Кристаллы двумерные несовершенные

Дальнейшим развитием молекулярно-кинетической теории роста и растворения кристаллов является дислокационная теория. Теория несовершенного роста кристаллов, или теория дислокаций [363— 368], является современной теорией и претендует на наиболее полное описание роста кристаллов из газовой фазы. Она объединяет все лучшее из существовавших до нее теорий. Основная идея ее заключается в том, что плоским двумерным зародышем новых атомарных или молекулярных слоев является дислокация — чисто геометрическое нарушение в кристаллической решетке. Дислокация обеспечивает наличие готовых ступеней на поверхности грани кристалла независимо от расстояния продвижения ступеньки, благодаря чему рост кристаллической грани становится непрерывным, так как разрастание слоя происходит достаточно быстро и считается, что оно не лимитирует скорости кристаллизации. [c.96]

Теория адсорбционного слоя [82—85] исходит из следующих положений. Молекула кристаллизуемого вещества при подходе к поверхности кристалла теряет часть своей кинетической энергии, в результате чего у нее остается возможность движения только в поверхностном адсорбционном слое, аналогичном по числу степеней свободы двумерному газу. Равновесие адсорбционного слоя с раствором возникает практически мгновенно, и решающим для кинетики является поведение частиц в самом этом слое. Молекулы, которые находятся у поверхности твердой фазы, имеют несколько возможностей включиться в кристаллическую решетку, возвратиться в раствор или при большом пересыщении образовать в двумерном слое новые зародыши, вызывающие возникновение и рост новой решетки (в этом случае кристалл растет несовершенно). Из этой теории выводится соотношение скоростей роста двух граней (1 и 2) при кристаллизации [c.54]

Большой интерес представляет случай, когда корреляция между соседними ячейками в кристалле анизотропна. В частности, в несовершенных кристаллах нередко встречаются два случая нарушение правильной периодичности в одном или двух измерениях, т. е. двумерный или одномерный порядок. [c.20]

Несомненно, что схема синхронного разгибания складок в отдельных ламелях мата и образования параллельно уложенных двумерных кристаллов несколько идеализирована. Поскольку упаковка кристаллов в матах достаточно несовершенна, (они сами могут содержать дефекты, быть разбиты на блоки мозаики и имеют доменное строение —от ориентации домена, как уже говорилось, по отношению к растягивающей силе зависит мода деформации на начальных стадиях растяжения), то реальный процесс скорее будет заключаться в неодновременном разгибании складок и рекристаллизации молекул, имеющих разную степень натяжения. Это приведет к образованию микрофибрилл с большой степенью разнодлинности сегментов молекул, находящихся в межкрнсталлитных аморфных промежутках. [c.183]

Типичным примером толстых структурно-несовершенных пленок являются соединения галогенидов на ртути, серебре и меди. Последние работы по изучению таких пленок и анодных процессов, приводящих к их образованию, показали значение методов дифракции рентгеновских лучей и электронов и оптической и электронной микроскопии для развития электрохимических исследований. Это обстоятельство подчеркивали Терек и Уинн-Джонс [178]. Так, Терек [179] показал, что каломельные пленки, образующиеся на поверхности ртути при анодной поляризации в растворе соляной кислоты, состоят из тетрагональных кристаллов, ориентированных плоскостью (ПО) параллельно подложке, причем растущие кристаллы двойникуются по плоскости (112) и показывают вращательное скольжение по плоскости (110). Возможно, что ориентация возникает благодаря очень хорошему совпадению плоскости каломели (110) с плотноупакованной, в первом приближении, поверхностью ртути. Наоборот, анодно-образующиеся пленки моноклинного сульфата одновалентной ртути состоят из беспорядочно ориентированных кристаллов. Боулт и Терек [180] показали, что бромид одновалентной ртути, также тетрагональный, образуется предпочтительно в той же самой ориентации, что и каломель, однако на ртути в растворе подида происходит образование смешанных, рыхлых и беспорядочно ориентированных отложений. С помощью электронного микроскопа они обнаружили также, что пленки хлорида и бромида одновалентной ртути состоят из пористых скелетных кристаллов. Они предполагают, что сначала на поверхности образуется двумерный монослой галогенида затем, путем переноса через этот слой или его пробоя, на некоторых участках происходит анодное растворение ртути до Нй +д , а на остальной поверхности раздела пленка/раствор осаждается каломель, причем катионы покидают ртуть у основания пор растущей пленки. Эта простая теория объясняет наличие пор. Однако трудно понять, каким образом происходит существенный перенос катионов через раствор, содержащий осаждающие анионы. [c.329]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология