Аналогия электронная

Если объект представляет собой монолит, то проводят его локальный или послойный анализ без предварительного разрушения. Наиболее детальный анализ поверхности можно провести с помощью ионного зонда. С помощью специальных технических приемов можно получить на телевизионном экране или фотопленке увеличенное изображение поверхности объекта, образованное ионами выбранного элемента. Повернув ручку настройки масс-анализатора, получают изображение того же участка поверхности, образованное ионами другого элемента. Набор таких фотоснимков представляет собой полную топографию интересующих элементов в выбранной области поверхности образца. Прибор, работающий по- такому принципу, называется ионным микрозондом и является аналогом электронного микрозонда, или электронно-зондового рентгеновского микроанализатора (см. гл. 5). Его преимуществами являются более высокая чувствительность, особенно к легким элементам, а также возможность изучать не только элементный, но и изотопный состав образца. [c.216]

Свойства элементов, определяемые электронной оболочкой атома, закономерно изменяются по периодам и группам периодической системы. При этом, поскольку в ряду элементов-аналогов электронные структуры сходны, но не тождественны, при переходе от одного элемента к другому в группах и подгруппах наблюдается не простое повторение свойств, а их более или менее отчетливо выраженное закономерное изменение. [c.31]

Экспериментальное обоснование периодической системы. Рассмотрение периодической системы показывает, что в группах и подгруппах располагаются электронные аналоги. Электронной аналогии соответствует аналогия и в химических свойствах элементов. Таким образом, при расположении химических элементов в ряд с увеличением атомного номера периодически повторяются [c.37]

При моделировании технологического процесса мы добиваемся возможно полной адекватности электронной модели и процесса. При этом в равной степени можно утверждать, что электрические процессы, протекающие в аналоговой вычислительной машине, отражают химико-технологический процесс или, что химико-техно-логический процесс отражает электрические процессы, протекающие в данной схеме аналоговой вычислительной машины. Следовательно, можно проектировать процессы таким образом, чтобы часть (или все) функции САУ могли быть возложены на сам процесс или на процесс, организованный параллельно основному и осуществляющий, помимо получения желаемого продукта, управление основным технологическим процессом. Параллельно работающий химико-техноло-логически процесс в данном случае является технологическим, аналогом электронного (или пневматического) регулятора. [c.488]

С нач. 50-х гг. ускорители превратились в осн. инструмент исследования Э. ч. Были открыты антипротон (1955), антинейтрон (1956), анти-Х-гиперон (1960), а в 1964 - самый тяжелый й -гиперон. В 1960-х гг. на ускорителях обнаружили большое число крайне неустойчивых резонансов. В 1962 выяснилось, что существуют два разных нейтрино электрон- ное и мюонное. В 1974 обнаружены массивные (в 3-4 протонные массы) и в то же время относительно устойчивые (по сравнению с обычными резонансами) частицы, к-рые оказались тесно связанными с новым семейством Э. ч.- очарованных , их первые представители открыты в 1976. В 1975 обнаружен тяжелый аналог электрона и мюона - т-лептон, в 1977 - частицы с массой порядка десяти протонных масс, в 1981 - красивые частицы. В 1983 открыты самые тяжелые из известных Э. ч.- бозоны (масса 80 ГэВ) и 2" ( 91 ГэВ). [c.470]

В связи С достижениями микроэлектронной технологии начинают широко использоваться матричные приборы в виде линеек или пластин из полупроводниковых элементов с упорядоченным расположением выводов и приборы с зарядовой связью. Эти приборы служат базой для аппаратуры оптического неразрушающего контроля, воспринимающей оптические сигналы в пространстве путем квантования их и последующей дискретной обработки. На их основе строятся также твердотельные аналоги электронно-лучевых вакуумных трубок, позволяющие получить электрические сигналы о распределении освещенности в пространстве. [c.234]

Перечисленные экспериментальные факты позволяют с достаточной надежностью предположить, что У-центры являются аналогами электронных центров окраски. С химической точки зрения это означает, что если /-центры соответствуют нейтральным атомам щелочного металла, диспергированным в щелочно-галоидном кристалле, то определенные У-центры должны соответствовать диспергированным нейтральным атомам галоида. По аналогии с физической моделью элементарного центра окраски, согласно которой /-центр представляет собой электрон, ассоциированный с вакантным галоидным узлом, элементарный дырочный центр может быть представлен как положительная дырка, ассоциированная с вакантным катионным узлом. [c.35]

Таким образом, диамагнитная восприимчивость представляет собою в некотором отношении аналог электронной поляризуемости, а парамагнитная — ориентационной поляризуемости. [c.219]

Равенство зарядов, близость величин ионных радиусов и, наконец, аналогия электронных структур трансурановых ионов и лантаноидов являются предпосылками к близости свойств этих элементов в комплексах. [c.103]

Радиоактивные вещества испускают частицы нескольких типов. Нас будут интересовать (табл. 24-1) электроны, позитроны (позитрон — положительно заряженный аналог электрона), альфа-частицы и нейтроны. Испускание этих частиц обычно (хотя и не всегда) сопровождается испусканием гамма-лучей. К другому типу радиоактивного распада относится спонтанный захват ядром электрона с /С-уровня. Этот процесс, известный как захват электрона или К-захват, вызывает характеристическое для элемента рентгеновское /С-излучение. [c.501]

При изучении равновесий между различными точечными дефектами в кристаллах необходимо учитывать условие электронейтральности кристалла, т. е. концентрации свободных носителей электронов и дырок. При этом все виды точечных (атомных) дефектов и свободные носители (которые можно было бы назвать по аналогии электронными дефектами) рассматривают как равноправные компоненты твердого раствора . Поскольку концентрации этих компонентов невелики, то к ним применимы закон Генри и некоторые другие положения термодинамики растворов. Взаимодействия дефектов, их реакции подчиняются закону действия масс и могут быть охарактеризованы определенными константами равновесия, являющимися функциями температуры и давления. Применение закона Генри означает, что величина свойства, обусловленного данным точечным дефектом, пропорциональна его концентрации. [c.171]

Неопределенность, существовавшая в описании поведения электрона, была установлена при прохождении пучка электронов через очень тонкую щель. Подобно свету пучок электронов после прохождения через щель несколько расширяется. Другими словами, тени, отбрасываемые в электронном пучке, не имеют резких границ. Эта и другие аналогии электронов и света привели к плодотворному приложению волновой механики к описанию поведения электрона. Качественный аспект этого описания исключительно полезен в химии для обсуждения природы химической связи. Данный раздел посвящен обзору этой концепции. [c.108]

Главным структурным элементом молекулярной электроники для фарадеевских и нефарадеевских приборов является жидкостный диод — аналог электронной лампы. Так же как вакуумные, газоразрядные и твердотельные, жидкостные диоды могут быть усложнены введением дополнительных электродов (триоды, тетроды, пентоды, гексоды, гептоды), а также иметь сосредоточенные и распределенные структуры. В настоящее время созданы десятки конструктивных разновидностей цриборов и устройств, реализующих эффекты переноса зарядов в жидких средах и на границе твердых и жидких фаз. Укажем, в частности, на планарные системы с применением жидких кристаллов, где электролиты находятся в тонких пленках, волокнах, капиллярах. Границы фаз, на которых происходит преобразование информации, как правило, электрически анизотропны, и на их основе возможен синтез новых пространственных распределений электронной плотности, не присущих априори объемам веществ, образующих эти границы. Важное значение имеют также фазовые границы в пленках, волокнах, капиллярах, в которых энергетические спектры определяются структурами сопрягающихся молекул, глобул, клеток и других более макроскопических образований. [c.5]

В атомах -элементов, как правило, на внешнем уровне содержится по два электрона за исключением тех элементов, которые в таблице подчеркнуты одной чертой. У последних наблюдается энергетически выгодный провал одного электрона с внешнего уровня на -подуровень внутреннего соседнего уровня, что происходит при достройке этого подуровня до пяти или десяти электронов, т. е. до состояния, когда все орбитали заняты каждая одним (половина максимальной емкости) или когда они заняты каждая парой электронов (максимальная емкость подуровня), В атоме палладия (2 = 46) происходит двойной провал электронов — его символ в таблице подчеркнут двумя чертами. Поэтому у атомов -элементов — аналогов электронная структура валентных подуровней не всегда тождественна. Так, у атомов элементов УШ-группы Сг, Мо, У она различна 3 Hs [c.81]

На рис. 4.1 изображена волна в некоторый момент времени I. С помощью уравнения (4.3) и графика (рис. 4.1) можно описать и электронные волны. Наглядной аналогией электронной волны является стоячая волна, возникающая, например, при колебаниях гитарной струны. Для таких волн характерно движение, при котором максимумы - - и минимумы — отклонения чередуются. Колебания на середине расстояния между максимумом и минимумом в любой момент времени отсутствуют. [c.144]

Значение концепции изолобальности состоит в том, что она перекидывает прямой мост, связьшающий структурные представления органической химии с усложненными структурами, характерными для химии переходных элементов. Он позволяет вскрыть аналогию электронного строения между внешне совершенно различными классами органических, металлоорганических и неорганических соединений, например увидеть, что тг-комплекс II является металлоорганическим спиропентаном. Соответственно неорганическая структура IV также изолобальна спиропентану III [c.356]

Комплексообразование актиноидов с ЭДТА изучено в значительно меньшей степени, чем комплексообразование лантаноидов. Равенство зарядов, близость значений ионных радиусов и аналогия электронных структур 4/- и 5/-элементов служат предпосылками к близости свойств их комплексов. В частности, в ряду трехвалентных катионов Ат +—Ст +—Вк +—СР+ устойчивость моноядерных комплексонатов с ЭДТА в целом лишь незначительно превышает таковую у их аналогов в ряду лантаноидов. [c.164]

Аллильная и бензильная группы отщепляются с большим трудом, чем ацетиленовая, а винильная и фенильная вообще не отщепляются, что связано, конечно, с устойчивостью образующегося карбаниона. В этой связи следует отметить легкость щелочного гидролиза три-метилсилильной группы, находящейся у циклопропенового угле-рода , что отражает определенную аналогию электронной структуры циклопропенов и ацетиленов. [c.140]

Этилнитрат [299—301]. Спектр поглощения показан на рис. 5-17 при 2537—2654 А важен процесс (1) при 3130 А ф1>0,24, фг<0,09, Фз<0,14 при облучении полным светом водородной лампы (через флюори-товое окно) наблюдается флуоресценция электронно-возбужденных этоксиль-ных радикалов, образующихся по реакции (1) (вероятно, аналог электронного состояния, наблюдаемого в полосе испускания ОН около 3064 А в этом переходе участвует пеподеленный электрон кислорода, промотируемый на разрыхляющую С — 0-орбиталь) [187]. [c.393]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология