Температурная компенсация отрицательная

Сопротивление с отрицательным температурным коэффициентом используют для компенсации колебаний температуры и для стабилизации тока [c.442]

Как и следовало ожидать, учитывая малую структурную чувствительность изменений свободной энергии Гиббса [64], Д 7 ,.о имеют небольшие по абсолютной величине отрицательные значения, которые мало зависят от температуры и природы благородного газа. Отрицательный знак ДСн в указывает на то, что действительно распределение атомов газа по участкам наиболее упорядоченной структуры сопровождается выигрышем свободной энергии. Зависимость ДСрс от содержания дейтерия в воде выражается практически прямыми линиями вследствие взаимной компенсации энтальпийного и энтропийного вкладов в ДСрс. Следует лишь отметить, что при увеличении температуры Дб н- о возрастает, приобретая в некоторых случаях положительные значения. При этом влияние изотопного состава на ДСн->в ослабевает. Такое поведение ДСн->о подтверждает сделанный в работах [26, 65, 66] вывод о более быстром темпе температурного разрушения структуры тяжелой воды по сравнению с обычной, что является, в частности, причиной уменьшения изотопного эффекта в величине растворимости газов при увеличении температуры [26]. [c.128]

Катушки индуктивности обладают положительным температурным коэффициентом индуктивности (ТКИ). При повышении температуры окружающей среды индуктивность катушки будет возрастать, что приведет к уменьшению частоты контура. Если в такой контур включить конденсатор с отрицательным ТКЕ, то вследствие уменьшения его емкости при повышении температуры частота контура увеличится и при соответствующем подборе может быть достигнута полная компенсация изменения индуктивности.—Яриж. ред. [c.27]

При расчете температурной компенсации необходимо учитывать, что каломельный электрод имеет отрицательный температурный коэффициент, т. е. его э. д. с. с повышением температуры умень-32 [c.499]

Полупроводниковые микросхемы нуждаются в температурной компенсации, для чего используют отрицательную обратную связь. [c.171]

В производственных условиях. В данном случае более целесообразна разработка системы автоматической компенсации изменений температуры контролируемой среды. Как было показано выше, зависимости о=/(Г) и С=/(Г) обратны по знаку. Следовательно, первой задачей термокомпенсации является получение зависимости выходного сигнала прибора У ых= Т), аналогичной по знаку зависимости С= Т). Это достигается включением в измерительную схему терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом. [c.205]

Выключатель В ставится в положение вкл. , чем подастся ток на трансформатор прибора. При включении сети должна загореться контрольная лампочка Л. От трансформатора ток подается на кенотрон Л- , питающий весь прибор, и на накал нити ламп усилителя. Выпрямленный ток стабилизируется стабивольтом Л и через ряд сопротивлений подается на блок лампового усилителя, представляющего мостовую схему с двумя радиолампами, в диагональ которой включен гальванометр, регистрирующий разность анодных токов этих ламп. Настройку прибора следует проводить после прогрева ламп усилителя, что наступает через 5— 10 минут после включения прибора в цепь. Перед настройкой устанавливают компенсатор температур на температуру опыта. Ставят ключ в положение Р, благодаря чему в цепь потенциометрического блока включается питающая батарея Б, ключ Ь, ставят в положение pH или - -мв, когда при измерении потенциалов каломельный полуэлемент играет роль отрицательного электрода, или —мв, когда при измерении потенциалов каломельный полуэлемент играет роль положительного электрода. После этого настраивают блок усилителя при помощи реостата вращением ручки которого приводят стрелку гальванометра к нулю. Пе -реключают ключ 0 в положение НЭ и при помощи реостата устанавливают стрелку гальванометра на нуль. При обратном переключении ключа в положение Р стрелка гальванометра не должна отходить от нулевого положения если стрелка отходит, то регулировку повторяют. Во время настройки лампового усилителя кнопка к реохорда должна быть свободна — подключена к земле. После всех этих операций прибор готов к измерениям. При измерениях на сетку лампы подается дополнительная разность потенциалов от измеряемых электродов, что вызывает нарушение установленного равновесия. Нарушенное равновесие компенсируется реостатом при включенной кнопке К- Компенсация проводится до достижения стрелкой гальванометра нулевого положения. При этом отсчет по шкале прибора проводится сразу в сотых pH или милливольтах 1 деление шкалы равно 10 мв или 0,1 pH. Остальные сопротивления, приведенные на схеме, служат для юстировки прибора, подгонки температурной компенсации, подбора падения напряжения от батареи Б. Все эти сопротивления подбираются на заводе и в процессе работы не изменяются. Прибор тщательно экранируется, подключение к электродам производится специальными экранированными проводами. [c.347]

В вольтаметрических мембранных зондах внешнее напряжение приложено к большому неполяризуемому электроду сравнения (каломельному или Ар — АдаО) и стационарному платиновому микроэлектроду. Второй электрод, на котором происходит восстановление кислорода, на несколько десятых вольт более отрицательный, чем первый. Гальванический мембранный зонд отличается от вольтаметрического тем, что гальваническая электродная система создает собственную разность потенциалов и, следовательно, не требует внешнего источника напряжения. В частности, кислород, будучи объектом исследования, является в то же время участником реакции, протекающей на одном из электродов, и, таким образом, гальваническая система становится источником энергии зонда. В силу того что в обоих типах восстановление кислорода происходит на катодной поверхности, создается градиент концентрации, приводящий к диффузии растворенного кислорода через мембрану в направлении катода. При заданном напряжении увеличение диффузионного тока целиком ограничено скоростью диффузии кислорода. В этот момент катодный ток прямо пропорционален активности кислорода в растворе. Его можно измерить либо подключением последовательно с катодом переменного сопротивления, усиленное падение напряжения на котором регистрируется вольтметром, либо непосредственным подключением в катодную цепь гальванометра или амперметра, обладающего низким сопротивлением. Для увеличения точности измерений и их воспроизводимости осуществляют температурную компенсацию. [c.302]

Посадки с гарантировапным зазором применяются для компенсации температурных деформаций, обеспечения быстрой и легкой сборки и разборки даже при наличии коррозии, загрязнения или небольших повреждений, для повышения усталостной прочности, а также когда резьба имеет антикоррозио 1ные покрытия. Допуски метрических резьб с гарантированным зазором определяются ГОСТом 10191—62. Для резьбы болта устанавливаются три нормы отрицательных верхних отклонений Д (движения), Л (легкоходовая), Ш (широкоходовая). Для резьбы гайки устанавливается одна норма положительных нижних отклонений X (ходовая). [c.24]

Если необходимо обеспечить почти полное устранение температурного дрейфа, применяют более сложные схемы термокомпенсации, сущность которой заключается во в1ведении в схему каскада некоторого термочувствительного элемента. Величина сопротивления последнего под действием температуры должна изменяться таким образом, чтобы произошла полная компенсация тепловой составляющей коллекторного тока. В ряде случаев роль такого термозависимого сопротивления выполняет полупроводниковый диод, включенный в непроводящем на-Оравлении. С повышением температуры обратное сопротивление диода снижается. Иногда в качестве термокомпенсирующего элемента целесообразно применять полупроводниковое сопротивление с отрицательным температурным коэффициентом — термистор. Применение термокомпенсирующих элементов предусматривает индивидуальный подбор их для схемы конкретного усилителя. Это затрудняет взаимозаменяемость элементов схемы. Поэтому в многокаскадных усилителях используют полупроводниковые балансовые каскады, где дрейфовые токи в двух усилительных каналах одинаковы по величине и противоположны по направлению (относительно выхода схемы). [c.67]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология