Сложный фотокатод

Каждый тип фотокатода имеет свою спектральную чувствительность. Есть фотокатоды (и соответствующие приемники, например ФЭУ), чувствительные в узкой спектральной области. Более сложные фотокатоды, состоящие из композиции нескольких металлов и их оксидов, чувствительны в широкой области спектра, [c.26]

Основная область применения окисей — электротехника [68]. Окисн цезия и рубидия, используемые в сложных фотокатодах в виде тонких пленок, образуются непосредственно в вакуумном приемнике излучения путем восстановления особо чистых хрома-тов рубидия и цезия при 700—800° С алюминием, кремнием или цирконием [34]. [c.84]

Н. С. Хлебников, ЖТФ, 16, 745 —770 (1946), Сложные фотокатоды. [c.754]

Н. С. Хлебников, Изв. АН СССР, сер. физич., 8, 286 (1944). Сложные фотокатоды. [c.757]

Здесь ф — работа выхода электронов из катода в электрон-вольтах. Граница фотоэффекта связана с чисто поверхностными явлениями и поэтому зависит от степени чистоты поверхности и даже в некоторой степени от характера ее обработки. Зависимостью ф от состояния поверхности широко пользуются для смещения в длинноволновую сторону красной границы фотоэффекта. С этой целью изготавливаются сложные фотокатоды, поверхность которых соответственным образом обработана покрыта тонким слоем интерметаллических соединений, окислов и т. п. [c.311]

Фотокатоды обладают большой селективностью, а также достаточно высоким квантовым выходом. Эффективно может быть использовано до 1/3 падающих фотонов. Большим квантовым выходом, по сравнению с чистыми металлами, обладают сложные фотокатоды. Они обычно и применяются в фотоэлектрических приемниках излучения. [c.312]

Теории фотоэффекта со сложных катодов. Слои окиси цезия с избыточным содернганием цезия и с наличием атомов серебра в кислородно-цезиевых фотоэлементах, равно как и слой Sb s j в сурьмяно-цезиевых, являются примесными полупроводниками. Избыточные атомы цезия вызывают появление местных энергетических уровней, увеличивающих электропроводность и эмиссионную способность катодов, а также образуют на поверхности катода облегчающий эмиссию одноатомный слой. Поэтому в настоящее время вполне естественно искать объяснения специфических свойств сложных фотокатодов, и в частности их большой чувствительности, исходя пз зональной теории полупроводников. Как уже было подчёркнуто в предыдущей главе при объяснении явлений, имеющих место в оксидных катодах, в настоящее время ещё не создано впо.чне разработанной теории термоэ.чектронной эмиссии из полупроводников. В ещё большей мере это справедливо для фотоэлектронной эмиссии. Однако некоторые положения здесь [c.76]

Согласно Дебуру, а также П. В. Тимофееву, развившему эту теорию далее, фотоэффект со сложных катодов обусловливается не выходом из катода электронов, поглотивших энергию светового кванта, а фотоионизацией атомов цезия, адсорбированных иа сравнительно толстом слое окиси цезия. Положение границы фотоэффекта и чувствительность сложного фотокатода зависят oi строения поверхности слоя окисла, от числа имеющихся на поверхности активных точек и от напряжённости молекулярного поля в этих точках. Электроны, эмиттируемые при фотоионизации адсорбированных атомов цезия, возмещаются за счёт электронов, приходящих из серебряной подкладки через промежуточный слой окисла. Поэтому на чувствительность сложного фотокатода влияет величина электропроводности промежуточного слоя. Электропроводность слоя в свою очередь зависит от состояния этого слоя, т. е. от наличия в нём посторонних и избыточных атомов. [c.78]

В современных типах фотоэлементов наибольшее распространение получили сложные фотокатоды, такие как сурьмяноцезиевый, серебрянокислородноцезиевый, мультищелочной и т. д. Тип фотокатода определяет спектральную характеристику фотоэлемента (табл. 37). [c.185]

Явление утомления и возможнсють избежать этого утомления соответствующей обработкой катода, основанной на теории Дебура, можно считать подтверждением теории. Однако успехи, достигнутые при объяснении ряда физических явлений (фосфоресценция, эмиссия оксидных катодов, выпрямляющее действие контактов металл — полупроводник и др.), а также трудности, встретившиеся на пути приложения теории Дебура к сурьмяноцезиевым фотокатодам, заставляют пересмотреть теорию сложных фотокатодов с точки зрения условий эмиссии электронов из полупроводников. Наметка теории, следующей по этому пути, дана Н. С. Хлебниковым [372]. [c.171]

Для чистых металлов фо лежит в пределах 1,9 эв (Сз) — 5,3 эв (Р1). Отсюда для красной границы получаем значения 6550 А (Сз) — 2360 А (Р1). Таким образом, выбирая металл с подходящим значением работы выхода, можно иметь фотокатоды, нечувствительные к длинноволновому излучению, например к видимой области спектра. С другой стороны, часто бывает важно продвинуться в длинноволновую часть спектра дальше 6550 А. С этой целью были разработаны сложные фотокатоды, у которых работа выхода меньше. У кислородноцезиевых фотокатодов красная граница может быть доведена до 14 000 А. Примеры кривых спектральной чувствительности фотокатодов сложного типа даны на рис. 92. [c.106]

Импульсное освещение сложных фотокатодов с полупроводниковыми промежуточными слоями. Исслед. фотокатоды типа Ag — saO — s. [c.87]

Независи1Цо от изложенного ранее хода развития представлении о механ ме эмиссии оксишсого катода была предложена гипотеза, вытекающая из явлений, наблюдаемых в сложных фотокатодах, примером которых является катод цезиевого фотоэлемента. Он состоит, в основном, из находящегося на серебря- явй подложке компактного слоя окиси цезия, на внешней по-. Вёрхнскти которого адсорбированы атомы илц ионы цезия, фотоэлектронная эмиссия с такого катода была объяснена Де Буром ) с помощью кривых распределения потенциалов (рис. 149), аналогичных кривым для металлических катодов с посторонним покрытием < 7), [c.326]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология