Выращивание кристаллов в гелях

Методы выращивания кристаллов чрезвычайно многочисленны и разнообразны. В промышленности и исследовательских лабораториях кристаллы выращивают из паров, из растворов, из расплавов, из твердой фазы и многими специальными способами, как, например, синтез путем хилшческих реакций, синтез при высоких давлениях, электролитическая кристаллизация, кристаллизация из гелей и др. [c.376]

Методы испарения растворителя или снижения растворимости за счет добавления другого растворителя имеют тот недостаток, что, если коэффициент распределения примесей и прочее зависит от концентрации растворителя, то возникает проблема неоднородностей в кристаллах. Введение другого растворителя столь же трудно контролировать, как и химическую реакцию, и поэтому иногда приходится прибегать к таким ухищрениям, как выращивание из геля. [c.272]

Фиг. 7.7. Выращивание кристаллов в геле.

Вопрос о локальном обеспечении водной среды для растущего кристалла при методе выращивания в геле рассматривается в статье [153]. [c.288]

Электрохимические реакции. Процесс роста кристалла в ходе электрохимической реакции менее исследован, чем процесс роста из гелей ), но такой метод выращивания, по-видимому, даже более перспективен. При этом необязательно применять водные растворы для выращивания кристаллов соедине- [c.290]

ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ В ГЕЛЯХ [c.28]

Одним словом, возможности геля как среды для роста кристаллов в процессе реакции до сих пор фактически не выяснены как с точки зрения практики выращивания отдельных кристаллов, так и с точки зрения новых благоприятных условий, которые она предоставляет для исследования механизма роста. Подобным же образом не исследованы возможности ускорения процессов диффузии в гелях и через полупроницаемую мембрану (фиг. 7.6, а) и управления этими процессами при помощи электрического поля. [c.290]

Высокотемпературные оксидные С. синтезир тет в виде монокристаллов, объемных изделий, пленок или проволоки. Осн. методы получения-методы монокристаллов выращивания, золь-гель, криохим., керамич. или стекольная (для беспористых С.) технология. Сверхпроводимость синтезируемых соед. существенно зависит от наличия разл. примесей, концентрац. неоднородностей, пор, дефектов в кристаллах и т.п., что приводит к трудностям воспроизведения [c.297]

Следует подчеркнуть, что данные о структурной химии гидроксидов очень неполные. Для изучения структуры необходимы кристаллические образцы, предпочтительно в виде монокристаллов, а некоторые гидроксиды легко разрушаются до оксидов даже прп кипячении в водном растворе (например, Си(ОН)г, Sn(0H)2, Т1(0Н)з). Неизвестны многие простые гидроксиды, например СиОН, AgOH, Hg(0H)2, Pb(0H)4. Хотя многие из высших оксидов не устойчивы при обычных условиях, тем не менее такие соединения, как Ni(0H)3, Мп(0Н)4, U(0H)4, Ru(0H)4 и др., описаны в литературе поэтому необходимы исследования с целью подтверждения их существования и расшифровки структуры. Некоторые из таких соединений не являются простыми гидроксидами например, Р[(ОН)4-2НгО на самом деле имеет формулу H2[Pt(0H)eJ. Кондуктометрическим титрованием и измерениями молекулярной массы было установлено, что аураты и получаемая из них ауровая кислота содержат ион Ли (ОН) 4- [8]. В литературе описано выращивание кристаллов РЬ(0Н)2 в состаренных гелях, но более поздние исследования показали, что такой гидроксид не существует [c.353]

Выращивание кристаллов в геле. По-видимому, легче всего управлять ростом кристаллов при выращивании их за счет реакции в водных растворах, если в качестве кристаллизационной среды использовать гель. Впервые кристаллизацию в гелях начал серьезно исследовать J изeгaнг [18]. Он пытался объяснить периодичность образования осадков, встречающуюся в природе [c.287]

Гелий применяется для наполнения дирижаблей, при сварке магниевых деталей самолетов, в водолазном деле, медицине, для калибровки приборов, в космонавтике для консервации пищевых продуктов, атомной энергетике (как теплопередающая среда), хладотехнике, хроматографии, при выращивании полупроводниковых кристаллов кремния и германия, для наполнения радиоламп и во многих других отраслях. [c.172]

Мн, методы синтеза специфичны. При получении тугоплавких соед. и материалов применяют методы порошковой технологии (см, Порошкова.ч металлургия), реакц, спекания и химического осаждения из газовой фазы. Сферич, однородные частицы порошков получают плазменной обработкой или с помощью золь-гель процессов. Разработаны спец. методы выделения в-в в виде монокристаллов (см. Монокристаллов выращивание), монокристаллич, пленок, в т, ч, эпитаксиальных (см. Эпитаксия), и нитевидных кристаллов, волокон, а также в аморфном состоянии, Нек-рые р-ции проводят в условиях горения, напр, синтез тугоплавких соед. из смеси порошков простых в-в (см. Горение, Самораспространяющийся высокотемпературный синтез). Все более [c.212]

Известные способы получения пористых адсорбентов можно разделить на четыре группы [227, 228] 1) активирование гру-бодисперсиых материалов воздействием химически агрессивных сред, например получение активных углей действием газов-окис-лителей на кокс или пропиткой органического материала некоторыми солями с последующей их химической обработкой 2) коллоидно-химическое выращивание частиц золей с последующим получением из них гелей с рыхлой упаковкой (при высу шиваиии таких гелей образуется структура с боЛьЩим числом пор-зазоров между частицами силикагели, алюмосиликагели и др.) 3) синтез пористых кристаллов — цеолитов, обладающих свойствами молекулярных сит (размеры каналов в таких кристаллах составляют 0,4—1,0 нм) 4) термическое разложение карбонатов, гидроксидов, оксалатов, некоторых полимеров при умеренных, во избежание спекания, температурах (получение активных оксидов, некоторых пористых активных углей, губчатых металлов). Как видно, получение адсорбентов является весьма сложной задачей, для решения которой необходимы значительные энергетические ресурсы, использование дорогостоящих химических реактивов, сложной аппаратуры и больших затрат времеии. [c.154]

Для решения теоретических вопросов адсорбции и изучения фрагментов структуры цеолитов интерес представляет метод выращивания цеолитов в гелях [73]. Кристаллы цеолитов размером до 100 мкм были выращены Цириком [478] в акриловых гелях, приготовленных растворением 5 г реактива марки СагЬоро1-934 (акриловокислый полимер) в 100 мл 1 М раствора ЫаОН. Реагентами служили взятые в виде водной пасты алюминат и метасиликат натрия, помещенные по разные стороны гелевого столба. [c.28]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология