Получение тетрахлорсилана

Галогенсиланы, в особенности хлорсиланы,— исходные вещества почти для всей Кремнийорганической химии. Тетрахлорсилан (15) получают взаимодействием кремния и хлора или из ЗЮг, угля и хлора. Хотя затраты энергии для этого синтеза велики, все ингредиенты доступны и дешевы. Благодаря легкости замещения у атома кремния (см. обобщение 1) тетрахлорсилан служит удобным исходным веществом для получения разнообразных галогенсиланов. Обычно в одну стадию легко заместить только один галоген схема (13) . Тетрахлорсилан более реакционноспо-собен, чем метилтрихлорсилан, который более активен, чем ди-метилдихлорсилан. В свою очередь, реакционная способность последнего выше, чем у триметилхлорсилана [32]. [c.73]

Для получения кремнийорганических соединений в качестве исходных веществ почти всегда используют галогениды кремния, преимущественно три- и тетрахлорсиланы. Способ производства этих соединений очень прост, поэтому они стоят дешево. Оба вещества можно получить, если пропускать безводный хлор или безводный хлористый водород над силицидами металлов при температуре около 300° С. Тетрахлорсилан получают однако в основном из кремневой кислоты и хлора в присутствии восстановителей при 700° С. [c.744]

Особо следует отметить, что тетрахлорсилан и трихлорсилан применяется для получения кремния полупроводниковой степени чистоты. В последнее время тетрахлорсилан нашел еще одну важную область применения. Он служит исходным веществом для получения двуокиси кремния высокой степени чистоты, которая используется для изготовления изделий из плавленого прозрачного кварцевого стекла высокой чистоты. [c.4]

Технические хлориды кремния, синтезированные тем или иным методом, содержат микроколичества различных примесей. Концентрация и химическая природа примесей обусловлены в первую очередь качеством сырья для хлорирования и условиями синтеза. Так, тетрахлорсилан, полученный из карборунда, содержит значительное количество углерода [2591, который невозможно удалить при ректификации. Процесс получения трихлорсилана из ферросилиция протекает при температурах более низких, чем процесс получения тетрахлорсилана. Следовательно, в первом случае продукт будет содержать меньше примесей. [c.57]

Тетрахлорсилан очищали по непрерывной схеме, обрабатывая сырой SI I4 инертным газом высокой степени чистоты (например, аргоном) [297]. Затем полярные примеси хлоридов фосфора, мышьяка, бора и железа удаляли сорбцией на силикагеле, обрабатывая получающуюся жидкость гранулированной медью, цианистым калием и серной кислотой. Полученный тетрахлорсилан восстанавливали водородом до Si. После зонной плавки кремния получали полупроводниковый кремний р-типа с удельным электрическим сопротивлением более 1000 ом-см. [c.70]

ТЕТРАХЛОРСИЛАН, (VI, 256-257), Si U. Мол. вес 169,92. Амиды [I]. Т. — эффективный конденсирующий агент для получения амидов из карбоновых кислот и аминов [c.497]

Тетрахлорсилан и трихлорсилан являютси основными исходными веществами для промышленного получения полупроводникового кремния. Тетрахлорсилан, кроме того, служит исходным веществом для получения двуокиси кремния высокой чистоты и других важных материалов [50]. Оба эти вещества при обычных условиях — легколетучие бесцветные жидкости, дымищие на воздухе вследствие гидролиза влагой воздуха. Некоторые физические константы их приведены в табл. У-9. [c.173]

Тетрахлорсилан впервые был получен в 1824 г. действием хлора на кремний при температуре красного каления [205]. Описано получение тетрахлорсилана из ферросилиция и осушенного хлора в фарфоровой трубке [206]. При этом образуется лишь небольшое количество высших хлоридов. При хлорировании сплава Са—51 в пи-рексовой трубке диаметром 6—12 мм (/ = 150 °С) получается смесь, состоящая из 65 вес. % СЦ, 30% 512С1б, 4% 51зС18 и 1% 514С1ю- [c.46]

Соединение трифенилхлорметана с B I3 образуется при комнатной температуре и вполне устойчиво до 150 °С, что позволяет отделять очищенные хлориды кремния дистилляцией. Применяя комплексообразователь в десятикратном избытке, авторы [270] получили тетрахлорсилан, содержащий примеси в следующих количествах (в %) Си <5-10- Fe <5-10- Mg<5-10-= Na < M0-=. В осадке было обнаружено более 1% V, 0,1—3,0% Ti, 0,01—0,93% Sn, менее 0,03% Al, Fe, Mg. Предлагалось [271] совместить очистку тетрахлорсилана от углерода с очисткой от фосфора и бора, используя для этого селективную дегалогенизацию примесей в газовой фазе при контакте с активными металлами [271]. Применение в качестве активного металла пористого цинка при t == --- 150—415 °С приводит к разложению хлоридов элементов П1 и V групп и получению достаточно чистых и бездефектных монокристаллов кремния. [c.59]

Связь кремния с галогенами. В отличие от углерода, кремний обладает повышенной способностью к образованию соединений с электроотрицательными элементами, и это резко выражено в его реакциях с галогенами. Связи кремний — галоген обладают очень высокой термостабильностью. Например, тетрахлорсилан Si U не разлагается при температурах выше 600° С. Введение в молекулы силана органического радикала приводит к заметному снижению тепловой устойчивости полученных соединений, исключение составляют лишь фториды. Так, три-метилфторсилан разлагается при 600° С. [c.550]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология