Тетраэдрическое кристаллическое поле

Рис. 23.31. Диаграмма энергетических уровней /-орбиталей в тетраэдрическом кристаллическом поле.

Поскольку октаэдрическое, квадратно-плоскостное и тетраэдрическое кристаллические поля вызывают различные расщепления пяти орбиталей, значительное влияние ш (I — -переходы оказывает геометрия комплексов ионов металлов. Спектральные данные для этих переходов должны давать информацию о структуре комплексов. В этом разделе мы прежде всего обсудим вопрос о том, как структура влияет на энергии различных состояний иона металла, и затем используем эти данные для определения структур различных комплексов. [c.100]

Таблица А.27. Сравнение энергии стабилизации в октаэдрическом и тетраэдрическом кристаллическом поле лигандов

Аналогичные диаграммы энергетических уровней можно построить для "-систем и в тетраэдрическом кристаллическом поле. Между этими диаграммами и диаграммами для некоторых систем в октаэдрическом поле существует интересное соотношение. Известно, что порядок расположения расщепленных -уровней в тетраэдрическом поле противоположен порядку уровней в октаэдрическом поле. [c.68]

Порядок расположения энергетических уровней для "-конфигураций в октаэдрическом и тетраэдрическом кристаллических полях [c.69]

С — октаэдрическое кристаллическое поле б — тетраэдрическое кристаллическое поле. Для ионов и рис. а относится к тетраэдрическому случаю, а рис. б — к октаэдрическому. [c.292]

Влияние искажения на спектры иона Си в тетраэдрическом кристаллическом поле. [c.206]

На рис. 1 представлены результаты измерения константы сверхтонкого взаимодействия в легированных марганцем двухатомных полупроводниках. Во всех случаях при изучении спектров э.п.р. обнаружено, что Мп2+ замещает элемент А в его нормальном узле и имеет тетраэдрическое кристаллическое поле. Экспериментальные см точки удовлетворительно укладываются на плавную кривую, поднимающуюся с ростом ионности. [c.53]

До сих пор мы рассматривали применение теории кристаллического поля лишь к комплексам с октаэдрической структурой. Если центральный ион металла окружен только четырьмя лигандами, комплексы чаще всего обладают тетраэдрической структурой, исключение составляют лишь ионы металлов с электронной конфигурацией о которых мы будем говорить чуть позже. Картина расщепления энергетических уровней -орбиталей металла кристаллическим полем в тетраэдрических комплексах отличается от описанной выше для октаэдрических комплексов. Четыре эквивалентных лиганда взаимодействуют с центральным ионом металла наиболее эффективно, приближаясь к нему со стороны четырех верпшн тетраэдра. (Наглядное представление об октаэдрическом и тетраэдрическом окружениях дает рис. 22.14.) Оказывается (хотя это и нелегко объяснить в нескольких словах), что картина расщепления энергетических уровней /-орбиталей мeтaJ лa в тетраэдрическом кристаллическом поле качественно противоположна картине, наблюдаемой в случае октаэдрического поля. Это означает, что три /-орбитали металла приобретают более высокую энергию, а две остальные, наоборот, более низкую энергию (рис. 23.31). Поскольку в тетраэдрических комплексах всего четыре лиганда вместо шести в октаэдрических комплексах, расщепление кристаллическим полем для тетраэдрических комплексов имеет намного меньшую величину. Расчеты показывают, что при одних и тех же ионах металла и лигандах расщепление кристаллическим полем для тетраэдрического комплекса составляет всего д соответствующей величины для октаэдрического комплекса. По этой причине все тетраэдрические комплексы относятся к высокоспиновым кристаллическое поле [c.398]

ЗсР (тетраэд.). Как показано на рис. 11-6, а, в тетраэдрическом кристаллическом поле семикратно орбитально вырожденное состояние газообразного иона ЗсР расщепляется так, что низщим становится орбитальный синглет. Таким образом, эта [c.316]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология