Проводимость темновая

Чувствительную область детектора, т. е. область, в которой существует электрическое поле, можно увеличить, приложив к переходу обратное смещение. Если к и-области присоединить плюс источника напряжения, а к /7-области — минус , то свободные заряды перемещаются в направлении от перехода. В результате чувствительный объем детектора увеличивается (рис. 6.2.7), а емкость перехода уменьшается. Темновой ток в этом случае обусловлен неосновными носителями заряда (электронами и дырками). Концентрация неосновных носителей может быть на несколько порядков меньше концентрации собственных носителей. Поэтому ток, обусловленный тепловой генерацией носителей в области р—и-перехода, оказывается на несколько порядков меньше тока той же природы в собственном полупроводнике. Почти полное отсутствие свободных носителей в обедненной области означает, что удельное сопротивление полупроводника в ней гораздо больше удельного сопротивления материала вне перехода. Ширину чувствительной области можно увеличить не только за счет приложенного обратного смещения, но и вводя между р- и и-областями полупроводник с собственной проводимостью. В этом случае образуется так называемая р—/— и-структура. [c.86]

Механизм фотопроводимости электронного полупроводника, например, окиси цинка, схематически можно представить как увеличение проводимости при освещении за счет оптической ионизации ионов (внутренний фотоэффект). Темновая проводимость окиси цинка определяется термической диссоциацией избыточных атомов цинка [c.246]

Наряду с темновыми и световыми измерениями контактной разности потенциалов на поверхности катализаторов методом вибрирующего конденсатора, а также с измерениями проводимости и внутреннего фотоэффекта, метод внешнего фотоэффекта на каталитических полупроводниках даст возможность изучать поведение хемосорбированных молекул. [c.223]

Для фотоэлектрич. свойств нек-рых П.п. характерны поляризационные явления, влияющие на кинетику возрастания и спадания фототока. Напр., если при освещении П. п. фотопроводимость превышает темповую проводимость на 3 порядка, исходное значение темновой проводимости после затемнения восстанавливается за несколько мин. В ряде случаев возможна активация фотопроводимости (увеличение ее на 2—3 порядка) под действием ультрафиолетового облучения. [c.70]

В кристаллическом счетчике (работа которого здесь не разбирается) при действии радиоактивных частиц или у-квантов образуются свободные вторичные электроны. При присоединении электродов к кристаллу и приложении напряжения облако вторичных электронов начинает двигаться в направлении положительного электрода, при этом отдельные электроны начнут улавливаться ловушками , изменяя общую проводимость кристалла. Смещение зарядов в кристалле приводит к появлению импульсов во внешней цепи, которые могут быть усилены и зарегистрированы. В качестве кристаллических счетчиков могут использоваться кристаллы, являющиеся хорошими изоляторами при комнатной температуре —алмаз, сернистый цинк, сернистый кадмий, сера, в то время как галогениды серебра и таллия, обладающие при комнатной температуре высокой темновой проводимостью, должны охлаждаться до низких температур. [c.192]

Размеры всех узких мест (сопротивления темновых реакций) при более высоких температурах они в меньшей степени лимитируют скорость процесса, так как проводимость этих узких мест примерно утраивается при каждом повышении температуры на 10° С. [c.203]

Из фотоэлектрических свойств кристаллов сульфида кадмия рассматривали темновую проводимость, спектральную чувствительность, кратность, инерционность и старение. [c.254]

Фотопроводимость красителей. Влияние температуры. Исследования фотопроводимости органических красителей как первые самостоятельные работы были опубликованы Вартаняном [451], Нельсоном [452], Ноддаком и сотрудниками [453—455) в начале 50-х годов. Однако возможность применения явления фотопроводимости красителей для решения вопросов фотообесцвечивания не очень велика. Изучение большого числа красителей различных классов указывает на то, что фотопроводимость красителей вызывается образованием и миграцией переносчиков электронного заряда, а не примесями продуктов фотохимического разложения. Подобие фотопроводимости органических и неорганических полупроводников наводит на мысль, что явление темновой и индуцированной светом проводимости красителей может объясняться таким же образом, как и в случае неорганических полупроводников. Детальное обсуждение этих явлений выходит за рамки данной главы (см. обзоры [6, 456—461]). Следует только напомнить, что темповая проводимость OD возрастает с температурой [c.435]

Из наклона соответствующих прямых зависимостей Ig ав или Ig Орл от 1/Г можно определить энергии активации темновой проводимости и фотопроводимости. В то время как Е- , по-видимому, связана с числом я-электронов в молекуле [464], т. е. со структурой органического соединения в,твердом состоянии, величина Ерн [порядка 19,3—57,9 кДж/моль (0,2—0,6 эВ)], вероятно, зависит от энергетической глубины захватывающих центров [6, 463, 465]. [c.436]

В случае поликристаллического С(18-Си, С1 причиной уменьшения темновой проводимости при отжиге (см., например [43]) могут быть также явления, рассмотренные в гл. V, 2. [c.199]

Переход от полупроводников к диэлектрикам. Величина ширины запрещенной зоны может позволить провести условную границу между полупроводниками и диэлектриками. Возбуждение изолированного атома с переходом электрона на вышележащий уровень может быть осуществлено с помощью кванта света подходящей величины (поглощение кванта). При обратном процессе имеет место выделение кванта той же величины. В твердом теле этот механизм столь же эффективен не только тепловая энергия, но и свет резко влияют на электропроводность полупроводников (и диэлектриков), почему и различаются, как известно, темновая и световая проводимости. Связь между АЕ и длиной волны света, квант которого отвечает этой АЕ, устанавливается выражением [c.330]

В частности, в области концентраций dO порядка 0,1 мол. % кривые зависимости состав — свойство имеют экстремумы. Так, кривая темновой проводимости имеет очень резкий минимум (изменение логарифма на 10 единиц ). Кривая отношений темпового и светового сопротивления SJS g имеет очень резкий максимум (изменение на 5 порядков ). На 5 мм смеш,ается край Я,рр полосы поглощения, образуя четкий минимум. Кривая зависимости периодов идентичности С при той же концентрации dO проходит через максимум (рис. VHI. 28— VHI.31). [c.575]

Прежде чем перейти к рассмотрению фотопроводимости, необходимо обсудить явление темновой проводимости, так как эти процессы являются родственными. Большинство органических соединений можно считать изоляторами. Однако разделение веществ на изоляторы или полупроводники в значительной мере условно и часто основано на чувствительности применяемой измерительной техники. Мы будем называть полупроводником твердое вещество, удельная электропроводность которого изменяется с температурой в соответствии с равенством [c.62]

Принято считать, что процесс миграции носителей заряда при фото- и темновой проводимости одинаков, хотя механизм возникновения зарядов может быть различным. [c.72]

Механизм тушащего действия молекул акцепторного типа О2 дан авторами исследований на базе энергетической диаграммы 2пО, представленной на рис. 4. Здесь Zn — избыточные атомы цинка, ответственные за темновую проводимость 2п+ — катионы цинка, ответственные за фотопроводимость и фотолюминесценцию. Акт люминесценции в случае пО объясняется [c.26]

Типичные К -полупроводники с шириной запрещенной зоны более 2 эВ и низким значением темновой проводимости. Их люминесценция обусловлена наличием активатора или дефекта решетки. Наиб, распространенные К.-сульфиды, селениды и теллуриды Zn и d, оксиды Са и Мп, оксисульфиды 1п и La (IhjGjS, LajOjS), галогениды щелочных металлов. Активаторами обычно служат ионы металлов (Си, Со, Мп, Ag, Eu и др.). [c.535]

Основным элементом в этой схеме является фото-управляемая полупроводниковая пластина 5, которая обладает малым темновым возмущением в неосвещенном состоянии ее парамефы не искажают поле в том месте, где находится эта пластина. Если эту пластину в какой-либо точке осветить световым пятном большой интенсивности, то в этом месте резко изменится проводимость материала пластины (коэффициент офажения, преломления и прохождения). [c.445]

Для того чтобы лучше понять принцип действия полупроводниковых фотоэлементов, вернемся к оиисанию механизмов дырочной и электронной проводимостей. Полупроводниковый материал, электрическая проводимость которого меняется при изменении освещенности, называют фотосопротивлением. Изменение электропроводности сопротивления связано с изменением концентрации носителей под воздействием освещения. Ранее всех из фотосопротивлений были изучены селеновые, которые однако не следует путать с современными фотосопротивлениями с внутренним фотоэффектом, содержащими селен. В настоящее время фотосопротивления изготавливаются в основном из таких материалов, как сульфиды и селениды кадмия и свинца. Темновое сопротивление типичного полупроводникового фотосопротивления составляет порядка нескольких тысяч мегом, тогда как ири среднем уровне освещенности оно не превышает нескольких тысяч ом. В табл. 22.1. приведены параметры фотоэлектрических приборов различных типов. [c.298]

В фотоэлектроколориметрах и спектрофотометрах используют, как правило, сурьмяно-цезиевые и кислородно-цезиевые фотоэлементы. Типичная спектральная характеристика сурьмяно-це-зиевого фотоэлемента приведена на рис. 1.10. Этот фотоэлемент высокочувствителен в коротковолновой, видимой и ультрафиолетовой областях спектра красная граница находится около 700 нм. Интегральная чувствительность сурьмяно-цезневого фотоэлемента достаточно велика- и составляет 100—200 мкА/лм. Утомление (потеря чувствительности при освещении) сурьмяно-цезиевых катодов невелико, но обратимо, и увеличивается с ростом мощности света. Чувствительность сурьмяно-цезиевых фотоэлементов до 50° С почти не зависит от температуры. Однако прп повышении температуры появляются так называемые темновые токи, вызванные термоэлектронной эмиссией катода и токами проводимости. В современных приборах с вакуумными фотоэлементами предусматриваются специальные устройства для устранения влияния темновых токов. [c.22]

Многие П.п. обладают высокой фотоэлектрич. чувствительностью, сочетающейся с низкой темновой проводимостью. Носители фототока могут иметь как положительный, так и отрицательный знак. Спектр фотопроводимости П. п. не всегда совпадает со спектром оптич. поглощения. В ряде случаев длинноволновый максимум фотопроводимости расположен на длинноволновом спаде кривой оптич. поглощения. Это явление объясняется поверхностной рекомбинацией фотоносителей. Спектр фото-эдс обычно сдвинут в коротковолновую область относительно спектра фотопроводимости. Значение термич. энергии активации фотопроводимости П. п. возрастает с ростом длины волны падающего светг . [c.70]

Объемная проводимость кристаллического донора или акцептора увеличивается при переходе к тонкому слою. Темновая проводимость тонкого слоя фталоцианина увеличивается максимально в 10 раз по сравнению с первоначальным значением по мере осаждения все увеличивающегося количества хлоранила на поверхность пленки [29] такие же большие изменения в проводимости происходят, когда виолантрен и другие полициклические ароматические углеводороды покрывают хлоранилом, тетрацианэтиленом или иодом [30]. Проводимость кристаллов антрацена значительно возрастает под действием паров иода при низком давлении [31]. Эти изменения воспроизводимы к обратимы. Удельное сопротивление кристалла хлоранила понижается также воспроизводимо и обратимо под действием паров алифатических аминов при давлениях ниже 100 мм рт. ст. и температурах ниже 50° (табл. 17) [32]. При введении в пары недо-норных соединений, таких, как иод или дпэтилхлорфосфат, сопротивление хлоранила увеличивается, а не понижается. [c.134]

Темновая проводимость, связанная с нанесением о-хлорани-ла на поверхность пленок фталоцианина и нанесением на пленки виолантрена акцепторов, например о-хлоранила или иода, сопровождается большим поглощением в ЭПР-спектрах [29, 30]. Вероятно, в результате взаимодействий на поверхности образуются однозарядные положительные ион-радикалы донора и однозарядные отрицательные ион-радикалы акцептора. [c.134]

Наблюдаемую темновую проводимость можно приписать миграции результирующего заряда (электронов к акцептору и положительного заряда к донору) в те слои компонента, где произошел захват. Фактически только положительные ионы ответственны в основном за проводимость, так как электроды в поверхностных ячейках, применяемых для измерений, отделены от слоя акцептора довольно толстой пленкой донора. При освещении видимым светом проводимость этих систем возрастает. В некоторых случаях эта повышающаяся проводимость сопровождается увеличением поглощения в ЭПР-спектре. В случае системы виолантрен — о-хлоранил увеличение проводимости и поглощения в ЭПР-спектре линейно зависит от интенсивности света (рис. 17). Иногда, особенно в случае системы фталоцианин — о-хлоранил, концентрация неспаренных спинов уменьшается при освещении, тогда как проводимость увеличивается. Путем освещения пленки фталоцианин — о-хлоранил между обкладками конденсатора установлено, что при индуцировании заряда фталоцианин заряжается положительно по отношению к о-хлоранилу. Кинетические исследования влияния освещения на эту систему показали, что увеличение проводимости и поляризации, а также уменьшение концентрации неспаренных спинов обязано одному и тому же процессу. Это объяснение состоит в том, что процесс переноса электрона, приводящий к темповой проводимости, описывается уравнением [c.135]

И больцманоБСкой темиературной зависимостью охр (—AEt kT). Увеличение проводимости с температурой продолжается до тех пор, пока остающееся число захваченных носителей уже не сможет поддерживать этот рост, после чего происходит возвращение к нормальному значению темнового тока. Часто наблюдается несколько максимумов, указывающих на существование различных уровней захвата. [c.307]

Ео(мма) детально. Наиболее вероятным, видимо, следует считать такой механизм, при котором избыточный носитель (электрон или дырка), мигрирующий в зоне проводимости или в валентной зоне, захватывается адсорбированной молекулой, а образовавшийся при этом ион-радикал рекомбинирует затем с носителем противоположного знака. В общем случае направление переноса электрона между молекулами адсорбата и решеткой определяется конкретным расположением уровней на зонной диаграмме. Типичные зонные диаграммы приведены на рис. 3.4. Уровни, образуемые адсорбатом на поверхности твердого тела, можно построить, пользуясь известными значениями потенщ1ала и0низащ1и I и энергии возбуждения Е молекулы, а также значением работы выхода электронов ф из твердого тела. Сначала следует определить положение уровня электронов в вакууме для чего надо отложить на зонной диаграмме от потолка ВЗ вверх величину ф. Значения ф для многих оксидных адсорбентов можно найти в справочниках [96]. Далее, разность Е — I даст нам уровень основного состояния Е , а величина Евах — I + -уровень первого возбужденного состояния ( 1). Направление переноса электронов будет определяться взаимным расположением уровней Е1 и Ферми (Р). Согласно распределению Ферми при Е <Р уровень адсорбированной молекулы с высокой вероятностью заполнен электроном в равновесных, т.е. темновых условиях. При Еу> ъ условиях электронного равновесия этот уровень будет свободен. Однако при освещении, когда в ЗП появляются избыточные носители, становится энергетически выгодным процесс их захвата на уровень Е с образованием анион-радикала. [c.52]

Поликсилилидены характеризуются очень высоким темновым сопротивлением при комнатной температуре. Энергия активации темновой проводимости Ео в соответствии с уравнением [c.184]

Пирроны обладают фотополупроводниковыми свойствами. Максимальная чувствительность пиррона на основе пиромеллитового диангидрида и диаминобензидина проявляется при толщине пленки 0,610 мкм, а на основе диангидрида бензофенонтетракарбоновой кислоты и диаминобензидина — 0,55 мкм [11]. Отношение фототок темновой ток составляет 300. В интервале 10 —10 В/см существует линейная зависимость фототока от напряжения. Проводимость пирронов, инициированная электронным потоком, изучена в [43]. [c.1028]

Темновая проводимость всех кристаллов находилась в последней, неточной области измерений (lO Q) тераомметра Е б—3, чем обусловлена неточность данных. Темновую проводимость из.меряли при силе электрического поля 150 в/сл, после того как кристалл был в темноте от Д до 7г часа. В течение этого времени электрическое сопротивление кристаллов оставалось более-менее постоянным. Нашли, что темновая проводимость была в области 20—100 фемтосименсов. [c.254]

Заметное снижение яркости люминесценции и уменьшение электропроводимости под действием электроотрицательных адсор-батов происходит и у люминофоров на основе сульфидов цинка и кадмия, например у ZnS- l-фосфора и у dS. Этот эффект играет особенно существенную роль в случае мелкозернистых люминофоров, размер зерен которых, не превышающий нескольких микрон, сопоставим с длиной экранирования. Введение донорных примесей (например, d b) в dS позволяет, по крайней мере частично, скомпенсировать акцепторное действие созданных адсорбированными молекулами кислорода поверхностных уровней и увеличить благодаря этому темновую проводимость и фотопроводимость (сравн. [102]). С другой стороны, при получении фотопроводников адсорбция кислорода может играть и положительную роль, если повышенная по тем или иным причинам проводимость поверхностного слоя препятствует обнаружению объемной фотопроводимости кристаллов. [c.141]

Из полимерных полупроводников выделяется пoли-N-винилкapбaзoл, обладающий фотопроводимостью. Этот материал уже широко используется в электронографии для печати. Полимерные фотопроводники обладают рядом особенностей 1) высокое сопротивление и слабый темновой ток 2) хорошие объемные характеристики и отрицательные поверхностные эффекты, связанные с рп-переходами 3) хорошая фор-муемость 4) высокая прозрачность и т. д. Обычно на электростатически заряженную поверхность фотопроводника экспонируют изображение, в результате чего заряд на облученных участках исчезает. Такой метод получения изображения близок к электронографическому. В то же время наличие ри-переходов с высоким темновым сопротивлением мешает использованию указанных материалов в выпрямительных устройствах и фотоэлементах. В распространенных полимерах типа виниловых (со слабым взаимодействием между боковыми цепями) легко осуществляются перескоки электронов (или дырок). При такой высокой мобильности носителей трудно достигнуть достаточно высокой проводимости. В целом можно сказать, что проблема создания высокоэффективных фотопроводящих и токопроводящих материалов требует поиска принципиально новых решений. [c.137]

ТОЧКИ темновой проводимости, О точки световой проводимости.-----кривая для темновой проводимости с резким минимумом При 0,1 мол, % dOj [c.575]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология