Замещение элементов

Модель обновления поверхности контакта фаз. В данном случае принимается, что у поверхности контакта фаз (например, системы газ — жидкость) периодически происходит замещение элементов жидкости, находящихся в контакте с газом, жидкостью из глубинных слоев с составом, равным составу основной массы [И]. Пока элемент жидкости находится у поверхности контакта, массоотдача в глубь этого элемента проходит при таких условиях, как если бы он был неподвижен и имел бесконечную глубину, в этих условиях скорость массоотдачи является функцией времени экспозиции элемента. Время контакта определяется гидродинамической обстановкой и является единственным параметром [c.152]

V-1-3. Модели обновления поверхности. В этих моделях в качестве основы принимается замещение элементов жидкости у поверхности, происходящее через некоторые промежутки времени, жидкостью из глубинных слоев, которая имеет локальный состав, отвечающий среднему составу основной массы. Пока элемент жидкости находится у поверхности и соприкасается с газом, абсорбция газа жидкостью, т. е. проникновение, или пенетрация, вглубь этого элемента проходит при таких условиях, как если бы он был неподвижен и имел бесконечную глубину . При этом скорость абсорбции R является функцией времени экспозиции элемента и будет определяться выражением, аналогичным полученному в главе III. В целом эта скорость вначале велика, или равна бесконечности, и уменьшается со временем. [c.103]

Предположение модели Хигби об одинаковом времени соприкосновения с газом всех элементов поверхности жидкости выглядит не очень реальным. Поэтому в модели Данквертса принят иной характер распределения предполагается, что вероятность замещения элемента поверхности свежей жидкостью не зависит от продолжительности его контакта с газом. Это приводит к стационарному распределению поверхностных возрастов , при котором доля поверхности, соответствующая в любой данный момент времени экспозиции [c.104]

V группы (Р, Bi) усиливается электронная проводимость, при замещении элементами III группы (А1, В) — дырочная. [c.137]

Для количественного сравнения чувствительности многозвенных ячеек на рис. 101 приведены их схематические конструкции при замещении элементов цепочки три С-параллель. Сравнивается [c.150]

Из табл. 19 видно, что расположение примесных уровней в запрещенной зоне зависит от положения элемента в периодической системе. Например, в твердых растворах замещения элементы 1ПА-подгруппы являются одиночными акцепторами, а элементы УА-подгруппы — одиночными донорами. Литий может только внедряться в кристаллические решетки германия и кремния и создавать донорные уровни. Энергия активации примесных [c.304]

Рис. 4.9. Расчетный элемент сердечника статора с обмоткой (а) и тепловая схема замещения элемента сердечника (б).

Однако определение изотопного эффекта при нуклеофильном замещении в ароматическом ряду — очень трудная задача. В данном случае мы имеем д ело не с замещением водорода, изотопы которого в 2—3 раза различаются по массе, а с замещением элементов типа хлора, изотопы которого отличаются по массе незначительно и, следовательно, столь же мало различаются по легкости разрыва связей. [c.799]

По данным химической устойчивости природных амфиболовых асбестов, основными катионами изученных амфиболов являются магний, железо, кальций и натрий. Изучение поведения в агрессивных средах синтетических амфиболовых асбестов с различными изоморфными замещениями элементов в катионной и в анионной частях может дать более полную информацию зависимости химической устойчивости от состава амфибола. Поэтому авторы [28] исследовали химическую устойчивость синтетических амфиболов с различными катионами в положении Х(Ыа+, [c.134]

Если замещение происходит в соотнощении эквивалент на эквивалент, то соединение после такого замещения сохраняет свой химический тип, а элемент или группа, вновь вступившие в соединение, играют в нем такую же роль, какую играл замещенный элемент. [c.51]

Ряды изоморфного замещения элементов [c.320]

Решение дается (8.40) 1Л и Е —не что иное, как 5, где произведено изоморфное замещение элементов (ср. 5 и рядом 1Л в (8.45)) с образованием прямого детерминанта [c.388]

Изоморфное замещение структурных действий. Структурные действия не следует смешивать с обычными или матричными. Структурные действия — это операции над объектами. Структурное действие можно изоморфно заместить на матричное и, далее, следующая ступень замещения —на обычное действие. Знаки при этом сохраняют свое начертание подобно тому, как знак + в химическом уравнении, означающий реагирует с... , изоморфно замещается на арифметический знак плюс при расчете молекулярных весов. Аналогично и элементы изоморфно замещаются на величины, как это было показано в [307]. Только после того, как произведено замещение элементов, можно производить матричные или обыкновенные действия над выражениями типа (8.142) или (8.144). [c.436]

Для замещения элементов трубчатых костей исследовались композиты на основе полиаминокислот [30]. [c.126]

Анализ состояния проблемы замещения элементов костной системы и суставных соединений (рис. 3.14) позволяет предположить, что основными направлениями, по которым будет идти дальнейшее развитие данной области, с точки зрения разработки новых материалов, являются [c.156]

Описаны успешные примеры применения силиконовых резин и гелей при замещении элементов мочевой системы [47-52]. [c.238]

Замещение — замещение элемента в соединении свободным элементом с образованием нового соединения и другого элемента в свободном состоянии. Пример реакция металлического цинка с соляной кислотой, в результате которой цинк вытесняет водород кислоты и образуются хлорид цинка и газообразный водород 7-п + 2Н+С1- — гп2+С1а- -Нг. [c.82]

Пусть к = к — число отказавших элементов в момент времени t. Изменение величины к во времени описывается стандартной схемой марковского однородного процесса с непрерывным временем и конечным множеством состояний. Интенсивность перехода из состояния кв к - пропорциональна параметру к и равна + Я. Интенсивность перехода из состояния квк —1 пропорциональна параметру у, и равна (х. Коэффициенты а , Рь определяются конкретным режимом восстановления и замещения элементов. Например, в схеме предьщущего пункта аи = п — к, = k. [c.395]

На замещение элементов также влияют специфические свойства химической связи, однако, прежде чем перейти к этому вопросу, необходимо более подробно осветить влияние ионного размера и заряда. [c.131]

В основу метода положена концепция замещения реальных компонентов вакуумной системы некоторыми эквивалентами простейшей формы, имеющими интегральные характеристики, отражающие газокинетические свойства данного компонента. Обычно в качестве эквивалентов используют плоские поверхности, являющиеся фактически граничными сечениями заменяемых элементов. Нужно отметить, что часто используется последовательное замещение с уменьшением уровня детализации. Например, сложный элемент насоса заменяется эквивалентной поверхностью, имеющей газокинетические характеристики данного элемента. После этого анализируются характеристики насоса в подобной упрощенной конфигурации. Далее сам насос может быть заменен эквивалентной поверхностью, если анализируемая вакуумная система геометрически более сложная и т. д. Следовательно, возможно проведение последовательных замещений с уменьшением уровня детализации. Такой подход не влечет существенного снижения достоверности полученных результатов, если речь идет об интегральных характеристиках системы. Если же речь идет о получении полей распределенных дифференциальных характеристик, то применение подобной схемы нежелательно, поскольку обычно эквивалентная поверхность отражает лишь интегральные характеристики замещенного элемента, а ее дифференциальные параметры принимаются так же, как у всех простых поверхностей, составляющих систему. [c.78]

В таблице видно, что расположение примесных уровней в запретной зоне зависит от положения элемента в периодической системе. Например, в твердых растворах замещения элементы ГПА подгруппы явля- [c.245]

На схеме каждая из неповрежденных фаз В и С всех линий представлены в виде П - образной схемы замещения, элементы которой R-3, Ьэ, Сэ находятся путем объединения по правилам параллельного сложения элементов соответствующих фаз всех линий сети. Аналогично поврежденная фаза (фаза А) всех неповрежденных линий представлена в виде эквивалентной П - образной схемы замещения с элементами Rh.i, Ьнл, Снл- Поврежденная фаза поврежденной линии представлена двумя П -образными схемами замещения до места повреждения с элементами R , Lk, Ск и за местом повреждения с элементами R , L , С , где R =RirRK Ь =Ьл-Ьк С =Сд-Ск [c.68]

Диагональная аналогия, обусловленная изоморфным замещением элементов, распространена знач1 гельно шире. Так как возможность изоморфного замещения объясняется преимущественно размерным фактором, особенно при замещении катионообразователей, то причиной этого вида диагональной аналогии является лишь малое различие атомных радиусов. Так, можно отметить близость орбитальных радиусов в диагональной паре Ма — Са, что проявляется в широком изоморгфизме этих элементов в силикатных и сложных оксидных системах. В то же время о глубокой химической аналогии между ними говорить нельзя, так как их силовые характеристики сильно различаются. Такие диагональные пары, аналогия между которыми проявляется в изоморфизме, достаточно многочисленны 8с — 2г, Т1 — МЬ, V — Мо, Си — С<1, Ag — Hg. Этот вид диагональной аналогии можно назвать прямой или нисходящей (от более легкого элемента вниз и [c.238]

В этих минералах церий не замещает алюминий, как это ранее предполагалось, а замещает кальций. То же правило соблюдается в титаните, где кальций может быть замещен элементами иттрие-вой группы . [c.61]

Замещение элементом В элемента X как метод изменения состава бертоллида, хотя и известно для интерметаллических соединений, не встречается для двойных халькогенидов, имеющих структуры В8, [c.188]

Локальные уровни, находящиеся в запрещенной зоне, расположены между разрешенной (незаполненной) валентной и возбужденной зонами, поэтому для перевода электронов с локальных уровней в зону проводимости требуется меньшая затрата энергии. Например, присутствие в кристалле кремния примесных атомов замещения элементов V группы периодической системы (Р, Аз, 8Ь), имеющих пять валентных электронов, приводит к тому, что четыре из них заполняют валентные связи, а пятый оказывается лишним . Этот электрон будет находиться на локальном энергетическом уровне. Энергия, необходимая для перехода электрона с локального уровня в зону проводимости, меньше, чем энергия перехода электрона из валентной зоны. Локальные уровни, с которых совершается переход электронов в зону проводимости, называются донорныш, а дефекты, вызывающие появление таких уровней, — донорами. При невысоких температурах концентрация электронов, поставляемых примесными атомами в зону проводимости, значительно превосходит концентрацию собственных носителей, и проводимость полупроводника определяется примесными носителями (примесная проводимость). При наличии в кристалле доноров электронов кристалл имеет электронную проводимость и является полупроводником п-типа. Некоторые окислы металлов, в решетке которых существуют вакансии катионов (нестехиометрическне соединения), тоже ведут себя как полупроводники /г-типа. [c.456]

Легко видеть, что в общем случае ВАфАВ. Знаки, не изменяясь, получают тогда не структурный, а обыкновенный смысл. Следует подчеркнуть, что, как и в случае изоморфного замещения элементов, эта возможность зависит от условий данной частной задачи. Только после того, как эти преобразования (или замещения) выполнены, можно производить самые обыкновенные действия. Примеры такого замещения даны ниже сложение — (8.32), (8.44) умножение — (8.27), (8.41), (8.66), (8.67). [c.376]

Ф. к. д. осуществляет замещение элементов гидроксильной группы на хлор в азотсодержащих гетероциклах при этом наиболее легко замещается кислород в а- или у-положении по отношению к атому азота цикла [1. Например, барбитуровая кислота гладко превращается в 2,4,6-трихлорпиримидин. Ранее использовалась смесь хлорокиси фосфора (PO U) и пятихлористого фосфора, однако низкая температура кипения первого из реагентов (107°) О С1 [c.59]

Известные материалы, используемые при замещении элементов сердечно-сосудистой системы, не полностью удовлетворяют предъявляемым требованиям с точки зрения оптимальности сочетания физико-механических характеристик, заданного отношения к биодеградации и уровня тромборезистентности. [c.74]

Сходство и различие биологического действия связано с электронным строением атомов и ионов. Близкие значения атомных и ионных радиусов, энергий ионизации, координационных чисел, склонность к образованию связей с одними и теми же элементами в молекулах биолигандов обусловливает эффекты замещения элементов в биологических системах. Такое замещение ионов может происходить как с усилением (синергизм), так и с угнетением активности (антагонизм) замещаемого элемента. [c.217]

Рассматривая портландцемент, мы затронули и другие неорганические вяжуш,ие веш,ества, получаемые на основе полисилоксанов и полиалюмисилоксанов и окиси кальция. Логичность такого рассмотрения понятна. Ведь портландцемент не является каким-то исключительным силикатным вяжущим веществом, и глубоко понять его химические превращения возможно только в сравнении с родственными вяжущими веществами [424]. Прежде чем перейти к рассмотрению всех силикатных вяжущих, следует отметить, что кремний в цементе может быть замещен элементом из его же подгруппы — германием. Химическое поведение этих элементов во многом подобно. Титан, находящийся в этой же группе элементов периодической системы ]У1енделеева, но в другой подгруппе, вмёсто кремния не может быть использован [426]. [c.171]

Предполагается, что в тетраэдрической сетке степень замещения кремния на алюминий составляет около 15%. В октаэдрической же сетке замещение может быть даже полным. Следует также подчеркнуть, что вследствие замещения элементов одной валентности на элементы с другой валентностью, например АР+ на Мд2+, 51 + на АР+, кристаллическая решетка монтмориллонита всегда неуравновешенна, что вызывает необходимость компенсации зарядов за счет внутренних перераспределений элементов в решетке и адсорбции извне, вызывающих новые замещения и отклонения состава от теоретической формулы. В результате детального изучения свойств сырья, содержащего монтмориллонит, установлено, что он представляет собой целую группу близких между собой индивидуальных минералов разного состава с общей формулой m[Mgз(Si040lo) (0Н)2]-р[Л1, Ре ")251040ю(0Н)2]-пН20 с отношением т р около 0,8—0,9. [c.19]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология