Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Микроэлектронные устройства

    Особый интерес проявляется в последние годы к твердой поверхности. Это- связано как. с огромным значением процессов, протекающих в поверхностных слоях, для катализа, коррозии, адгезии, трения и др., так и с развитием электроники (микроэлектронные устройства,, микроминиатюризация). [c.246]

    Пленки высокоупорядоченного углерода С-60 можно легко наращивать на кристаллических подложках, таких как арсенид галлия. Это свойство открывает возможность использования таких пленок в производстве микроэлектронных устройств, [c.14]


    Проводятся также исследования по взаимодействию лазерного излучения с полупроводниковыми материалами. В частности, изучаются процессы локальной лазерно- стимулированной диффузии и вжигания металлических контактов в пластины кремния. Разработки могут найти применение в производстве микроэлектронных устройств. [c.158]

    Те же материалы помогают поддержать нужную температуру во многих электронных и микроэлектронных устройствах. [c.65]

    Следует отметить, что в последние годы особое развитие получили работы в области исследования твердой поверхности. Это связано как с огромным значением явлений, протекающих в поверхностных слоях, для катализа, коррозии, адгезии, трения и других практически важных процессов, так и с развитием электроники (микроэлектронные устройства, микроминиатюризация). [c.289]

    Промышленность выпускает также фольгированный стеклопластик, который применяют для изготовления печатных плат и микроэлектронных устройств. [c.292]

    В качестве основного недостатка процессов ALD следует отметить низкие скорости осаждения, что ограничивает их промышленное применение осаждением пленок толщиной до 50 нм. Однако по мере повышения степени интеграции ИМС, а следовательно, уменьшения размеров элементов, толщин функциональных слоев и увеличения аспектного отношения топологического рельефа роль процессов ALD в КМОП планарной технологии производства микросхем будет возрастать. Не подлежит сомнению, что процессы ALD будут вне конкуренции для изготовления ИМС и других микроэлектронных устройств по трехмерной нанотехнологии. [c.104]

    Современные достижения в области защиты окружающей среды, химических методов диагностики болезней, исследования космоса и производства пластмасс и микроэлектронных устройств непосредственно связаны с разработкой методов микроанализа [21. Уже опубликован ряд интересных монографий [3, 198—200] и обзоров [201, 202], в которых рассматриваются применяемые в настоящее время методы определения микроколичеств различных соединений и элементов. [c.359]

    Проведение электрохимических окислительно-восстановительных реакций в растворе с участием медиаторов-не единственная область применения модифицированных электродов. Представляет интерес также их использование для контроля вывода лекарств, конструирования ионных затворов и микроэлектронных устройств [76]. [c.180]


    Традиционная информационная технология (существовавшая до развития теории ИИ, создания микроэлектронных устройств, мощных быстродействующих ЭВМ, персональных ЭВМ и вычислительных сетей) при использовании ЭВМ непрограммирующим ЛПР (конечным пользователем — специалистом данной ПО) требует либо непосредственного участия ряда помощников—посредников (математиков, алгоритмистов и программистов), либо обучения ЛПР принципиально новым знаниям (в области математики, программирования и вычислительной техники), не свойственным его [c.26]

    Применение. Осн. применение мономерных К.с.-синтез кремнийорг. полимеров. Моно- и дифункциональные К.с. используют в произ-ве кремнийорганических жидкостей-, дифункциональные-при получении кремнийорганических каучуков ди-, три-, тетра- и полифуикциональные - в произ-ве смол и лаков. К.с. применяют также в качестве гидрофобизаторов, антиадгезивов, аппретов для стекловолокна, текстильных и строительных материалов, наполнителей пластмасс, для модифицирования пов-стей сорбентов и др. материалов получения покрытий для микроэлектронных устройств, спец. керамики в качестве исходного сырья в сннтезе катализаторов полимеризации олефинов, пестицидов, лек. ср-в н т.д., как сшивающие и модифицирующие агенты для разл. полимеров, в качестве теплоносителей (до 400 °С) тетраметилсилан-эталонное в-во в спектроскопии ЯМР. [c.516]

    Пленки высокоупорядоченного углерода Сбо можно легко наращивать на кристаллических подложках, таких как арсенид галлия. Это свойство открывает возможность использования таких пленок в производстве микроэлектронных устройств. Можно получать также пленки сверхпроводящего соединения СбоКз с исключительно регулярной структурой. Установлено, что поверхность раздела между кристаллической пленкой Сбо И материалом СбоКз очень [c.152]

Рис. 10.2-16. ОЭС Анализ тонкопленочной структуры микроэлектронного устройства методом ОЭС и поперечного среза этой структуры методом ПЭМ. а—ПЭМ-фотография системы слоев до отжига, на которой видна последовательность слоев сверху вниз) приблизительно 20 слоев Та и 20 слоев 81 толщиной 5 нм каждый, полученные распылением, слой поликристаллического кремния 275 нм толщиной, слой 8102 толщиной около 50 нм, кремниевая подложка б — ПЭМ-фотография образца после отжига при 900° С, на которой видны образовавшиеся новые слои (сверху вниз) поликристаллический силицид тантала толщиной около 200 нм, слой поликристаллического кремния толщиной около 250 нм, слой 810г толщиной около 50 нм, кремниевая подложка в — количественное распределение по глубине, полученное методом ЭОС, кислорода, кремния и тантала, свидетельствующее о формировании слоя оксида кремния на поверхности стехиометрического Та812 [10.2-4]. Рис. 10.2-16. ОЭС <a href="/info/140658">Анализ тонкопленочной структуры</a> <a href="/info/577705">микроэлектронного устройства</a> методом ОЭС и <a href="/info/713810">поперечного среза</a> этой <a href="/info/24750">структуры методом</a> ПЭМ. а—ПЭМ-фотография <a href="/info/330630">системы слоев</a> до отжига, на которой видна <a href="/info/957907">последовательность слоев</a> <a href="/info/1721851">сверху вниз</a>) приблизительно 20 слоев Та и 20 слоев 81 толщиной 5 нм каждый, <a href="/info/73484">полученные распылением</a>, <a href="/info/386289">слой поликристаллического</a> кремния 275 нм толщиной, слой 8102 толщиной около 50 нм, <a href="/info/880129">кремниевая подложка</a> б — ПЭМ-фотография образца <a href="/info/677295">после отжига</a> при 900° С, на которой видны образовавшиеся новые слои (<a href="/info/1721851">сверху вниз</a>) поликристаллический <a href="/info/999585">силицид тантала</a> толщиной около 200 нм, <a href="/info/386289">слой поликристаллического</a> кремния толщиной около 250 нм, слой 810г толщиной около 50 нм, <a href="/info/880129">кремниевая подложка</a> в — <a href="/info/572850">количественное распределение</a> по глубине, <a href="/info/3912">полученное методом</a> ЭОС, кислорода, кремния и тантала, свидетельствующее о <a href="/info/56193">формировании слоя</a> <a href="/info/144210">оксида кремния</a> на поверхности стехиометрического Та812 [10.2-4].
    В частности, термоэлектрогенераторы, в которых использованы теллуриды висмута, свинца и сурьмы, дают энергию искусственным спутникам Земли, навигационнометеорологическим установкам, устройствам катодной защиты магистральных трубопроводов. Те же материалы помогают поддержать нужную температуру во многих электронных и микроэлектронных устройствах. [c.19]

    Если применять традиционные информационные технологии (существовавшие до развития теории искусственного интеллекта, создания микроэлектронных устройств, мощных быстродействующих ЭВМ, персональных ЭВМ и вычислительных сетей), то при использовании ЭВМ специалистом данной предметной области необходимы помощники-посредники (математики, алгоритмисты и программисты), либо он должен получить принципиально новые знания (в области математики, программирования и вычислительной техники), не свойственные его специальности. [c.146]


Библиография для Микроэлектронные устройства: [c.557]   
Смотреть страницы где упоминается термин Микроэлектронные устройства: [c.345]    [c.11]    [c.723]    [c.15]    [c.134]    [c.11]    [c.523]    [c.13]    [c.183]    [c.44]   
Возможности химии сегодня и завтра (1992) -- [ c.110 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте