Основные положения. Графическое изображение

ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ГРАФИЧЕСКОЕ ИЗОБРАЖЕНИЕ [c.171]

ТРЕХКОМПОНЕНТНЫЕ СИСТЕМЫ 1. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ГРАФИЧЕСКОЕ ИЗОБРАЖЕНИЕ [c.180]

Графический метод изображения формул Кекуле использовал в своем учебнике только лишь в некоторых случаях, в основном же в книге преобладают типические и валовые формулы. Это указывает, что в середине шестидесятых годов Кекуле был все еще последователем Жерара, в то время как после установления основных положений теории строения ему следовало, по словам Бутлерова, оставив типические воззрения, поднять новый принцип до уровня единственного путеводителя [29а] сделано же это было не Кекуле, а Бутлеровым. Однако нельзя не отметить, что, упорно сохраняя типические формулы для соединений жирного ряда даже в учебнике 1866 г., Кекуле в это же время для бензола и его гомологов предложил структурные формулы (стр. 48). [c.37]

Мы подробно рассмотрели взаимодействие металлических катионов с водой или ионом гидроксила. Этот простейший случай осуществляется для большинства металлов только в разбавленных перхлоратных растворах и, в меньшей степени, в растворах нитратов и сульфатов. Все другие анионы способны образовывать с металлическими катионами комплексы (обычно растворимые) различной стабильности или слабо растворимые продукты, содержащие основные соли. Кроме того, многие нейтральные молекулы, особенно аммиак или замещенные аммиаки, часто дают растворимые комплексы, более устойчивые, чем комплексы с водой. Итак, во многих анодных процессах образуются растворимые комплексы или слабо растворимые продукты, не являющиеся гидратированными катионами, окислами или оксианионами. Если имеются соответствующие термодинамические данные, то для графического изображения такого рода процессов и в этом случае можно пользоваться диаграммами зависимости между равновесным потенциалом и pH [45] правда, такие диаграммы имеют значительно более сложную форму. Можно также строить аналогичные диаграммы зависимости между потенциалом и рС (где рС — отрицательный логарифм активности комплексанта) и диаграммы, иллюстрирующие устойчивость слаборастворимых карбонатов, фосфатов, основных хлоридов и т. д. Никаких новых положений здесь не вводится. Общие анодные процессы, подобные реакциям (1) — (5) (см. выше), в которых, однако, участвуют комплексанты или осаждающие анионы, могут быть обоснованы, исходя из термодинамических данных. Таким же образом из данных о переносе можно оценить их изменение при пропускании заряда. Впрочем, количественное рассмотрение сопряжено с рядом сложностей и трудностей. [c.290]

Анализ главных компонент — это комплексный метод, применяемый для описания, улучшения понимания и изображения многомерных объектов. Этот метод наиболее широко применяется, поскольку он дает возможность графического представления объектов и переменных. Каждой основной компоненте можно придать физический смысл и, более того, положение каждого объекта и переменной на диаграммах можно интерпретировать в терминах значений переменных и физического смысла осей. [c.222]

Профилометрический метод. Так же, как и в двух описанных выше оптических методах, в профилометрическом методе определения толщины покрытия необходимо получить уступ между покрытием и основным металлом при удалении покрытия на локальном участке поверхности. В данном случае, однако, толщина определяется из профилограммы, полученной путем регистрации изменений положения стальной иглы при ее перемещении по испытуемой поверхности. Для усиления передаваемого движения иглы увеличения графического изображения исследуемого профиля поверхности, по которому можно провести непосредственные измерения, используются электронные приборы. [c.141]

ORTEP — основной пакет графических программ для получения изображения кристалла и молекулы в моно- и стереоизображении. Эти изображения выполнены по типу шар — палочка, при этом атом представлен окружностью, сферой или эллипсоидом тепловых колебаний. Удаление невидимых линий является важным моментом в получении изображения. Для этого аналитически вычисляют положение частично перекрывающихся атомов и пересекающихся связей и вычеркивают только видимые элементы. Работа программы контролируется оператором. Таким образом пользователь имеет возможность участвовать в получении изображения объекта, выбирая атомы, которые должны быть изображены на первом плане, ориентацию изображения и пр. [c.265]

Обычно при моделировании используются три основных типа угловых распределений диффузное (косинусный закон), лепестковое и равномерное. Графическое изображение этих распределений показано на рис. 1.4. Здесь положение частицы показано звездочкой, а точечный график показывает вероятность вылета частицы в определенном направлении. Например, для диффузного распределения самое большое количество частиц летит в направлении, перпендикулярном поверхности - на рисунке показано штриховой линией. Как видно, эта линия ме5кду положением частицы и графиком, определяющим вероятность, самая длинная. Меньшая вероятность у частицы вылететь в направлении, показанном на рисунке пунктирной линией - она короче, чем штриховая. Таким же образом, вероятность вылета в определенном направлении находится и для других распределений. Однако стоит учесть, что на самом деле эти графики не плоские, а объемные, например, для диффузного распределения график представляет собой не окружность, а сферическую поверхность. [c.26]

Группа программ графической обработки. Эта группа предиа.лиачепа для визуального представления информации, полученной во время расчета либо являющейся выходной для груип1)1 программ статистической обработки. Она включает программы изображения одномерных массивов, а также двумерных скалярных и векторных нолей п траекторий двил ения частиц. Основные принципы, положенные в основу работы этой группы,— простота обращения к отдельным модулям, возможность обработки информации [c.281]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология