Двойник в кристалле

При напряжении 1000 кВ и увеличении 30 000 в просвечивающем микроскопе при исследовании очень тонкого препарата (пропускающего электроны) клинкера наблюдали очень тонкие особенности структуры кристаллов блоки (субзерна) в кристаллах алита двойники в кристаллах белита напряжения и различные дефекты в кристаллах. Препарат готовился по методике полирование образца до толщины 10 мкм, затем полировка на клин и ионное травление. Конструкции микроскопов, работающих под высоким напрян<ением, разрабатываются. [c.156]

Двойники в кристаллах карбонатов чрезвычайно разнообразны и очень многочисленны. В качестве примера приведены двойники по 0221 13) и по кальцитовому закону по 0001 14), где двойниковой осью служит 1з. [c.173]

Бразильские двойники в кристаллах синтетического кварца [c.100]

Уравнение (19.28), а также соотношения типа (19.32) и (19.35) позволяют дать достаточно полное описание упругих двойников в кристалле. [c.306]

Автором работы [31] изучались процессы образования и дальнейших превращений двойников в кристаллах кальцита и натриевой селитры. Ддя этой це ш из образцов таких кристаллов четырьмя порезами получались прямоугольные призмы, ограненные с двух боковых сторон плоскостями сдвига. Поперечное сечение таких образцов располагалось в плоскости двойникования /С 1. Другая пара боковых граней располагалась перпендикулярно направлению сдвига (рис. 1.3). Образец закрепляли на столике поляризационного микроскопа так, что свет проходил перпендикулярно плоскости сдвига. На этом же столике укрепляли приспособление с толкателем, которым передавалась нагрузка. В поле зрения микроскопа можно было наблюдать прикосновение толкателя к кристаллу и все процессы двойникования (рис. 1,4). [c.17]

Чтобы пояснить последнее замечание, обсудим кратко проблему устойчивости двойника в кристалле. В работе [175] показано, что двойник у плоской поверхности полуограниченного кристалла всегда устойчив, если его длина значительно превышает размеры области приложения внешней нагрузки. Однако еще в работах [84,149] было отмечено, что в том случае, когда длина двойника сравнима с толщиной кристалла, его устойчивость нарушается. Ясно, что строго определить границы устойчивости двойника в ограниченном кристалле можно лишь на основании количественного анализа соответствующей задачи. [c.79]

Двойники. При условиях, неблагоприятных для скольжения, пластическая деформация кристаллов может развиваться путем двойникования. Двойникование представляет собой тип однородного сдвига, при котором две части кристалла становятся зеркальным отображением одна другой. Двойники в кристалле представляют собой нарушение, которое может быть получено взаимным зеркальным отображением двух частей решетки, расположенных по обе стороны от граничной плоскости (граница [c.234]

Кстати, такие границы существуют в действительности — это так называемые границы двойников. По опре- делению двойник в кристалле представляет собой нарушение, которое может быть получено взаимным зеркальным отображением двух частей решетки, расположенных по обе стороны от некоторой граничной плоскости (границы двойника). Такие нарушения возникают при росте зерен или при упругой деформации. Кристаллическая структура, возникающая при отражении, точно совпадает с исходной структурой, что является необходимым следствием зеркального отображения. Недавно группа японских ученых получила снимок такой границы с помощью электронного микроскопа (рис. 52). [c.165]

Простейшим примером двойника в кристалле является дефект упаковки, схематически изображенный на рис. 100. Атомные слои с двух сторон от так называемой плоскости двойникования гОх повернуты друг относительно друга на угол 2а. Сдвойникованная [c.301]

Рис. 3.9. Форма конца двойника в кристалле висмута [59] а в - застопоренные даойники

Формулы (3.28) и (3.29) в явном виде подтверждают сделанные вьпце вьшоды о том, что длина упругого двойника в кристалле велика в меру малости сил неупругого происхождения. Однако сама по себе длина двой- [c.67]

До описываемых здесь экспериментов предаолагалось, что удержать упругий двойник в кристалле распределенной нагрузкой нельзя [36]. Поэтому удержание и воздействие на упругий двойник в кристалле с помощью распределенной нагрузки представляло собой интересную экспериментальную задачу, впервые решенную в [77]. [c.92]

В описанных ниже экспериментах динамика двойника изучалась в условиях, наиболее приближенных к рассматриваемым в динактческой теории — в случае двойников, состоящих из прямолинейных двойникующих дислокаций. Характерные времена перемещения такого двойника в кристалле составляли 10 -10 с. Поэтому для исследования динамическо- [c.92]

Полученные в [289] результаты обнаружили еще более глубокую связь между термоупругим мартенситным превращением и упругим двойникованием.чКхшнообразные мартенситные кристаллы, так же как упругие двойники в кристаллах кальцита, увеличивались или уменьшались (с некоторым гистерезисом) в зависимости от того, увеличивалось или уменьшалось напряжение. Если мартенситный криста1ш проходил через все зерно, стано- [c.149]

Рис. 8.3. Перемещение упругого двойника и регистрируемая при этом АЭ а -. вход двойника в кристалл, б - выход на поверхность отрицателы1ых дислока-ций, в - выход на поверхность положительных дислокаций, г - шнигиляция дислокаций 1 - кристалл, 2 - двойник, 3 пьезодатчик, 4 - район нагружения

Сопоставление особенностей АЭ, сопровождающей образование микродвойников при локальном нагружении алмазной пирамидой и микродвойников при нагружении сферой в кальците, позволяет особенно наглядно показать влияние конфигурации внешнего упругого поля на протекание акта пластичности и тем самым на характер генерируемого при этом импульса АЭ. При микроиндентировании кристаллов кальцита можно в отдельных случаях вызвать появление одного микродвойника. Сопровождающий его импульс АЭ, как и в случае циркония, имеет вид радиоимпульса (рис. 8.17), характерный для сигналов АЭ, наблюдающихся обычно при механических испытаниях материалов. На рис. 8.3а приведена осциллограмма импульса АЭ, сопровождающего возникновение макроскопического двойника в кристалле кальцита при нагружении шаром. Этот импульс носит характер видеоимпульса. Такие различия обусловлены длительностью Гдисл соответствующих дислокационных событий. В случае макроскопического двойника она составляет 10 Тс, т.е. Гдисл с> случае микродвойника дисл < 7-с (Тс - период собственных колебаний датчика). [c.225]

Двойники в кристаллах карбонатов чрезвычайно разнообразны и очень многочисленны. Здесь приведен двойник (13) по 0221 и двойник по кальцитово-му закону (14) по 0001 , где двойниковой осью служит з. Особое значение в минералах группы карбонатов имеют двойники механического происхождения (результат пластических деформаций). Такие двойники легко образуются в кристаллах кальцита (15). Это рассматривается как сдвиг яо граням тупого отри-цательиого ромбоэдра 0112 в направлении ребра [1011] основного ромбоэдра 1011 . В кристаллах доломита механические двойники образуются труднее, в них плоскостью сдвига являются гранн острого отрицательного роыбоэдра 0221 направление сдвига —1[0111]. Такая особенность механических двойников обусловливает штриховку на спайных плоскостях доломитов всегда в на- [c.279]

Кристаллы со структурой алмаза весьма склонны к двойникованию. Даже в наилучгаих, ювелирного качества, алмазах повсеместно обнаруживаются двойники. В кристаллах элементарных полупроводников — германия и кремния, выращенных самыми раз- [c.371]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология