Центры захвата молекулярные

Необходимо отметить, что обнаруженная в настоящей работе стабилизация электронов на глубоких ловушках свидетельствует о том, что рекомбинация ионов при разогреве облученного образца будет определяться не термическим освобождением электрона, а размораживанием молекулярной подвижности и миграцией центров захвата. Действительно, легко оценить, что тепловой выброс электрона из таких ловушек (2—3 эв) начнется лишь при температурах 500—800° К, в то время как все исследованные нами вещества переходят в жидкое состояние при более низких температурах. В связи с этим и выводы о глубинах электронных ловушек, которые могут быть сделаны при анализе формы кривых термического высвечивания, не имеют в этом случае физического смысла. [c.165]

Число частиц, участвующих в элементарной реакции, может быть только целым и не превышать трех. Это число характеризует молекулярность реакции. Элементарному акту предшествует перенос частиц в область взаимодействия. В этой области расстояние а между центрами частиц называют расстоянием соударения или захвата. Перенос частиц происходит вследствие теплового движения [c.220]

Рассмотрим элементарные процессы, лежащие в основе фотопроводимости, с помощью схемы уровней энергии, изображенной на рис. 2. Левая часть схемы (а) относится к красителю с электронным типом проводимости. Поглощение кванта света Лv переводит молекулярный центр кристаллической решетки на синглетный возбужденный уровень Г, с которого часть молекул возвращается на исходный уровень в результате дезактивации. Но часть молекул отщепляет от себя электрон путем перехода его на энергетически более низкий уровень триплетной зоны проводимости, обозначенный на рисунке 2 Г. Этот переход (рис. 2, стрелка 1) аналогичен переходу на триплетный уровень, совершающемуся в изолированной молекуле и приводящему к появлению фосфоресценции. Из той зоны он сразу спускается на сравнительно глубокие уровни прилипания, обеспечиваемые соседними молекулами (стрелка 2). Таким образом, после первичного светового воздействия проводимость осуществляется термической активацией переходов с уровней прилипания в зону проводимости (стрелка 3). Глубина уровней захвата, расположенных ниже дна зоны проводимости, определенная из температурной зависимости скорости затухания темновой проводимости после выключения света и скорости нарастания фотопроводимости, оценивается в 1.0 эв (1.1 эв для родамина Б, 0.76 эв для фуксина [19]). Из температурной зависимости предельного значения насыщения фотопроводимости Вартанян получил для ряда красителей несколько меньшие значения 0.4—0.7 эв. [c.324]

В твердом теле поглощенная энергия может затрачиваться на следующие процессы 1) перемещение электронов (возбуждение, ионизация) 2) перемещение атомов 3) образование примесных атомов 4) захват электронов. Процессы поглощения энергии заканчиваются примерно за 10 сек. После этого развертываются молекулярные процессы (включая миграцию экситонов) — флуоресценция, диссоциация и тому подобные, которые занимают около 10 —10 сек. Фосфоресценция, диффузия, химические реакции, распад центров окраски, рекомбинация электронов и дырок и другие процессы, ведущие к восстановлению равновесия, занимают на временной шкале промежутки от 10 сек вплоть до интервалов, которые пришлось бы измерять в годах. [c.300]

Ключевыми стадиями первичных процессов фотосинтеза является эффективная миграция энергии в светособирающих комплексах, захват возбуждения фотоактивными пигментами реакционных центров, разделение зарядов и их первичная стабилизация в форме ион-радикалов. В [35] показано, что в число факторов, контролирующих эффективность начального разделения зарядов в структуре фотосинтетических реакционных центров, входят и циклические релаксационные процессы, включающие первичную поляризацию молекулярного окружения в макроструктуре ассоциатов донора и акцептора. Данные релаксационные процессы, индуцирующие определенную реорганизацию взаимодействующей среды, происходят уже в самой начальной стадии разделения зарядов, эффективно ускоряя скорость перестройки среды. [c.157]

Формирование этих предфазовых состояний происходит, по-видимому, случайно путем последовательного заполнения центров захвата при молекулярных столкновениях атомов с поверхностью или просто за счет поверхностной диффузии адсорбированных атомов, если температура это позволяет. Никаких процессов зародышеобразования на данном этапе предугадать нельзя. Этого нельзя сказать о перестроенной фазе, образующейся из предыдущего состояния, когда поверхностная концентрация адсорбата возрастает до определенной величины (рис. 50,а). [c.138]

Оседающая крупная частица способна захватить более мелкие, центры которых находятся в некотором вертикальном цилиндре с осью, проходящей через центр более крупной частицы основание этого цилиЕ[дра называется сечением захвата. Поскольку дисперсионная среда вместе с находящимися в ней малыми частицами обтекает оседающую крупную частицу, радиус сечения захвата меньше суммы радиусов большой и малой частиц и зависит от условий приближения малой частицы к поверхности крупной. Самые малые частицы диффундируют к поверхности более крупной частицы в ходе обтекания ее жидкостью, причем диффузия ускоряется под действием молекулярных си.1 притяжения. [c.323]

Принцип молекулярного моделирования. Этот подход в сочетании с рентгеноструктурным анализом позволяет установить стереохимические особенности молекулы лекарственного вещества и биорецептора, конфигурацию их хиральных центров, измерить расстояния между отдельными атомами, фуппами атомов или между зарядами в случае цвиттер-ионных структур лекарства и биорецепторного участка его захвата. Получаемые таким образом данные позволяют более целенаправленно проводить синтезы биоактивных молекул с заданными на молекулярном уровне параметрами. Этот метод был успешно использован в синтезе высокоэффективных анальгетиков - аналогов морфина, а также для получения ряда лекарственных веществ, действующих на центральную нервную систему подобно природному нейромедиатору у-аминомасляной кислоте (фенигама и др., см. разд. 2.5.3). [c.15]

Расчеты коэффициента захвата были проведены при формальном распространении уравнения движения малой частицы (8.7.4.1) вплоть до ее физического контакта с поверхностью большой капли (точнее, вплоть до касания центра малой частицы с поверхностью большой). Законность такой операщш далеко не очевидна хотя бы по следующим соображениям. С одной стороны, само понятие физического контакта двух дисперсных частиц требует дополнительного уточнения. Более естественным было бы предположение об его существовании, когда поверхность малой частицы (а не ее центр ) коснулась поверхности большой капли. Такое определение захвата введено Н.А. Фуксом в [146]. А еще более точным в рассматриваемой задаче бьшо бы считать, что частицы столкнулись, если их поверхности сблизились на расстояние, на котором уже становится эффективным действие молекулярных сил притяжения или любых других сил притяжения негидродинамической природы. С другой стороны, на малых расстояниях между поверхностями капель начинают действовать не учтенные в уравнении (8.7.4.1) силы гидродинамического взаимодействия (в гидродинамическом приближении неофаниченно возрастающие при уменьшении зазора между поверхностями капель). При малых числах Рейнольдса эти силы заведомо препятствуют сближению капель. [c.832]

Прежде чем приводить какие-либо экспериментальные результаты в пользу того или иного механизма, рассмотрим их общие свойства и различия. По первому механизму выход парамагнитных мо.теку-лярных ионов, радикалов или продуктов радиолиза определяется в первую очередь эффективностью захвата дырки адсорбированной молекулой. Так как адсорбция молекул не изменяет характера имеющихся в объеме твердого тела ловушек дырок, то образование радикалов и парамагнитных ионов есть результат конкуренции за захват неравновесных дырок между дефектами и адсорбированными молекулами. Если эффективность захвата дырок молекулами больше, чем ловушками, то предельный выход адсорбированных радикалов и молекз лярных ионов должен быть равен выходу неравновесных пар носителей заряда. При равных эффективностях захвата наряду с парамагнитными центрами (т. е. дырками, захваченными в ловушки) образуются радикалы и ионы. Предельный суммарный выход парамагнитных частиц в этом случае должен превышать выход дырочных парамагнитных центров в адсорбенте. Если эффективность захвата дырок молекулами много меньше, чем ловушками, то при малых дозах не до.лжны наблюдаться ни молекулярные ионы, ни радикалы. С увеличением дозы выше той, при которой заполняются все ловушки, возможно образование радикалов или молекулярных ионов. [c.429]

Контактная эписегрегация. Такой захват может протекать на молекулярно-гладкой и шероховатой поверхностях. В первом случае примесь может скапливаться в приповерхностном монослое А жидкости и в приповерхностном монослое S твердой фазы. Слои А иS, как правило, неоднородны. Обычно их рассматривают как сумму нескольких типов сорбционных центров (центры на террасах, торцах и на изломах ступеней), причем каждый из таких типов характеризуют особым составом и структурой ближайших координационных сфер молекул, занимающих эти центры. Центры каждого типа могут заниматься молекулами всех компонентов системы, что приводит к конкуренции за места в слоях А и S. Однако часто сорбционные центры обладают повышенной активностью по отношению либо только к примеси, либо как к примеси, так и к кристаллизанту. В первом случае преобладающим при соосаждении является процесс, близкий к образованию поверхностных координационных соединений, во втором — близкий к обменной химической реакции. Например, локализация примеси в узловых положениях двумерной решетки слоя S носит обменный, а в его люждоузлиях — координационнохимический характер. [c.40]

Однако геометрия должна допускать захват выделяющегося хлорид-иона одновременно возникающим ионным карбониевым центром, не допуская реакции с молекулярным хлором. Структуры типа XIII вряд ли могут гладко привести к ыс-присоединению. [c.117]

Рассеяние электронов на атомах или молекулярных системах можно разделить на потенциальное и резонансное рассеяние. Эффективное сечение потенциального рассеяния плавно зависит от энергии электронов и наблюдается во всей возможной области энергии рассеиваемых частиц. Резонансное рассеяние происходит в определенных узких областях энергии электронов, зависимость сечения рассеяния от энергии электронов имеет вид более или менее узких пиков (резонансов), располагающихся на фоне потенциального рассеяния. При потенциальном рассеянии в области эффективного действия рассеивающего потенциала электрон проводит время, равное времени его свободного пролета этой области. Резонансное состояние системы молекула (атом)—электрон предполагает задержку электрона у рассеивающего центра по сравнению с временем свободного пролета. Каждому резонансу соответствует образование отрицательного иона мишени в квазистацио-нарном состоянии или временноживущего относительно выброса электрона отрицательного иона. При этом такой ион может быть (но не обязательно должен быть) нестабильным относительно диссоциации по одному или нескольким направлениям (каналам) диссоциации с образованием фрагментарных отрицательных ионов. Образование в квазистационарном состоянии молекулярных отрицательных ионов и их дальнейший распад на осколочные отрицательные ионы и нейтральные осколки называется диссоциативным захватом электронов. Таким образом, резонансное рассеяние электронов молекулами можно представить состоящим из двух этапов — захвата электрона молекулярной системой (приготовление нестабильного относительно выброса электрона квази-стационарного состояния молекулярного отрицательного иона) и распада временноживущего иона по возможным каналам распада — каналу упругого рассеяния (входному каналу), неупругого рассеяния (когда выбрасываемый резонансной системой электрон затратил часть своей энергии на возбуждение молекулы) и каналу диссоциативного захвата электрона [c.6]

К числу простейших неорганических систем относятся щелочно-галоидные соли. Едипствспными химическими продуктами, которые могут возникать в них при облучении, являются щелочные металлы и галогены. Образование центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах рассматривалось в разделе 10.2.4. Было показано, что центры окраски возникают в результате захвата электрона или дырки дефектами кристаллической решетки. Предполагается, что при облучении образуются такие молекулярные частицы, как Na2, Вгг или I2 и ионы l , lg", [c.327]

Функция (2.5), связьшающая коэффициент захвата Г с распределением плотностей молекулярных потоков в откачиваемой камере, свойствами откачиваемого газа, характеристиками источника активных центров и геометрической структурой насоса, есть искомая математическая модель ЭФН. Остановимся более подробно на ее компонентах. [c.41]

В различных цирконах могут превалировать центры, связанные с захватом электрона группой (SIO4) с образованием электронных парамагнитных центров типа (Si04) или с захватом дырки молекулярным ионом (SI2 07) с образованием дырочных парамагнитных центров типа [c.100]