Вакансии кристаллической решетки

В связи с тем, что перенос вещества при образовании окалины в ходе высокотемпературной газовой коррозии происходит путем переноса вещества по вакансиям кристаллической решетки оксида, скорость окисления металла связана с проводимостью окалины, и она тем ниже, чем меньше эта проводимость. Поэтому вещества, снижающие проводимость (ионную и электронную) оксидов окалины, снижают и скорость коррозии. [c.235]

Рост пленок с электронной проводимостью за счет диффузии анионов по анионным вакансиям кристаллической решетки в направлении к поверхности металла. Рост пленки происходит на границе металл—оксид. Примером служат а-Ре Од, TiO , ZrO . [c.20]

Вакансии кристаллической решетки [c.508]

Одним из типов дефектов, обнаруживаемых в кристаллах, являются вакансии кристаллической решетки или точечные дефекты, при которых недостает одного атома в узле кристаллической решетки, обычно занимаемом таким атомом окружающие атомы медленно перемещаются в направлении к этому незанятому узлу. Вакансии образуются в результате термического возбуждения, при зтом число вакансий на единицу объема в металле приблизительно равно числу атомов на единицу объема пара, находящегося в равновесии с данным металлом. В больших количествах вакансии могут возникать под влиянием бомбардировки металла частицами высокой энергии или под действием рентгеновских лучей. [c.508]

Главное различие между жидкостью и твердым телом заключается в том, что жидкость обладает текучестью, а твердое тело сохраняет свою форму. Это следует из огромной разницы в молекулярной подвижности. Например, атомы золота в жидкой ртути диффундируют с коэффициентом /) = 8 10 ° м с , а в металлическом серебре - с В - 2 2. -1 (285 К). В свою очередь такое огромное различие является следствием разной структуры твердого тела и жидкости. В твердом кристаллическом теле молекулы, атомы металла или ионы находятся в узлах кристаллической решетки, где совершают колебательные движения. Диффузия частиц происходит в результате переме-шения вакансий кристаллической решетки. В жидкости, как показывает рентгеноструктурный анализ, существует только ближний порядок между молекулами, который довольно быстро нарушается, так что за время порядка 10 °-10 с каждая молекула перемещается на расстояние молекулярного диаметра, что и создает высокую по сравнению с твердым телом молекулярную подвижность. [c.180]

Механизм воздействия деформирования на параметры решетки ПКС, в сущности, очень прост. Частным случаем деформирования является обычное смешивание компонентов дисперсной системы, например порошка и жидкости. Цель перемешивания — достижение равномерности распределения всех компонентов системы по ее объему. Упомянутые выше вакансии кристаллической решетки — равноправный компонент системы. В сущности, они являются сгустками межчастичных пустот и поэтому могут дробиться и распределяться равномерно по всему пространству, как и любой другой компонент дисперсной системы. При постоянстве объема системы (что будет всегда предполагаться, если не делается специальных оговорок) размазывание вакансий по межчастичному пространству означает уменьшение их концентрации и соответствующее формуле (3.12.5) увеличение периода решетки. [c.691]

Образованию вакансий, в первую очередь, способствуют тепловые колебания атомов. Вакансии возникают также при воздействии на металл механических напряжений, радиоактивного излучения и др. При образовании вакансий кристаллическая решетка искажается, и ближайшие к ней соседние атомы смещаются от своего равновесного положения. Например, для металлов с гранецентрированной [c.24]

На некоторых металлах выделение Н2 сопровождается процессом наводороживания. При образовании водорода адсорбированный атом водорода Наде поглощается металлом и диффундирует в его объем. Атомы Наде скапливаются внутри плоскостей и вакансий кристаллической решетки и там рекомбинируются в молекулы Н2. Давление [c.89]

Теоретический расчет показывает, что в случае перемещения иона по вакансиям кристаллической решетки хлорида натрия / = 0,78 [1]. [c.733]

В качестве мембранного электрода может быть использован тонкий срез малорастворимого, механически прочного и химически инертного в исследуемом растворе кристалла (см. рис. V.1). Селективность кристаллической мембраны могла бы быть высокой, поскольку проводимость обусловлена дефектами решетки и только ион подходящего размера, конфигурации и заряда может разместиться в вакансии кристаллической решетки. Поскольку все другие ионы не могут двигаться в решетке, то они и не принимают участия в проводимости. В отличие от других мембран, например жидких, селективность твердых мембран обусловлена тем, что мешающие ионы не проникают в фазу мембраны. [c.111]

Инда предположил, что перераспределение ионов в процессе ТМО происходит главным образом по вакансиям кристаллической решетки ферритов. Это предположение находит экспериментальное подтверждение в том, что эффект ТМО в большей степени заметен в ферритах, характеризующихся определенной концентрацией катионных вакансий, способствующих увеличению скорости диффузии катионов в решетке. [c.102]

После работ М. Леблана в начале нашего века утвердилось представление о том, что разряд ионов щелочных металлов на твердых электродах невозможен. Однако Б. Н. Кабанову, Д. И. Лейкис, И. Г. Киселевой и И. И. Астахову удалось получить убедительные доказательства внедрения щелочных металлов в ряд твердых электродов при высоких катодных потенциалах. Внедрение щелочного металла в катод оказывает весьма существенное влияние на электрохимические характеристики последнего. Большое перенапряжение процесса внедрения связано с тем, что он происходит, по-видимому, только по вакансиям кристаллической решетки металла. Предварительное разрыхление структуры металла, например путем анодного выщелачивания соответствующего сплава, резко повышает скорость внедрения. [c.155]

Коэффициент диффузии в процессе замещения атомами вакансий кристаллической решетки [c.253]

Подвижные полости, в которых находятся сольватированные электроны, образующиеся в растворе, можно сравнить с локализованными электронными ловушками, которые образуются в кристаллах. Эти ловушки являются вакансиями кристаллической решетки, которые должны быть заняты анионом, а содержат вместо этого электрон. Спектры ЭПР показывают, что, хотя захваченный электрон выходит из полости и взаимодействует с соседними катионами и в меньшей степени с более удаленными ионами, максимальная плотность электрона сосредоточена в этой ловушке. Такие электроны часто называют / -центрами. [c.348]

В результате воздействия двух этих противоположных факторов процесс кристаллизации может протекать по-разному. Если скорость отвода тепла, выделяющегося в процессе образования и роста зародышей, сравнительно невелика, то и переохлаждение будет незначительным. В этом случае скорость образования зародышей в объеме жидкости мала и кристаллизация идет в основном за счет роста зародышей, образовавшихся на поверхности частицы. В процессе роста эти зародыши смыкаются, в результате чего образуется тонкая пленка кристаллической фазы. В дальнейшем кристаллизация такого типа протекает гетерогенным образом на поверхности раздела фаз путем занятия молекулами жидкости вакансий кристаллической решетки, при этом сама поверхность смещается в глубь капли. Кристаллизация такого типа является практически равновесной, поскольку в этом случае температура и давление на поверхности раздела фаз удовлетворяют условию фазового равновесия [c.337]

О существенном нарушении состава по АЯ+ свидетельствуют следующие данные [28]. Известно, что если выросший монокристалл лейко-сапфира в вакууме подвергнуть воздействию ультрафиолетового излучения, то в интервале 250 800 нм возникает широкая полоса погаощения, обусловленная, как показано в 4.6, образованием оптических центров на алюминиевых вакансиях кристаллической решетки. О преимущественном испарении А1 + свидетельствуют также экспериментальные данные рентгеновского и масс-спектрометрического микроанализа содержания алюминия вблизи газовых включений, образуемых в процессе роста [c.23]

Во многих случаях различные формы хемоадсорбции одних и тех же газов представляют продукты химических поверхностных реакций с различными адсорбционными центрами поверхности. Для очень чистых монокристаллов это, с одной стороны, различные макроскопические структуры-грани разных индексов, ребра, вершины, дислокации и прочие протяженные нарушения структуры из-за аномалий роста. С другой стороны, это такие микроструктурные образования, как вакансии кристаллической решетки, места па поверхности, находящиеся над атомами и между ними. В кристаллических соединениях — это ионы в аномальном валентном состоянии или в аномальном окружении. Значение микродефектов различного типа убедительно показывают исследования хемосорбции и катализа на твердых телах, искусственно активированных ионизирующим излучением. При этом в ряде случаев, например при облучении 3102 -радиацией, удается связать появление или сильное повышение каталитической активности определенного типа с образованием конкретных химических форм, нередко с участием примесей. Убедительные примеры приводятся в содержательном обзоре Тэйлора [81]. В этом обзоре, в частности, убедительно показано значение микропримесей ионов АР+, обычно присутствующих в ЗЮг, в образовании активных центров при 7-облучении. [c.55]

На границе раздела фаз железо — магнетит ионы железа и электроны нз железа переходят в шпинель магнетита и занимают там тетраэдрические и октаэдрические места в промежуточной решетке. В верхних участках, г,се имеется дефицит ионов железа, ионы кислорода выходят из магнетнтного окалинного слоя и занимают места для кислорода гексагональных шпинелей в решетке металла. Оставшиеся ноны железа в верхних участках кубического железа занимают места в решетке гексагональной шпинели. На этой границе раздела фаз образуется магнетит, который характеризуется относительным избытком железа и относительным недостатком кислорода. В результате в каждый момент времени в участках внешнего магнетнтного окалинного слоя имеется высокая кониентрация вакансий кристаллической решетки для ионов железа и примерно стехиометрическая концентрация кислорода. В то же время на участках внутреннего окалинного слоя имеется высокая концентрация вакансий кристаллической решетки для кислорода и избыток железа. Эта разность концентраций приводит к тому, что происходит диффузия вакансий ионов кислорода в направлении к поверхности железа (вглубь), а также к диффузии вакансий ионов железа в промежуточной решетке (во внутреннем окалинном слое) и к диффузии вакансий ионов железа (во внешнем окалинном слое) в направлении паровой фазы. Одновременно происходит диффузия электронов, направленная в ту же сторону. [c.204]

Окись углерода сорбируется обратимо при температуре ниже —150° С. Теплота адсорбции составляет около 2,3 ккал1моль. Поскольку электропроводность пленки почти не увеличивается, несмотря на значительную величину сорбции, допускают, что молекулы СО удерживаются преимущественно на дефектах (вакансиях) кристаллической решетки бария, наличие которых искажает периодический потенциальны й барьер вблизи поверхности и облегчает поглощение. После заполнения вакансий продолжается обычная физическая адсорбция. [c.78]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология