестабильности роста, наблюдаемые как отдельные изменения размеров ленты. [c.83]

ПАВ Средний размер зерна, мкм Плотность дислокаций на 1 СМ Интенсивность образования двойников НУ, ГПа [c.154]

Одним из экспериментальных оснований теории дислокационного строения упругих двойников являются результаты избирательного травления кристаллов кальцита, содержащих упругие двойники [71]. При помощи специального приспособления получали упругие двойники, пересекающие боковую поверхность образца, совмещенную с плоскостью сдвига в кальците. Протравливая эту поверхность, когда образец находится под нагрузкой Р, можно было получать фигуры избирательного травления, свидетельствующие о дислокационном строении упругого двойника. Вблизи вершины клинообразного упругого двойника интенсивность растравливания значительно более высокая, нежели в остальных его частях. Что свидетельствует о высокой плотности дислокаций в этой части упругого двойника [71]. [c.26]

Толщина двойника h x) в некоторой точке х очевидным образом связана с плотностью дислокаций [c.54]

Большая плотность дислокаций в упругом двойнике исключала возможность повторного избирательного травления. Но поскольку исследовались двойники, образованные прямолинейными дислокациями, выходящими, на обе поверхности кристалла, то вместо повторного травления одной и той Же поверхности образца можно быть травить параллельную ей другую, боковую поверхность. Использовались тонкие кристаллы (толщина не превышала 0,2 см), и распределение дислокаций на этих гранях практически было одним и тем же (это было показано в специальных контрольных экспериментах). Подсчет числа ямок травления давал возможность получить функцию р(рс) экспериментальным путем. [c.103]

Рис. 4,9, Плотность дислокаций в упругом двойнике в случае нагрузки и разгрузки (заштриховано). Каждый столбик соответствует числу дислокаций на участке длиной 100 мкм

Для объяснения этих экспериментальных фактов необходимо отказаться от предположения, что все дислокации в двойнике движутся либо вязко, либо термоактивируемо. Механизм торможения дислокаций на разных участках границы будет различным, если расстояние между препятствиями, преодолеваемыми путем термической активации, больше среднего расстояния между соседними дислокациями. В кальците такая ситуация реализуется при наличии на границе сидячих дислокаций, линейная плотность которых на границе обычно невелика [234]. Кроме того, распределение скоростей у(х) на границе может приводить к наличию на разных участках границы либо термоактивируемого, либо над-барьерного движения дислокаций. [c.120]

Методом трансмиссионной электронной микроскопии было, показано, что напряженный материал растворяется избирательно на тех участках, где имеется высока плотность дислокаций. Их происхождение может быть результатом как скопления дислокаций по плоскостям скольжения, так и пересечения дислокаций с границами зерен и двойников. [c.110]

Осаждение велось при температуре 21 °С и плотностях тока 1,1 2,7 5,4 А/дм1 Структура осадков меди, полученных при плотности тока 1,1 А/дм , характеризовалась присутствием большого количества дефектов упаковки двойникового типа. Толщина двойников колебалась от 100 до 1000 А. Число дефектов деформационного типа и дислокаций было незначительным. [c.39]

К качеству кристаллов, предназначенных для изготовления затравочных пластин для выращивания пьезокварца и оптически однородного кварца, предъявляются различные технические требования. Для изготовления пьезокварцевых затравок используются обычно синтетические кристаллы любой энантиоморфной разновидности, свободные от дофинейских и бразильских двойников, выращенные с различными, преимущественно повышенными скоростями. До последнего времени в пьезокварцевом затравочном кристаллосырье не лимитировались концентрация примесей, твердых включений, а также плотность ростовых дислокаций. По мере ужесточения требований к качеству резонаторов и вытеснения из производственной сферы дорогостоящего и дефицитного природного кварца синтетическим предпринимаются попытки нормирования плотности дислокаций в синтетическом пьезокварце. Однако выращивание пьезокварцевых кристаллов с контролируемой плотностью дислокаций на вертикально расположенных затравочных пластинах является чрезвычайно сложной технологической задачей, поскольку линейные несовершенства не только наследуются от затравок, но и образуются в больших количествах в местах врастания в кристаллы твердых включений. [c.51]

Синтетические аметисты характеризуются повышенной плотностью ростовых дислокаций (р 10 см ) по сравнению с кристаллами, выращенными из растворов карбоната и гидроокиси натрия, а также интенсивными дофинейскими двойникованиями. Массовое зарождение дислокаций стимулируется выпаданием на поверхность затравки в начальный период роста твердых включений, чаще всего гидроксидов железа, переносимых конвекционными потоками раствора в камеру кристаллизации из шихтовой смеси. Поскольку синтез аметиста осуществляется нз сильно пересыщенных растворов (при температурных перепадах до 20 °С) на сравнительно медленно растущие затравочные пластины, в системе, особенно в длительных (свыше 40—50 сут) циклах кристаллизации, зарождаются спонтанно и переносятся на ростовые поверхности микроскопические кристаллы кварца. Часть из них, закономерно прирастая к деловым кристаллам, дает начало двойниковым вросткам, которые клинообразно, в виде тригональных пирамид, обращенных вершинами к затравке, разрастаются тангенциально по мере продвижения фронта роста г-грани. Дофинейское и бразильское двойникование пирамид и проявляется интенсивно при увеличении температуры кристаллизации независимо от наличия примесных фаз в кристаллизационной среде. В природных кристаллах аметиста двойники также пользуются большим распространением, и присутствие их в синтетических аметистах не только не снижает качество кристаллосырья, но и, наоборот, приближает его по морфологическим признакам к натуральным камням. [c.185]

В синтетических аметистах, как и в природных, весьма широко распространены и бразильские двойники. Причем они также образуются лишь на / -гранях. Электронно-микроскопические исследования бразильских двойников показали, что они состоят из / -ламелей толщиной от 10 до 200 нм. Причина массового образования двойников в аметисте не ясна, можно полагать что они релаксируют напряжения, возникающие при вхождении в кварц структурной примеси железа. Данные рентгеновской топографии показывают, что кристаллы синтетического аметиста характеризуются высокой степенью дефектности плотность ростовых дислокаций в них не поддается непосредственному подсчету и заведомо превышает 10 /см . [c.195]

Учитывая ограничения, накладываемые на область применения формулы (3,9 , постараемся оценить длину интервала вблизи конца застопоренного двойника, где эта формула несправедлива. Рассмотрим наиболее "опасный -.С этой точки зрения случай одаородной внешней нагрузки а(х) -Р = onst. Тогда плотность краевых дислокаций стопора равна [c.61]

Перейдем к формулировке дислокационного описания движения границы остаточного двойника [229]. Поскольку плотность двойникующих дислокаций р на границе может быть достаточно велика (например, в кальците [238] р 5 10 см" ), то представляется полезным последовательное рассмотрение движения границы как ансамбля движущихся двойникующих дислокаций, изображенного на рис. 4.17. Предполагаем, что р(д ) — знакопостоянная непрерывная функция координат ир(дг)а < <1 (й — межплоскостное расстояние). Тогда для границы остаточного двойника можно ьредгюжить модель, изображенную на рис. 4.18, что приводит нас к проблеме плоского скопления дислокаций. [c.115]

По мере увеличения скорости деформации скорости перемещения дислокаций превращения растут, их плотность на границе падает, и на каком-то этапе распределение дислокаций на границе уже нельзя охарактеризовать с помощью непрерьшной функции р (л ). Лимитирующим движение границы фактором становится размножение дислокаций. Развитый выше подход в этой ситуации уже неприменим, и следует использовать подход, развитый в цикле работ Сумино и др. [236, 326-328], В этом подходе двойниковая граница рассматривается как поверхностная дислокация. Процессом, лимитирующим ее распространение, является зарождение перегибов на такой поверхностной дислокации, которое происходит термоактивируемым образом. Этими перегибами, по существу, являются обычные двойникующие дислокации. После возникновения петли такой дислокации она очень быстро распространяется вдоль границы, и дальше ситуация воспроизводится заново. Ни характер движения двойникующей дислокации, ни взаимодействие между ними не рассматриваются. Простое [c.179]

Во-вторых, реальная (некогерентная) двойниковая граница содержит обычно плоские скопления двойникующих дислокаций. Но, как известно, вблизи ядра дислокации возникают сильные упругие поля, которые в принципе могут сместить в окрестности дислокации, если эти поля окажутся существенными в макроскопических объемах [485]. Поэтому вблизи двойниковой границы с большой плотностью дислокащ1й может появиться слой достаточно большой толщины, в котором нарушения структуры кристалла обеспечат смещение Г - В работе [486] сделана оценка толщины сверхпроводящего слоя она дала величину порядка 10" см. Заметим, что при линейной плотности дислокаций 10 см" толщина области неко-герентности двойниковой границы также имеет порядок величины iO" см. [c.237]

Эти данные для (111) эпитаксии серебра можно сопоставить с результатами работы Йегера [41], который исследовал серебро, напыленное на расщепленную грань (100) поваренной соли с последующим отжигом при 670 К, и получил довольно совершенную эпитаксиальную монокристаллическую (100) пленку серебра с такой же или несколько большей плотностью дислокаций, дефектов упаковки и когерентных границ двойников, чем у эпитаксиальных (111) пленок на слюде. Выход дефектов упаковки на поверхность приводил к появлению углублений [41]. [c.148]

Механизмы размножения Д. (увели чения их суммарной длины в единице объема) основаны на прогибании под действием внешней силы линий Д., закрепленных на своих концах ка-кими-либо препятствиями. Таким удлинением является, напр., переход отрезка дислокации EFG, закрепленного в точках и G, в положение EF G. Притягивающиеся Д. с противоположными векторами Бюргерса, лежащие в одной плоскости скольжения, при сближении аннигилируют (рис., е). Разноименные Д. в различных плоскостях скольжения аннигилируют переползанием. Вследствие этого при высокотемпературном отжиге кристалла, способ ствующем диффузии и переползанию, плотность Д. уменьшается. Распределение Д. в деформированных кристаллах обычно неравномерно. При малой степени деформации (до 10%) они часто располагаются вдоль отдельных плоскостей скольжения, к-рые на поверхности кристалла выявляются методом избирательного травления в виде линий и полос скольжения. С увеличением степени деформации часто возникает ячеис-тая структура, выявляемая электронным микроскопом и по рассеянию рентгеновских лучей. Границы ячеек состоят из густо расположенных Д., размер ячеек обычно около 1 мкм. При размножении Д. средние расстояния между нимисокращаются, их поля напряжений перекрываются и скольжение затрудняется. Чтобы оно могло продолжаться, приложенное внешнее напряжение увеличивают (см. Деформационное упрочнение). Упрочнение кристаллов достигается также введением различных препятствий для движения Д. примесных атомов (в виде легирующих добавок), частиц второй фазы (возникающих в процессе термической обработки диффузионным путем или при бездиффузионных фазовых превращениях), двойников, радиа- [c.368]

В заключение анализа уравнения равновесия заметим, что всегда, когда функция S0 ) достаточно хорошая , поведение р(х) у концов двойника в общем случае мало зависит от вида функции с (дг). На свободном конце двойника (дг =Xi) плотность дислокаций убьшает как корень из расстояния до точки х = [c.61]

Р и с. 3 Д О. Двойник внутри кристалла в -По1 1еречмое сечение двойника, - схематИ" ческое изображение плотности дислокаций [c.64]

Отличие функции р(х) при разгрузке от плотности дислокаций при нагрузке означает, что двойникование имеет гистерезисный характер. В данном случае гистерезис удобно проиллюстрировать на зависимости толщины h центральной части двойника от Р при увеличении и последующем уменьшении внешней силы. Как было показано выше, при возрастании Р от нуля до Р двойник отсутствует (А = 0) при Р = Р двойник зарождается, допустим, с толщиной h, а при дальнейшем росте/ его толщина в простейшем случае монотонно увеличивается (рис. 3.15), достигая значения hf при F = Pff,. При изменении Р в обратном направлении (от К нулю) толщина h остается постоянной для значений Pk <Р<Р и монотонно (в простейшем случае так будет всегда при монотонно убьгаающей функции а(х)) уменьшается по мере дальнейшего убывания Р. В конце разгрузки толщина двойника отлична от нуля и на некоторую определенную величину Д/i меньше. [c.75]

Из условия минимума функционала (3.44) вытекает уравнение отно-оиельно р(х), определяющее плотность дислокаций вдоль термодинамически равновесного двойника. Это уравнение формально совпадает с уравнением (3.14), если в последнем положить So = 0. Следовательно, все формулы, полученные и рассмотренные ранее, относятся и к термодинамически равновесному двойнику, если в них положить So = О, а график функции L = L (Р) при всех Р схемагачески изобразится дсривой 3 на рис. 3.17. [c.78]

Выпишем систему уравнений, определяющих движение тонкого двойника в слабопеременных упругих полях, когда характерная длина волны другого поля значительно, больше длины двойника [191]. В этом случае двойник можно описывать фактически в прежних терминах, учитьшая лишь то, что внешнее упругое поле и плотность дислокаций в двойнике зависят от времени, а сила торможения может зависеть от скорости дислокации. Инерционные свойства дислокаций в практически интересных ситуациях можно не учитывать. В этом случае система основных уравнений [c.83]

В [76J был предложен следующий механизм размножения дефектов при многократном возвратно-поступательном перемещении двойниковой границы через покоящуюся полную дислокацию. Известно [218], что полные дислокации в кальците включаются в двойник неконсервативно. Поскольку должен выполняться закон сохранения вектора Бюргерса, то На двойниковой границе должна существовать дислокация, несутцая дефект вектора Бюргерса ). Многократное включение полной дислокации поочередно то в двойник, то в материнскии кристалл приводит к размножению дефектов. В каждом 1ЩКле ситуация полностью воспроизводится (по крайней мере на начальных этапах циклирования). Поэтому плотность возникающих дефектов Рд>= п (п число циклов), а поскольку Д5 VPn = <Уэф — So , го AS y/n, что и обнаруживается в эксперименте. Из соотношения дая длины заклинивания i з [c.102]

Таким образом, функция L (i) может непосредственно измеряться в экспериментах. Функция v x, t) может быть определена в точке л =L. Функция же р(х, г) входит в измеряемые в эксперименте величины лишь интегральнь1М образом (в том числе и в выражение для звукового излучения плоского скош1ения дислокаций — см. гл. >8). Поэтому с целью упрощения вычислений будем оперировать не р(х, t), а Д ) = p[L(t)]. Это, по существу, означает, что плотность дислокаций в двойнике зависит только от длины и мало меняется вдоль него. Нужно сказать, что такое предположение опирается также на эксперимент на статическом двойнике прецизионные измерения плотности дислокаций в упругом двойнике показали, что она действительно мало меняется вдоль двойника (см. рис, 4.10). [c.108]

Однако плотность дислокаций на кончике каждого домена в стенке не может отличаться от плотности дислокаций на кончике изолированного домена, поскольку она определяется силами сцепления (силами поверхностного натяжения), а не дальнодействующим упругим взаимодействие (подробнее см. 3.3). Но в теории упругих двойников показано, что р 1) = 0. Ясно, что этим свойством должно обладать также точное решение уравнения (7.1). В теории интегральных сингулярных уравнений известно [169]. что ограниченность решения подобных уравнений на концах интервала / требует вьшолнеиия определенного условия ортогональности, а именно [c.197]

Наиболее убедительные свидетельства в пользу большой роли степени некогерентности двойниковых границ (т.е. плотности на них двойникуюших дислокаций) в сверхпроводимости двойниковых границ получены в экспериментах [537]. Для оценки плотности дислокаций на границе двойника использовался угол а при вершине клиновидного двойника. Можно показать (подробнее см. 3.1), что угол интегральным образом связан [c.237]

Сейча.с разработана методика, позволяющая судить о степени совершенства структуры монокристалла германия. Установлена корреляция между электрическими свойствами и плотностью дислокаций в кристалле. Плотность дислокаций может быть определена по плотности ямок травления, которые образуются в местах пересечения дислокаций с поверхностью 1фисталла. Экспериментально можно установить некоторый допустимый максимум и отобрать материал, пользуясь этой границей. Естественно, что более грубые неоднородности (границы зерен, двойники и т. д.) должны быть исключены. [c.74]

После охлаждения до комнатной температуры вслед за отжигом мартеиситно-старе-ющие стали имеют полностью мартенситную структуру. В состоянии после отжига материал состоит из волокнистых пластинок, размещенных в пределах сетки предшествующих межзеренных границ аустенита. Пластинки имеют высокую плотность дислокаций, но не имеют двойников. [c.42]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология