Микроэлектронные устройства

Особый интерес проявляется в последние годы к твердой поверхности. Это- связано как. с огромным значением процессов, протекающих в поверхностных слоях, для катализа, коррозии, адгезии, трения и др., так и с развитием электроники (микроэлектронные устройства,, микроминиатюризация). [c.246]

Пленки высокоупорядоченного углерода С-60 можно легко наращивать на кристаллических подложках, таких как арсенид галлия. Это свойство открывает возможность использования таких пленок в производстве микроэлектронных устройств, [c.14]

Проводятся также исследования по взаимодействию лазерного излучения с полупроводниковыми материалами. В частности, изучаются процессы локальной лазерно- стимулированной диффузии и вжигания металлических контактов в пластины кремния. Разработки могут найти применение в производстве микроэлектронных устройств. [c.158]

Те же материалы помогают поддержать нужную температуру во многих электронных и микроэлектронных устройствах. [c.65]

Следует отметить, что в последние годы особое развитие получили работы в области исследования твердой поверхности. Это связано как с огромным значением явлений, протекающих в поверхностных слоях, для катализа, коррозии, адгезии, трения и других практически важных процессов, так и с развитием электроники (микроэлектронные устройства, микроминиатюризация). [c.289]

Промышленность выпускает также фольгированный стеклопластик, который применяют для изготовления печатных плат и микроэлектронных устройств. [c.292]

В качестве основного недостатка процессов ALD следует отметить низкие скорости осаждения, что ограничивает их промышленное применение осаждением пленок толщиной до 50 нм. Однако по мере повышения степени интеграции ИМС, а следовательно, уменьшения размеров элементов, толщин функциональных слоев и увеличения аспектного отношения топологического рельефа роль процессов ALD в КМОП планарной технологии производства микросхем будет возрастать. Не подлежит сомнению, что процессы ALD будут вне конкуренции для изготовления ИМС и других микроэлектронных устройств по трехмерной нанотехнологии. [c.104]

Современные достижения в области защиты окружающей среды, химических методов диагностики болезней, исследования космоса и производства пластмасс и микроэлектронных устройств непосредственно связаны с разработкой методов микроанализа [21. Уже опубликован ряд интересных монографий [3, 198—200] и обзоров [201, 202], в которых рассматриваются применяемые в настоящее время методы определения микроколичеств различных соединений и элементов. [c.359]

Проведение электрохимических окислительно-восстановительных реакций в растворе с участием медиаторов-не единственная область применения модифицированных электродов. Представляет интерес также их использование для контроля вывода лекарств, конструирования ионных затворов и микроэлектронных устройств [76]. [c.180]

Традиционная информационная технология (существовавшая до развития теории ИИ, создания микроэлектронных устройств, мощных быстродействующих ЭВМ, персональных ЭВМ и вычислительных сетей) при использовании ЭВМ непрограммирующим ЛПР (конечным пользователем — специалистом данной ПО) требует либо непосредственного участия ряда помощников—посредников (математиков, алгоритмистов и программистов), либо обучения ЛПР принципиально новым знаниям (в области математики, программирования и вычислительной техники), не свойственным его [c.26]

Применение. Осн. применение мономерных К.с.-синтез кремнийорг. полимеров. Моно- и дифункциональные К.с. используют в произ-ве кремнийорганических жидкостей-, дифункциональные-при получении кремнийорганических каучуков ди-, три-, тетра- и полифуикциональные - в произ-ве смол и лаков. К.с. применяют также в качестве гидрофобизаторов, антиадгезивов, аппретов для стекловолокна, текстильных и строительных материалов, наполнителей пластмасс, для модифицирования пов-стей сорбентов и др. материалов получения покрытий для микроэлектронных устройств, спец. керамики в качестве исходного сырья в сннтезе катализаторов полимеризации олефинов, пестицидов, лек. ср-в н т.д., как сшивающие и модифицирующие агенты для разл. полимеров, в качестве теплоносителей (до 400 °С) тетраметилсилан-эталонное в-во в спектроскопии ЯМР. [c.516]

Пленки высокоупорядоченного углерода Сбо можно легко наращивать на кристаллических подложках, таких как арсенид галлия. Это свойство открывает возможность использования таких пленок в производстве микроэлектронных устройств. Можно получать также пленки сверхпроводящего соединения СбоКз с исключительно регулярной структурой. Установлено, что поверхность раздела между кристаллической пленкой Сбо И материалом СбоКз очень [c.152]

Рис. 10.2-16. ОЭС Анализ тонкопленочной структуры микроэлектронного устройства методом ОЭС и поперечного среза этой структуры методом ПЭМ. а—ПЭМ-фотография системы слоев до отжига, на которой видна последовательность слоев сверху вниз) приблизительно 20 слоев Та и 20 слоев 81 толщиной 5 нм каждый, полученные распылением, слой поликристаллического кремния 275 нм толщиной, слой 8102 толщиной около 50 нм, кремниевая подложка б — ПЭМ-фотография образца после отжига при 900° С, на которой видны образовавшиеся новые слои (сверху вниз) поликристаллический силицид тантала толщиной около 200 нм, слой поликристаллического кремния толщиной около 250 нм, слой 810г толщиной около 50 нм, кремниевая подложка в — количественное распределение по глубине, полученное методом ЭОС, кислорода, кремния и тантала, свидетельствующее о формировании слоя оксида кремния на поверхности стехиометрического Та812 [10.2-4].

В частности, термоэлектрогенераторы, в которых использованы теллуриды висмута, свинца и сурьмы, дают энергию искусственным спутникам Земли, навигационнометеорологическим установкам, устройствам катодной защиты магистральных трубопроводов. Те же материалы помогают поддержать нужную температуру во многих электронных и микроэлектронных устройствах. [c.19]

Если применять традиционные информационные технологии (существовавшие до развития теории искусственного интеллекта, создания микроэлектронных устройств, мощных быстродействующих ЭВМ, персональных ЭВМ и вычислительных сетей), то при использовании ЭВМ специалистом данной предметной области необходимы помощники-посредники (математики, алгоритмисты и программисты), либо он должен получить принципиально новые знания (в области математики, программирования и вычислительной техники), не свойственные его специальности. [c.146]