Однородное уширение линий

Рис. Г-5, а — Зависимость нормированной амплитуды первой производной от Н (пропорционального для однородна уширенной линии ЭПР. Пунктирная кривая относится к неоднородно уширенной линии ЭПР. б — Зависимость нормированной ширины линии (между точками максимального наклона) от Я[ для однородно уширенной линии.

Рис. 1.8, Коэффициент поглощения однородно уширенной линии при различных интенсивностях возбуждения. Рисунок перепечатан с разрешения из книги Звелто [16], вышедшей в издательстве Тамбурини , Милан.

Следует подчеркнуть, что Т2 определяется через обратную ширину однородно уширенной линии. При неоднородном уширении обратную ширину невозможно связать с каким бы то ни было временем релаксации. Однако обратная ширина каждого спин-пакета определяет Гз Для данного пакета. [c.212]

Однородно уширенные линии обычно бывают лоренцевой формы. Если учитывать влияние насыщения мощностью СВЧ- [c.494]

Для трехуровневой рабочей схемы выражение для порога возбуждения генерации на волне однородно уширенной линии люминесценции имеет следующий вид [c.29]

Рассмотрим однородно уширенную линию, которая описывается классическими уравнениями Блоха, причем огибающая сип а имеет вид простой зкспоненты (4.3.6). Средняя мощность дается выражением [c.192]

Теперь полезно рассмотреть более подробно стационарный опыт по ДЭЯР для системы с 5 = 7г и / = 72, который кратко описан в разд. 13-1. Начинают с оптимизации интенсивности неоднородно уширенной линии ЭПР, после чего устанавливают поле в центре линии (т. е. при Ни на рис. 13-3, в). Мощность СВЧ берется несколько больше того значения, при котором интенсивность однородно уширенной линии была бы максимальной (рис. Д-5, а). Оптимальное значение магнитного СВЧ-поля Н1е для измерений стационарного ДЭЯР должно удовлетворять равенству у1н еТ1Т2—2> [128]. Здесь у —гиромагнитное отношение [c.392]

Выше было показано, что в результате диполь-дипольного взаимодействия парамагнитных частиц, распределенных в объеме парами с одинаковым расстоянием г между частицами внутри пары и углом ориентации пары 9, линия поглощения расщепляется на две линии (см. рис. 1.6, а). Величина расщепления в этом случае определяется углом 0 и расстоянием г. Однако такое распределение радикалов в объеме встречается сравнительно редко. Обычно парамагнитные частицы распределяются не парами, и более пли менее равномерно. Диполь-дипольное взаимодействие между ними тогда п риводит лишь к однородному уширению линии поглощения (см. рис. 1.6, в). [c.38]

Метод последовательного насыщения. В условиях адиабатически медленного прохождения (vмЯ у Я , у Т С где ум и Ям — частота и амплитуда модуляции магнитного поля) регистрируется изменение величины сигнала от напряженности СВЧ-поля Н . Зависимость интенсивности сигнала для однородно уширенной линии 7 = Я (Ц-Л )для неоднородно уширенной у тде А= / у1Н1Т1Т , если ширина линии за счет неоднородного распределения АЯ ф ДЯ п [49]. Ширина спин-пакета АЯсп = [c.457]

В случае неоднородно ун прениой линии явление насыщения носит более сложный характер. Качественно его можно описать следующим образом если суммарное уширение спектральной линии обусловлено неоднородным распределением однородно уширенных линий отдельных атомов, то интенсивная волна возбуждения /(оз) может взаимодействовать только [c.27]

Если в соединение, характеризующееся упорядоченностью своей структуры, активаторная примесь входит изоморфно, замещая один тип ионов матрицы, расположенных в строго эквивалентных позициях, то мы имеем дело с идеальным простым одпоцентровым кристаллом. В этом случае все элементарные центры являются идентичными, и связанная с ними спектральная линия представляет собой наложение множества тождественных по положению и контуру линий. В этом случае физические процессы, которые затрагивают весь ансамбль частиц, полностью совпадают с процессами взаимодействия в каждом отдельно взятом центре. Поэтому линии в спектрах, принадлежащих таким кристаллам, называют однородно уширенными. К однородному уширению линий активаторных ионов приводит естественное уширение связанных с ними состояний, которое обусловлено спонтанными излучательными и безызлучательными переходами. В реальных простых кристаллах вследствие микронеоднородностей (дефектов) самой матрицы даже при изоморфном вхождении примеси активаторные центры будут несколько отличаться друг от друга. Особенно это становится заметным при низких температурах, когда уширение уровней за счет безызлучательных переходов становится малым. В этом случае наблюдаемые линии представляют собой суперпозицию слегка разнесенных по частоте линий, принадлежащих отдельным центрам. В то яге время, как следует из теории, ширина электронной линии при Г О должна стремиться к величине порядка естественной ширины, т. е. к величине [c.25]

Оптические резонаторы с дисперсией могут также использоваться и для возбуждения стимулированного излучения на частотах отдельных однородно уширенных линий люминесценции активаторных ионов простых кристаллов и для перестройки частоты генорапии в пределах ширины этих линий. В связи с тем что ширина линий люминесценции сред с упорядоченным кристаллическим строением при 300 К составляет около 10 см -, условие (3.17) для них будет выполнить труднее. В этом случае в качестве дисперсионного элемента, полгещаемого в резонатор, можно использовать интерферометр <1>абри — Перо (см. рис. 3.22, в), у которого Аур может быть менее 1 м . [c.64]

Теперь pa штpи г результат , некоторых исследований по перестройке частоты генерации и по анализу спектрального состава стимулированного излучения активированных криста.тлов с однородно уширенными линиями люминесценции. Для обеспечения п.тавной нерестрой1<н частоты излучения [c.65]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология