Реальный кристаллизатор с перемешиванием

Реальные кристаллизаторы работают в условиях, промежуточных между идеальным перемешиванием и идеальным вытеснением. Если вместо числа корпусов каскада ввести понятие числа теоретических кристаллизационных единиц ТКЕ (подобно числу теоретических тарелок при дистилляции), то работу реального кристаллизатора [c.115]

Этим способом можно характеризовать интенсивность перемешивания в реальных кристаллизаторах и облегчить моделирование процесса кристаллизации. [c.116]

Эксперименты свидетельствуют о том, что распределение (3.45) удовлетворительно описывает реальные полидисперсные кристаллические продукты на выходе из кристаллизатора полного перемешивания, за исключением частип,, размеры которых близки к нулю. [c.162]

При использовании уравнения (1.73) удается удовлетворительно описать реальные полидисперсные кристаллические продукты на выходе из кристаллизатора полного перемешивания, за исключением частиц, размеры которых стремятся к нулю. Анализ уравнения (1.73) показывает, что / при по- [c.90]

Во всех приведенных выше соотношениях полагалось, что величина скорости роста кристаллов (>и или к ) одинакова по всему объему кристаллизатора. По всей вероятности такое предположение достаточно близко соответствует действительному процессу в аппаратах полного перемешивания суспензии, когда концентрационные и температурные условия процесса во всех точках рабочего объема практически одинаковы. Однако более общий анализ показывает, что имеются некоторые причины, вследствие которых рост индивидуальных кристаллов может оказаться неодинаковым вследствие неоднородности параметров процесса по рабочему объему. Во-первых, в реальных аппаратах локальные значения концентраций и температуры суспензии не бывают совершенно одинаковыми и частицы в процессе своего случайного перемещения по всему объему попадают в зоны с разным пересыщением и температурой. Кроме того, относительная скорость движения отдельных кристаллов и жидкой фазы раствора также носит случайный характер, что при диффузионной кинетике роста должно приводить к случайному распределению величины скорости роста частиц к около некоторого ее среднего значения. По некоторым данным [9] флуктуации объемной скорости роста кристаллов могут достигать 50 % от ее среднего значения. [c.169]

Концентрация целевого компонента в пленке на входе в зону очистки соответствует его концентрации в маточной жидкости, покидающей крнсталлораститель ( п 1 =,//= ). Навстречу кристаллам движется поток флегмы Сф, обогащенной целевым компонентом, с концентрацией Сф. В реальных колонных аппаратах приходится учитывать массоперенос, обусловленный циркуляционными потоками, турбулентной диффузией и другими факторами, нарушающими регулярный режим. Продольное перемешивание уменьшает среднюю движущую силу и может в некоторых случаях существенно снижать эффективность работы колонны [31]. При рассмотрении общего случая работы аппарата (рис. 2.18) принимается, что исходный расплав Со с концентрацией Со поступает в зону очистки. К этому потоку из нижней (укрепляющей) части обогатителя приходит поток флегмы Сф с концентрацией oi и, смешиваясь, оба потока Сф 4-Со поступают в исчерпывающую часть обогатителя с концентрацией Со2-Концентрация пленки Са в месте ввода питания не меняется. Целевой компонент Сц выходит из плавителя с концентрацией Сц, а поток маточника См из кристаллорастителя с концентрацией См Принимая массовые расходы потоков, а также коэффициенты массопередачи и продольного перемешивания постоянными по всей высоте зоны очистки, считая, что концентрация целевого компонента в уравнениях выражена в массовых долях, можно составить уравнения материальных балансов для кристаллизатора в целом [c.108]

Рост кристаллов, согласно литературным данным, может определяться различными процессами [15]. Он может лимитироваться диффузией, кинетикой зародышеобразова-ния на гранях, наличием дислокаций и дефектов в кристаллической решетке. При массовой кристаллизации рост кристаллов происходит, как правило, при значительных пересышениях. В реальных условиях, кроме пересыщения, на их рост влияет ряд других факторов. В частности, к ним относятся температура, интенсивность и характер перемешивания раствора, наличие различных примесей, конструкция кристаллизатора и т. п. Все это делает применение теории роста кристаллов Гиббса—Фольмера в реальных условиях затруднительным, поскольку она построена на предпосылках, относящихся в основном к идеальным системам. Так, например, кинетика роста кристаллов, согласно термодинамической теории Гиббса—Фольмера, определяется образованием двухмерных зародышей. Возникновение же последних связывается с величиной максимального изменения свободной энергии системы представляющей собой тот энергетический барьер, преодоление которого необходимо для образования зародыша. В реальных условиях величина определяется не [c.8]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология