Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Механизм роста ядер на поверхности раздела

    Два основных механизма реакции на новерхности раздела были уже схематично рассмотрены в главе 2. Следует лишь добавить, что важно, чтобы механизмы образования проста ядер были согласованы. Так, если для роста ядер принимается механизм, согласно которому скорость разложения определяется стадией возбуждения электрона иона азида, находящегося па поверхности раздела, на уровень Ферми металлического ядра, то необходимо проявить осторожность в принятии механизма возникновения ядер, который включает в себя захват подвижных частиц, поскольку последние должны участвовать в механизме роста. Если же принять механизм, согласно которому рост ядер происходит за счет стационарной утечки из экситонного газа, то необходимо предположить, что образование ядер происходит в результате реакций захвата, так как этот механизм будет преобладать над остальными. Автор предпочитает механизм возбуждения, происходящего на поверхности раздела. По-видимому, имеется мало оснований для предположения о существовании подвижных экситонов в безводном азиде бария. [c.230]


    Наряду с топокинетическими уравнениями, выведенными на основе различных представлений о росте реакционных зародышей, имеется ряд уравнений, полученных на основе других механизмов, в частности, диффузионного механизма и механизма линейных разветвляющихся цепей. Согласно диффузионному механизму, впереди продвигающейся поверхности раздела ядра существуют зародыши ядер, для активизации которых необходимо, чтобы они могли захватывать ионы продукта реакции, диффундирующие вдоль подходящих для их движения путей впереди фронта реакции. Отдельные положения теории диффузионного механизма и некоторые кинетические уравнения, полученные на его основе, описаны в монографиях [15, 122]. Теория механизма линейных разветвляющихся цепей формально тождественна теории цепных реакций и впервые была развита Гарнером [28]. Предлагается, что реакция начинается на N центрах, активация которых происходит с постоянной скоростью с образованием тонкой нити (линии) твердого продукта, которая растет до тех лор, пока цепь не встретится с одним из разрывов в кристаллической решетке. При такой встрече происходит образование новых нитей, которые в свою очередь растут и разветвляются. Однако полное перенесение представлений о развитии цепей в газо-жидкофазных процессах на случаи топохимических реакций трудно поддается обоснованию, так как частицы твердого вещества жестко закреплены в узлах решетки. В настоящее время раснространено мнение, что разветвление цепей происходит в результате автокатализа, обусло- [c.113]

    Поверхность жидкой пленки обычно сильно возмущена и покрыта сложной системой волн. Эти гзолны в сущности представляют шероховатости поверхности ио отношению к газовому ядру, содерл ащему капли жидкости, и являются причиной увеличения напряжения трения на поверхности раздела фаз. Механизмы, приводящие к росту этих напряжений, очень сложны (28) однако было показано, что эффективная шероховатость поверхности раздела приблизительно постоянна для данной толщины пленки независимо от скорости течения фаз, приводящих к этой толщине. Это геометрическое сходство очень полезно при получении соотношений для напряжений трения на границе раздела фаз. Для определения коэф(1)ициента треиия на границе раздела фаз / зо1. по-видимому, чаще используется зависимость Уоллиса [41] [c.197]

    Проблема прекращения медленного роста ядер представляется вполне реальной. Можно было бы ожидать, что медленный рост будет заканчиваться асимптотически. Но имеются две другие возможности. Во-первых, превращение, происходящее внутри ядра, может оказывать влияние на свойства его поверхности раздела. Так, ядра могут растрескиваться, как это бывает с гидратами [23], или же прорелаксировать, образуя плотную структуру. Последний механизм родствен одному из ранних предположений о том, что скопления Г-центров растут медленно, в то время как металлические ядра растут с нормальной скоростью. Во-вторых, медленно растущее ядро само может быть скоплением нескольких более мелких медленно растущих ядер, расположенных близко друг к другу. Как только эти ядра сольются друг с другом, эффективный размер скопления претерпевает резкое изменение, он становится достаточно большим, чтобы дальнейший рост происходил с нормальной скоростью. Это представление о микроскоплениях выдвинуто сравнительно недавно [24], однако оно уже оказалось полезным, поэтому следствия из него, имеющие значение для кинетического анализа, рассматриваются ниже в соответствующих разделах. [c.29]


    Грибы являются гифальными микрсюрганязмами. Их нитчатые структуры имеют жесткую клеточную стенку, растут верхушечной частью мицелия. Гифы у многих грибов разделены перегородками, имеющими поры, через которые цитоплазма и ядра могут переходить из одной клетки в другую в направлении растущей верхушки мицелия (апекса). После деления ядра в предапексовой части одно из них поступает в апекс и отгораживается перегородкой, затем верхушка этой клетки вновь образует выпячивание и т. д. Высокое давление, развиваемое при росте мицелия и обеспечивающее внедрение мицелия в субстрат, имеет важное значение в механизме заселения материала, нарушении целостности его поверхности и дальнейшего разрушения [3]. [c.462]


Смотреть страницы где упоминается термин Механизм роста ядер на поверхности раздела: [c.91]   
Смотреть главы в:

Кинетика разложения твердых веществ -> Механизм роста ядер на поверхности раздела




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Поверхность раздела фаз

Поверхность разделяющая



© 2025 chem21.info Реклама на сайте