Структура кристалла и решетка кристалла

Однако и до такого сжатия периодическая коллоидная структура обычно находится в состоянии только временного равновесия. Время от времени то одна, то другая частица перескакивает из положения равновесия в узле квази-кристаллической решётки в ближайшую потенциальную яму. Возникающие дефекты квазикристаллической решетки множатся необратимо и не могут залечиваться . Таким образом, в отличие от кристаллов, периодические коллоидные структуры находятся часто не в состоянии термодинамического равновесия, а [c.319]

Кристаллическая структура полиэтилена и виниловых полимеров с боковыми цепями различается по величине объема, приходящегося на о атом цепи, и по конформации, которая для виниловых полимеров в большинстве случаев является спиральной. Спиральные конформации возникают вследствие стерических ограничений в упаковке боковых групп в повторяющихся звеньях (разд. 2.4.2). Если боковые группы разделены в основной цепи полиэтиленовыми звеньями, стерические затруднения исчезают и необходимость в изменении конформации основной цепи отпадает. При этом лишь увеличивается объем решётки кристалла полиэти лена. Действительно, при сополимеризации пщ)аметр а кристаллической [c.378]

Линейная зависимость яркости от глубины проникновения электронов ( 8) и близкая к линейной зависимость её от плотности тока показывают, что до известных пределов число возбуждённых состояний в единице объёма люминофора пропорционально концентрации образующихся в материале вторичных электронов. Отсюда, в первом приближении, каждый поступающий первичный электрон производит в решётке кристалла свой независимый эффект. Нарушение линейности с возрастанием плотности тока есть результат перекрытия во времени и в пространстве тех элементарных объёмов, в пределах которых возможно независимое действие возбуждающих электронов. Оно прямо связано с числом и природой излучающих центров решётки и с условиями транспортировки энергии в кристалле. В тех люминофорах, где в силу особенностей структуры эффективный радиус излучающего атома мал (марганец в силикатах), повышение концентрации активатора уменьшает насыщение, а добавка гасящих примесей оказывает мало влияния. Обратная картина имеет место в полнокристаллических сульфидах. Здесь эффективный радиус действия активатора велик малого числа излучающих атомов достаточно для обслуживания крупных блоков решётки. Дополнительное повышение числа атомов активатора не оказывает влияния на насыщение, а малые примеси, наоборот, выводят из строя большое количество излучающих центров. [c.92]

Согласно работе Б. К. Вайнштейна (ДАН 68, 310 (1 49), атомы хлора образуют вокруг центральных атомов кобальта квадратную координационную сферу с расстояниями 2,53 и 2,54 от центрального атома Со и 3,58 и 3,57 друг от друга. В каждую координационную сферу центрального атома входят также по 2 молекулы Н О с расстоянием Со —0 = 1,93. Образующиеся, в результате, октаэдрические деформированные координационные сферы соединяются в цепи по обоим рёбрам. Интересный пример электронографического исследования структуры кристалла, основанного на применении Фурье-анализа для характеристики распределения потенциала кристаллической решётки, см. ДАН 54, 48 (1949). (Вайнштейн и Пинскер) и др. [c.643]

Выше указывалось (стр. 327), что в кристалле 2п8, сходном по структуре с алмазом, действуют как ковалентные, так и ионные силы. Нитрид бора ВЫ аналогично графиту имеет слоистую решётку (I), причем а-связям свойствен частично ковалентный, частично ионный характер, как и в кристалле 2п8. Отличие от последнего заключается в том, что в ВЫ гибридизация скорее тригональная чем тетраэдрическая зр . Так же как и в графите, п-электроны кристалла ВЫ занимают МО типа двойных баллонов , простирающихся на всю плоскость слоя. Здесь мы опять имеем твердое тело, промежуточное между типами 2, 3 и 4 (раздел 11.1). [c.330]

КРИСТАЛЛЫ Л1. чн. Физические тела, частицы которых образуют кристаллическую решётку обладают симметрией атомной структуры и анизотропией некоторых физических свойств. [c.227]

Кристаллическая структура. Как указывалось выше, ZnS, dS, MnS и PbS могут образовывать смешанные кристаллы —двойные, тройные и более сложные. В таблице 51 приведены некоторые данные о величинах постоянных кристаллических решёток ZnS, dS и M nS, выясняющие изменения, которые претерпевает решётка при образовании смешанных кристаллов [1,27]. [c.364]

Прямым доказательством того, что активные частицы водорода взаимодействуют с субстратом без модификации кристаллической решётки вещества, были получены в восьмидесятые годы [55]. Эксперименты проводили с З-метил-4-изопропилфенолом. Это вещество в растворе не является оптически активным, но при кристаллизации самопроизвольно образует хиральные структуры (право- и лево-вращающие кристаллы). Порошок, полученный из одного из видов кристаллов З-метил-4-изопропилфенола, перетирали с 5% Pt/ и выдерживали 95 мин при 80 °С в атмосфере водорода. Продукт реакции оставался оптически активным. [c.517]

Активирующий атом изоморфен с одним из компонентов кристалла и замещает его в решётке. При этом имеет место большее или меньшее (иногда локальное) изменение параметров, но в пределах существования твёрдых растворов тип структуры остаётся постоянным. [c.121]

Особенности вхождения активатора в решётку экспериментально освещены в многочисленных работах для люминофоров весьма разнообразного состава и кристаллической структуры. В хорошо известном изящном опыте по методу слоёв Вейсс [308] установил резкую разницу температуры, при которой каждый из активаторов вступает во взаимодействие с решёткой. В случае сульфида цинка диффузия меди начинается уже при 330° и ведёт к образованию нормальных люминесцентных центров в кристалле. При том же методе слоёв для марганца требуется 580—600° или 670—700° в условиях обычной термической обработки. Характерно, что близкая к марганцу температура взаимодействия с решёткой установлена для кадмия, который образует с сульфидом цинка непрерывный ряд твёрдых растворов. Реакция между тесно соприкасающимися порошками сульфидов цинка и кадмия получает заметную скорость при 650°, причём почти скачкообразно. При [c.124]

Структура песочных часов , наблюдаемая при фотолюминесценции некоторых минералов [245], наглядно свидетельствует о закономерности пространственного расположения атомов активатора в кристалле. С этой точки зрения кристалл располагает ограниченным числом мест для чуждых включений. В решётке сульфида цинка такие места могут быть замещены атомами серебра или атомами меди занятые медью места уже не замещаются серебром и даже больше предполагается, что избытком меди можно вытеснить серебро, заранее внесённое в решётку [232, стр. 130]. Аналогичная картина имеет место в синтезе катодолюминофоров. Полного вытеснения серебра здесь, однако, констатировать не удаётся спектры катодолюминесценции слишком чувствительны к посторонним загрязнениям решётки. При достаточной мощности возбуждения в катодолюминесценции можно подметить такие количества примесей, которые ускользают в фотолюминесцентном анализе. [c.126]

ВОЗМОЖНОСТЬ существования термодинамически нестабильных структурных форм, а в данной структурной форме—множества нарушений правильной периодичности поля кристаллической решётки, типичных для структуры реальных кристаллов. [c.147]

Теория идеального кристалла рассматривает пространственную решётку как математический прообраз структуры твёрдого тела, с той разницей, что кристаллографические точки заменяются в теории структур атомами и молекулами, собственную симметрию и ориентировку которых приходится устанавливать методами физики, нанример, путём изучения электронной плотности к кристалле. [c.218]

К указанным здесь вопросам примыкает и рассматриваемая нами проблема молекулярных сил на гранях кристаллов (диэлектриков). В самом деле, при известных условиях (адсорбционный слой на поверхности твёрдого адсорбента является двумерным кристаллом, поверхностное поле неоднородно, структура решётки адсорбента в основном сохраняется на гранях, имеется подобие между моле- [c.118]

Вопрос оптимального для люминесценции типа структуры не освещён систематическими наблюдениями. Для выводов необходима более широкая и строгая в экспериментальном отношении оценка люминесцентной способности различных соединений. Больнюй интерес представляет наблюдение, касающееся повышенной люминесцентной способности у соединений со слоистой структурой [139, 142, 143]. Оно подтверждается опытами с галоидными солями ряда двувалентных металлов, интересными опытами с силоксеном и его дериватами, многочисленными наблюдениями по люминесценции основных солей цинка (оксисульфаты, оксихлориды и т. д.) и довольно большим числом других наблюдений. Помимо чисто практического значения, знание связи между структурой и люминесцентной способностью важно в теоретическом отношении. Оно позволило бы установить характер энергетического спектра включений в решётке, механизм работы излучающего атома и особенности транспортировки энергии по кристаллу. [c.237]

Помимо типа и параметров решётки, существенное влияние на люминесцентные свойства оказывает степень совершенства самой структуры. Увеличение размера кристаллов до известных пределов влечёт за собой увеличение люминесцентной способности и, в частности, фосфоресценции. Необходимо при этом учитывать, что рост кристаллов обусловлен обыкновенно термической обработкой. Последняя систематически уменьшает поликристалличность материала, но скорее увеличивает число дефектов решётки. Эти дефекты, представляющие собой чисто локальные нарушения структуры и состава, могут быть вызваны различными-причинами. Помимо намеренно вносимых загрязняющих примесей, нарушения обусловливаются, например, ослаблением связи или ошибочным расположением элементов самого кристалла в решетке. Независимо от природы, места нарушений оказывают существенное влияние на ход люминесценции, так как искажают нормальное периодическое поле кристалла и служат местами для выделения и фиксации свободных электронов. Они оказываются также непроходимым барьером для резонансных процессов, которые принимают широкое участие в транспортировке энергии по кристаллу. [c.272]

Тип структуры. Влияние типа кристаллической структуры на затухание можно уверенно наблюдать лишь на соединениях с несколькими кристаллическими модификациями. Затухание их в катодолюминесценции, к сожалению, изучено мало. Первым примером служит сульфид цинка, кристаллизующийся в кубической (сфалерит, кл. 30) и гексагональной (вурцит, кл. 25) решётках. Как указано выше ( 14), разница в структуре модификаций весьма незначительна [З, 4, 5], и характер затухания обеих на основном этапе практически одинаков [289], но фосфоресценция вурцита заметно больше [163, стр. 224]. Из препаративной практики хорошо известно, что для получения сульфида цинка с наиболее длительным затуханием необходима термическая обработка, которая гарантирует образование в кристалле приблизительно одинаковых количеств вурцита и сфалерита. Обе решётки должны быть в тесном прорастании друг с другом. Эффект длительного послесвечения приписывается в данном случае возникновению дополнительных искажений решётки за счёт дифференциального сжатия и усиленного пластинчатого двойникования по плоскостям, параллельным граням тетраэдра [228, 255]. [c.193]

О различных тинах химичёской связи и разных тинах структур кристаллов. Расчёт энергии решётки на базе электростатйческих представлений [c.156]

Отсюда вытекает естественное стремление различных авторов к установлению связи между строением электронных оболочек атомов и типом структуры кристалла. Например Мотт и Джонс 2] отмечали, что с заполнением /-оболочек в решётке возникают значительные отталкивательные силы, благоп])иятствующие образованию типа Ск меди (по Фуксу, переход С/с-типа в С(7-тип требует затраты 0,1 электроновольт па атом )). С ростом количества позанятых мест в й-оболочке возникают и другие структуры. [c.359]

Основываясь на данных рентгеноструктурного и электронно-графического анализов, Ю. М. Бутт с сотрудниками 1119[ считает, что в объеме цементного камня раздельно существуют два вида кристаллических каркасов — гидросиликатнЫи"11 гидроалюминатный. Кроме них в структуре распределено большое количество индивидуальных кристаллов гидратов и их агрегатов, которые удерживаются механическими силами сцепления. Механизм срастания структурноподобных гидратов друг с другом описан ими следующим образом. В узком зазоре между сблизившимися (в результате броуновского движения) кристаллами возрастает концентрация вовлеченного раствора, а затем начинается процесс его кристаллизации. Вновь образующийся кристаллик на поверхности кристалла, возникшего ранее, растет в направлении, параллельном поверхности другого, достигает ее и срастается. Выделяющееся при этом тепло расходуется на восполнение убыли концентрации путем перехода в растворенное состояние части поверхностных слоев срастающихся кристаллов. Вследствие переотложения вещества зарастает зазор между сблизившимися частицами. Строение кристаллической решётки шва аналогично строению решеток срастающихся кристаллов, и его прочность может превышать прочность самих кристаллов. Интересно, что несколько ранее М. И. Стрелков [104] предполагал, что сращивание кристаллов протекает после окончания их роста, срастание кристаллогидратов происходит (после их сближения силами диспергационного давления) при помощи пересыщенного в узком зазоре между поверхностями кристаллов раствора подобно залечиванию дефектов в крупных кристаллах. [c.39]

Образование кристаллов неполярными молекулами, типа 0 , На, молекулами углеводородов и т. д. за счёт сил Ван-дер-Ваальса, известных химику из классических курсов физической химии, заставило выделить группу кристаллических структур с молекулярными решётками в самостоятельную группу, отличающуюся тем, что в таких кристаллах существуют значительные внутримолекулярные силы и слабые межмолекулярные, в отличие от ионных и атомных кристаллов, в которых границы молекул наметить не удаётся связи между всеми атомами кристалла в общем одинаковы ) и раз-.тичаются лишь по характеру в ионных кристаллах связь более близка к ионной, в атомных—к ковалентной. Мы говорим более близка потому, что, как вытекает из современных квантовохимических представлений, она практически никогда не бывает чисто ионной или чисто ковалентной, и между двумя крайними случаями существует множество промежуточных состояний, с которыми и приходится иметь дело при изучении структур веществ. [c.158]

Эта электропроводность обусловлена наличием дефектов в кристалле. Всякое локальное нарушение периодической структуры решётки приводит к появлению в зонной схеме дискретных электронных уровней (Вильсон). Эти дискретные (локальные) уровни в общем случае располагаются между потолком Гюследней заполненной (валентной зоны) и дном первой пустой зоны (зоны проводимости). Допустим, что при низких температурах локальнее уровни заполнены, [c.119]

Зависимость люминесцентной способности от параметров решётки выяснена очень подробно на большом числе бинарных и тройных систем. Замещение в сульфиде цинка катиона кадмием или ртутью, а аниона селеном или теллуром вызывает систематический сдвиг полосы излучения в длинноволновую часть спектра. Это смещение идёт совершенно плавно вместе с изменением состава, пока существует полная изоморфная смесимость и твёрдый раствор сохраняет тип структуры, свойственный чистым компонентам системы. Помимо цинк-кадмий сульфидов [111, 112, 113, 116, 138, 233], аналогично поведение полосы испускания в системах aS dS, ZnS aS. SrS dS [221, стр. 36—38], когда при наличии изоморфной смесимости в силу меняющегося состава изменяется расстояние между узлами и сила связи в решётке. В первой из указанных систем добавка сульфида кадмия понижает яркость свечения и сдвигает ).тах излучения в длинноволновую часть спектра такой же сдвиг во второй системе вызывается повышением концентрации сульфида цинка, но яркость свечения при этом прогрессивно растёт. Непрерывный сдвиг полосы излучения при изменении химического состава обнаружен также в активнрованно11 самарием системе aS SrS. Это дало основание предполагать [302, 241], что люминесцентные центры не представляют собой определённых химических соединений. Чуждые решётке излучающие атомы находятся под объёмным влиянием всего кристалла, и каждый из [c.271]

Возбуждение выводит кристалл из равновесного состояния, отвечающего минимуму свободной энергии. Искажённая возбуждершем решётка стремится перейти в первоначальное состояние и делает это, в частности, за счёт излучения. Способность кристалла удерживать возбуждённое состояние катастрофически падает с увеличением мощности возбуждения. Отсюда—преобладание в катодолюминесценции быстротекущих процессов и сокращение срока жизни метастабильных состояний. С другой стороны, гибкость решётки в смысле способности сохранять возбуждённое состояние растёт с приближением кристалла к идеальной структуре с умеренным числом на- [c.322]

Приведённых примеров достаточно для оценки роли поверхностных зон кристалла в ходе люминесцентного процесса. С поверхностным характером поглощения связано большое число паразитных процессов, на которые тратится поглощаемая люминофором энергия. Независимо от того, представляет ли акт поглощения полный отрыв электрона с переносом его в полосу проводимости или образуются только эксцитоны, поглощённая энергия должна быть перенесена от узлов решётки к излучающим атомам. Судьба её при этом будет существенно зависеть от глубины, на которой образовался первичный возбуждённый центр. Нормальное периодическое поле, характерное для более глубоких зон кристалла, уменьшает вероятность непосредственного перехода энергии возбужения в тепло относительно большая часть её может беспрепятственно достигнуть излучающих центров. Различные нарушения периодичности, вызванные поверхностями раздела, ошибочными положениями в решётке или наличием в ней чуждых атомов, служат непроходимым барьером для электрона в полосе проводимости, движущегося по уровням возбуждения эксцитона или при переносе энергии за счёт резонансных процессов. Все эти области нарушения структуры неизбежно повышают вероятность теплового рассеяния и понижают отдачу. [c.332]

Из описанных свойств свечения вытекают следующие заключения свечение имеет молекулярный характер и излучателем является молекула уранилового соединения. Частоты излучения определяются комбинацией частот электронного перехода и частоты колебаний группы иОа- Основное колебание последней связано с колебаниями атомов кислорода в группе уранила, однако в кристаллах к этим колебаниям, повидимому, добавляются колебания всей группы ПОз относительно кристаллической решётки. Составные части молекул анион, второй катион и кристаллизационная вода, сильно влияют иа структуру полос излучения и поглощения, на их относительную интенсивность и, особенно, на выход свечения. Растворение ураниловых солей вызывает возмущение верхних энергетических уровней молекулы и ведёт к размыванию спектров. Кроме того, возмущение верхних энергетических уровней способствует осуществлению безизлучательных переходов, вследствие чего выход люминесценции растворов оказывается значительно ниже выхода свечения солей. Излучение системы возбуждённых молекул но изменяет их распределения по энергетическим уровням возбуждённого состояния это распределение определяется температурой среды. Между моментом поглощения и моментом излучения присходит перераспределение молекул по уровням возбуждённого состояния, заканчивающееся в тече-Н1ге времени, малого по сравнению с длительностью состояния возбуждения, и сохраняющееся затем в течение всего времени затухания свечения. [c.224]

В спектрах поглощения чистейшех о ZnO и ZлS В. М. Кудрявцева [278, 279, 280] обнаружила колебательную структуру, что также свидетельствует о наложении колебательных частот решётки на основные частоты электронных переходов в ионах кристалла. [c.291]

O6 приведено изменение хода затухания при измельчении ZnS(80 %) - dS(20 %). Мп(10-3г/г)-фосфора 6)рентгенографическое исследование кристаллической структуры показало, что во всех случаях при размельчении кристаллов вурцитовые структуры переходят в сфалеритовые. Кроме того, происходят деформации решётки, вызванные внутренними сдвигами. Эти внутренние сдвиги и являются причиной уменьшения выхода свечения ZiiS-фосфоров. Изменение дебае-грамм кристаллов ZnS> dS-Mn при измельчении даёт фиг. XIII. [c.354]

Сернистые соединения и окислы и1ёлочноземельных металлов кристаллизуются в правильной системе, однако при приготовлении фосфоров они образуют по.т1икристаллы, составленные из столь мелких элементарных кристалликов, что долгое время щёлочноземельные фосфоры считались аморфными телами. Только применение самых больших увеличений, особенно электронного микроскопа, позволило установить их кристаллическую структуру. Ностояиныо кристаллической решётки устанавливаются рентгенографическим путём. Смешанные кристаллы тппа aS SrS обладают промежуточными свойствами относительно чистых aS и SrS. [c.385]

На рис. 148, а и 6 изображена идеальная структура монокристалла и поликристалла. На рис. 148, а показана структура идеального монокристалла. Пунктиром обозначены междуузлия или, как можно их назвать, узлы условной решётки. Эти узлы в структурах смещения и внедрения, см. нижеп.п. 5и7, заполняются атомами. В реальном кристалле возможны следующие отступления от идеальной структуры [c.220]

Хотя электростатический, в основном, характер связи сильно затрудняет попадание анионов в решётку катионов (и наоборот и т. п.) с образованием структур замещения, вычитания с дробными коэффициентами, ne следует полагать, что подобные явления в типично ионных кристаллах но могут вообще иметь места, хотя бы в весьма малой мере. Например, с удалением части ионов одного знака, скажем, с переходом от GaFj к составам, более близким к GaF, должно иметь место перераспределение электронной плотности в кристалле, как целом. Этот процесс облегчается, если один из ионов может иметь переменную валентность, с ним особенно приходится считаться в случае -элементов. [c.224]

Все эти молекулы образуют самостоятельные структурные узлы а, и кристаллы этих вещестп пранильно относить к одной и той же группе веществ с молекулярной решёткой. В равной мере нецелесообразно включать, например, Oj, FeS , a , СаБ в одну и ту гке группу структур (С), как это делает SB в структуре СО мы имеем один тип структурных узлов я = С02, [c.233]

Минерал из Сицилии образует правильные кубы с длиной ребра порядка 2 мм. Кристаллы дают порошковую диаграмму (Z. Krist. (А) 99, 238 (1938)), не поддающуюся инди-цированию, исходя из кубической или тетрагональной решётки, но хорошо удовлетворяющую гексагональной структуре с а =4,907 ==5,39Q-, la = i,0996 (ср. а-кварц), т. е. структура идентична а-кварцу рис. 373. Очевидно, что мела-нофлогит был прежде высокотемпературным р-кристоба-литом, который постепенно превратился в низкотемпературный а-кварц. [c.514]

Структуры многих кристаллов с типично молекулярной решёткой рассматривались нами в разделе Простые вещества (NjOo и т. д., а также инертные газы), галогениды>, гидриды и окислы> и т. п. [c.647]

Соответствующие снимки показали структуру чистой окиси стронция. Следовательно, поверхность такого оксидного слоя имеет другой состав, нежели его внутренность. В то время как внутри оксидного СЛ0Я ионы бария и стронция находятся на рас стояниях, соответствующих постоянной решётки смешанного кристалла BaO/SrO, на поверх юсти находятся одни лишь ио ы стронция, расстояние которых друг от друга определяется постоянной решётки чистой окиси стронция. Причиной отсутствия ионов бария в поверхностном слое является, повидимому, большая скорость испарения окиси барйя ( 29, 1), благод чему при прокаливании катода до высоких температур, во время превращения карбонатов в окислы и активирования, с поверхнобти испаряется преимущественно окись бария. При нормальном про цессе производства, это явление ограничивается лишь самой верхней частью слоя, тогда, как при ( лее продолжительвом яа каливании До высокой температуры ( 26) окись бария испаряется также и из более глубоких слоёв, вызывая при этом значительное падение эмиссии. [c.377]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология