Собственное поглощение и дефекты кристаллической структуры

Наличие всевозможных дефектов кристаллической структуры должно несомненно влиять и на оптическое поглощение кристалла. Как было показано, первая полоса собственного поглощения щелочно-галоидных кристаллов обусловлена переходом электрона от иона галоида к соседнему иону щелочного металла и образованием электронно-дырочной пары. Энергию этого перехода можно приближенно оценить, пользуясь выражением [c.38]

Имеются экспериментальные данные [36], которые весьма убедительно свидетельствуют о том, что поглощение в длинноволновом спаде кривой собственного поглощения непосредственно не обязано каким-либо примесям, а обусловлено дефектами кристаллической структуры реального кристалла. [c.22]

Выше уже отмечалось влияние дефектов кристаллической структуры на собственное поглощение щелочно-галоидных кристаллов и указывалась их роль в образовании электронных и дырочных центров захвата. Дефекты структуры играют существенную роль также и в других явлениях и определяют целый ряд важнейших свойств реальных кристаллов. В своей книге Фотолюминесценция жидких и твердых веществ В. Л. Левшин [189], отмечая большую роль внутренних неоднородностей и нарушений кристаллической структуры в явлениях люминесценции, считает, что наличие дефектов структуры и их тесное взаимодействие с решеткой является необходимым условием возникновения длительного свечения кристаллофосфоров. [c.98]

Первая глава представляет собой краткий обзор имеющихся литературных данных о механизме поглощения света чистыми кристаллами щелочно-галоидных соединений, о влиянии дефектов кристаллической структуры на спектры их собственного поглощения и о свойствах и структуре электронных и дырочных центров окраски в субстрактивно и аддитивно окращенных кристаллах щелочно-галоидных соединений. [c.6]

Таким образом, именно примеси, а также, как будет позднее показано, незанятые узлы решетки вакансии) и смещенные в междоузлия атомы основного вещества (рис. 2) междо-узельные атомы) определяют наиболее важные оптические свойства кристал-лофосфора. Все подобные нарушения периодической структуры кристалла называются дефектами кристаллической решетки, примесными, если они связаны с включением в решетку посторонних атомов, или собственными (структурными), если они представляют собой отклонение от нормального для данного кристалла расположения атомов основного вещества. Как выяснилось в результате измерений при возбуждении люминесценции катодными и рентгеновыми лучами и а-части-цами, степень превращения поглощенной энергии в свет весьма велика — она достигает 25%. Поскольку в этих случаях поглощение возбуждающего излучения заведомо происходит во всей массе вещества, в то время как испускание света происходит в немногих центрах свечения, то ясно, что имеется эффективный механизм передачи энергии от тех мест, где она поглощается, к центрам свечения. Как показывают экспериментальные данные, возможность такой передачи связана с кристаллическим состоянием вещества, а ее эффективность зависит от наличия примесей и структурных дефектов, способных перехватывать энергию возбуждения и передавать ее основанию люминофора в виде тепловых колебаний. Установление роли кристаллической структуры люминофора было важной вехой в развитии представления о люминесценции. [c.8]