Макроскопический фактор концентрации напряжения

Качество соединения зависит также от коэффициента а (макроскопический фактор концентрации напряжения), который не должен намного превышать 1. Это означает, что реологические свойства субстрата и клея должны быть приблизительно одинаковыми. Если мы не можем подобрать субстрат и клей с требуемыми реологическими свойствами, то повлиять на фактор а можно с помощью подходящего промежуточного слоя — адгезионного грунта. Модуль упругости адгезионного грунта должен быть средним между модулями клея и субстрата. Другой возможностью является изменение геометрической формы соединения (коэффициента формы соединения). [c.32]

Образование дислокационных спиралей при низких пересыщениях может инициироваться микро- и макроскопическими примесями, например пылью. Джексон [23] отметил, что при обычном выращивании кристалла концентрация вакансий в нем недостаточна, чтобы инициировать зарождение дислокационных петель, петель частичных дислокаций или дискообразных скоплений вакансий. Однако при закалке кристалла от температур, близких к температурам плавления, возникает пересыщение вакансий, достаточное для зарождения дислокаций. Таким образом, если действует дислокационный механизм роста и используются незакаленные затравки, то дислокации не могут возникнуть путем агрегирования вакансий. В ряде случаев образование дислокаций инициируется растворимыми примесями. Заметим, однако, что плотность дислокаций в кристаллах, выращиваемых в тщательно контролируемых условиях, практически не зависит от концентрации в растворе растворимых примесей, в том числе при таких концентрациях последних, которые достаточны для возникновения концентрационного переохлаждения и даже ячеистой структуры (об образовании ячеистой структуры говорится в разд. 3.13). Возникновение дислокаций могут вызывать термические напряжения, но опять-таки известен рост кристаллов по дислокационному механизму даже при максимально низких температурных градиентах, так что, по-видимому, термические напряжения нельзя считать единственной причиной возникновения дислокаций. Методом исключения Джексон пришел к выводу, что в отсутствие других факторов дислокации зарождаются скорее всего на инородных частичках, например частицах пыли. Поскольку практически невозможно полностью избежать загрязнения пылью кристаллизационной среды, гомогенное зарождение при росте кристалла встречается, по-видимому, крайне редко, а в большинстве случаев преобладает гетерогенное зарождение на частицах пыли. [c.122]

Из отношения (1.43) следует, что качество клея fmlfм) тем выше, чем меньше внутренние напряжения, вызванные усадкой клея (5). В данном случае также могут быть полезны адгезионные грунты. При соответствующей конструкции соединения усадку можно использовать так, что она будет способствовать сохранению прочности соединения. Влияние усадки можно уменьшить за счет изменения толщины клеевого шва чем пленка клея тоньше, тем меньше влияния усадки, как это видно из уравнения (1.41). Макроскопический фактор концентрации напряжений а также можно снизить, изменяя толщину клеевого шва, но более эффективно полное устранение воздушных включений, что обеспечивается деаэрацией клея, его правильным нанесением и плотной подгонкой поверхностей. [c.32]

Одним из факторов, способствующих снижению конструктивной прочности, является наличие в материале исходных микро- и макроскопических трещин. В хрупком теле в вершине трещины максимальное напряжение может достигать величины теоретической прочности атеор Отеор (0,1..0,2)Е. Коэффициент концентрации напряжений [c.120]

Одним из факторов способствующих снижению конструктивной прочности, является наличие в материагге исходных микро- и макроскопических трещин. Как известно, в хрупком теле в вершине трещины максимальное напряжение может достигать значения теоретической прочности Сттеор (0,1 - 0,2)Е. В вершине трещины коэффициент концентрации напряжений ао (/ / Го) , где /, Го- соответственно длина трещин и межатомное расстояние. Следовательно, условие неустойчивости тела с трещиной будет иметь вид а р = (0,1-0,2)Е,/г и. Очевидно, что при I Го, о = Отсор- [c.32]

Сопоставление уравнений (7.4) и (7.6) показывает, что существует прямое соотношение между временем жизни радикалов под действием нагрузки и равновесной концентрацией разрушенных связей. Однако существенно, что tf изменяется примерно как концентрации радикалов. Это подтверждает, что не только разрыв связей, но также другие факторы (такие, как зацепления цепей и изменение структуры кристаллитов) могут влиять на время разрушения. Дефриз с сотр. [183, 478] отмечают также роль напряжения. Оно должно быть выражено как напряжение, приходящееся на одну связь цепи, и это напряжение не равно макроскопическому приложенному напряжению. Представление о роли распределения напряжений, отнесенных к длинам проходных цепей, уже обсуждалось в этом разделе. [c.331]