Несовершенства в кристаллах

Важный вид несовершенств в кристалле — линейные дефекты, или дислокации. Плотность дислокаций зависит от условий образования кристалла. Для металлов число дислокаций, проходящих через единицу площади, не менее 10 см для германия, кремния гь 10 см- , а при особых условиях их удается снизить до 10 см-2. 3 отличие от точечных дефектов, дислокации не являются статистически равновесными образованиями в равновесном кристалле они должны отсутствовать, поскольку образование их связано с очень значительным возрастанием энергии, а энтропийный выигрыш при этом невелик. Однако в процессе кристаллизации дислокации всегда возникают. Механические напряжения вызывают движение дислокаций, причем этот процесс сопровождается появлением в кристалле точечных дефектов. [c.193]

В литературе имеется значительный материал по электронно-микроскопическим наблюдениям за разрушением кристаллов различных веществ в результате как нагревания препаратов вне микроскопа, так и действия электронного пучка в приборе. Разрушение кристаллов в результате электронного облучения отмечалось в ряде работ, и сам по себе этот факт обычно является тривиальным. Впрочем, иногда только электронно-микроскопические наблюдения за характером разрушения кристаЛ лов могут представлять известный интерес. В качестве примера укажем на отличия в разрушении кристаллов хлористого калия и сернокислого бария, происходящие в приборе в результате интенсивного электронного облучения [46]. В первом случае (фото 39) наблюдалась обычная картина — испарение вещества в направлении от периферии к центру. Очертания первоначальных кристаллов можно было установить в процессе разложения по контурным следам, которые, вероятно, представляли собой остатки образовавшегося вначале загрязняющего углеродного слоя. В случае же сернокислого бария кристаллы, не изменяя существенно своих внешних очертаний, становились дырявыми (фото 40). Причина, по которой разрушающее действие электронного пучка локализуется в каких-то центрах внутри кристалла, остается неясной. Возможно, эти центры представляют собой области структурных несовершенств в кристалле. Во всяком случае, заслуживает упоминания тот факт, что электронное облучение может приводить к развитию внутренней пористости в некоторых телах. [c.181]

Другой и очень важный класс несовершенств в кристаллах известен под названием дефекты узлов. Нарушения происходят в масштабах атомов или молекул, и область нарушений локализована вокруг индивидуальных узлов решетки. Такие явления,"], как электролитическая проводимость и диффузия, объясняются наличием подобных дефектов в сочета- — [c.32]

Несовершенства в кристаллах можно подразделить на две категории химические и физические. К химическим дефектам [c.24]

ТЕРМОДИНАМИКА НЕСОВЕРШЕНСТВ В КРИСТАЛЛАХ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ [c.169]

При втором типе несовершенств в кристалле, называемых несовершенствами второго рода, порядка на больших расстояниях не существует. Если закономерность расположения близких соседних узлов решетки совершенно произвольная, то перед нами структура, близкая к аморфной если она достаточно хорошо определена, то мы имеем плохо закристаллизованные кристаллические тела, что присуще многочисленным органическим соединениям, состоящим из молекул сравнительно большого объема, между которыми порядок осуществляется за счет сил Ван-дер-Ваальса. Эти силы слабы по сравнению с межатомными силами, которые в неорганических кристаллах достаточны для обеспечения строгого порядка. [c.34]

Мартенситные превращения иногда называют без-диффузионными, что говорит о другой их важной особенности, состоящей в том, что при мартенситных превращениях происходит сдвиг одной или нескольких атомных плоскостей на сравнительно короткие расстояния, меньшие, чем межатомные. Во время такого сдвига связь между плоскостями не нарушается. Превращение не распространяется на весь кристалл одновременно, а затрагивает лишь небольшие участки кристалла в определенной последовательности. Это приводит к образованию небольших пластинок, которые можно наблюдать в виде поверхностных несовершенств в кристалле, полученном в результате превращения. Обнаружение таких несовершенств при микроскопическом анализе служит важным признаком мартенситного превращения. Но не всегда можно сказать с уверенностью, является ли данное превращение мартенситным или нет, и если оно мартенситное, то каковы точные направления сдвига. Такие исследования нелегко осуществить, и понятно, почему металлурги, занимающиеся такого рода изысканиями, получили больше сведений о мартенситных превращениях в сплавах, которые имеют практическое применение, а не в чистых металлах, которые, как правило, не имеют такого применения. [c.45]

В литературе по аналитической химии вопрос о загрязнении осадков запутан более, чем любой другой важный вопрос этой науки. Основная трудность заключается в четкой формулировке терминов и особенно— в отсутствии единой системы понятий. Так, термин окклюзия используется для обозначения самых различных понятий 1) в широком смысле, для обозначения всех видов захвата примеси 2) включения маточных растворов в кристаллах 3) появления несовершенств в кристалле в результате включения ионов или молекул постороннего растворенного вещества (в том числе, сольватационной воды). Термин образование смешанных кристаллов часто используется для обозначения изоморфного замещения ионов при образовании твердых растворов. По-видимому, более точно называть этот процесс образованием твердого раствора , особенно если необходимо подчеркнуть разницу между гомогенными и гетерогенными твердыми растворами с тем, чтобы избежать неправильного представления о смешивании двух типов кристаллов. Некоторые термины, например изодиморфизм (Ган) и адсорбция на внутренних поверхностях (Баларев) были предложены в связи с той или иной теоретической концепцией, но не вошли в употребление из-за отсутствия доказательств, подтверждающих правильность этой концепции (а иногда — из-за появления данных, опровергающих эту концепцию). [c.192]

Авторы детально анализируют полученные ими данные в -свете современной теории образования скрытого изображения, согласно которой светочувствительные центры представляют собой ловушки для электронов проводимости, где впоследствии локализуются положительно заряженные ионы. Предполагалось, что структурные несовершенства в кристалле бромистого серебра можно рассматривать как набор ловушек различного качества. Эффективность их использования при экспозиции зависит от природы, интенсивности и продолжительности применяемого излучения. Например, тот известный факт, что короткие экспозиции высокой интенсивности (альфа-частицы, рентгеновские лучи) менее эффективны, чем длительные средней интенсивности (видимый свет), объяснялся следующим образом. Во время экспозиции высокой интенсивности в зерне образуется сравнительно плотное электронное облако и заполняются многие (даже мелкие) ловушки. Поэтому скрытое изображение "будет высокодиснерсным и только немногие центры будут иметь шанс вырасти до критического размера, необходимого для последующего проявления в результате многие из экснониро-вапных зерен останутся пепроявленными. Напротив, вовремя экспозиции излучением средней интенсивности действует меньшее число ловушек и образуются большие но размерам скрытые центры, способные к дальнейшему восстановлению проявителем. [c.173]

Лит. Тихонов Л. В, О возможностях трансмиссионной рентгеновской топографии при использовании косонесимметричных и кососимметричных съемок, Украинский физический журнал , 1971, Л о 1 Иверонова В. И,, Р е в к е в и ч Г. П, Теория рассеяния рентгеновских лучей, М,, 1972 Пинскер 3, Г, Динамическое рассеяние рентгеновских лучей и идеальных кристаллах, М,, 1974 Н ь ю -киркД,, Верник Д, Прямое наблюдение несовершенств в кристаллах. Пер, с англ, М,, 1964 Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. Пер. с англ, М,, 1965. Л. В. Тихонов. [c.316]

Измерение периодов решетки. Многие виды несовершенств в кристалле изменяют периоды решетки в его микроскопических областях. Такие изменения периодов можно легко определить по методу Бонда [13], позволяющему измерить межплоскостные расстояния с точностью до нескольких десятитысячных долей процента. Поскольку объем, в котором излучение дифрагирует, очень мал (1 X0.025X0,005 мм), можно исследовать изменение периодов решетки от точки к точке и тем самым изучать стехиометрические вариации в кристалле [14]. [c.38]

В элементарных полупроводниках основную роль играют точечные дефекты типа примесных атомов. В полупроводниковых соединениях, которые в принципе являются фазами переменного состава, первостепенное значение имеют точечные дефекты типа вакансий (нарушение стехиометрии). Они, как правило, определяют структурно-чувствительные электрофизические и физико-химические свойства полупроводящего вещества. В частности, дефекты Шотткн могут быть не только структурным несовершенством в кристаллах полупроводникового соединения, но н функционировать как электрически активные центры, выполняя функцию оноров или акцепторов. [c.50]

Ньюкирк Д., Верник Д., Прямые наблюдения несовершенств в кристаллах, изд-во Металлургия , 1964. [c.37]

ЖИДКОЙ и твердой фаз практически совпадают. Из диаграммы (рис. 1.9) следует, что соединение АВ можно очистить зонной плавкой. Кристаллы, плавящиеся с образованием жидкости, в которой содержание компонента В больше, чем при максимальной температуре плавления, очищают зонной плавкой с выделением компонента В ( в < ) Кристаллы, при плавлении которых образуется жидкость, обедненная компонентом В по сравнению с составом при максимальной температуре плавления, очищают зонной плавкой с выделением компонента А ( д < ) В обоих случаях твердая фаза стремится достичь состава, отвечающего максимуму температуры плавления, т. е. точке m на рис. 1.9. Однако в общем случае точка т необязательно соответствует стехиометрическому составу. Все сказанное справедливо, если давление пара любого из компонентов соединения не играет никакой роли. В противном случае (как это наблюдается для разлагающихся соединений, обсуждавшихся выше) положение осложняется теперь каждой точке ликвидуса отвечает определенное давление пара летучего компонента. Если, поддерживая в системе определенное давление пара летучего компонента, удается предотвратить разложение, то система стремится сохранить состав, соответствующий этому давлению, например точке а на рис. 1.9. При зонной очистке таких соединений состав твердой фазы имеет тенденцию к сдвигу от а к Хт, причем расплав обогащается компонентом В. Однако теперь расплав больше не находится в равновесии с паром, поэтому реакция между указанными фазами (т. е. переход атомов В из расплава в пар) будет протекать до тех пор, пока снова не установится равновесие. Будет достигнуто стационарное состояние, для которого состав кристаллов оказывается промежуточным между а я т. Математический анализ зонной очистки соединений, содержащих и не содержащих летучие компоненты, проведен Ван-дер-Боомгаардом [211, а позднее Маделунгом [22]. Зонная очистка соединений без летучих компонентов не отличается от обычной очистки. Зонная плавка соединений с летучими компонентами сопровождается образованием несовершенств в кристаллах и дает возможность управлять их концентрацией, о чем подробно говорится ниже. [c.20]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология