Энергетические расщепление

Теперь -фактор выражен в тензорной форме, а Я, например, представляет компоненту магнитного поля, направленную вдоль главной г-оси -тензора. Преимущество применения спин-гамильтониана заключается в том, что в него в явном виде входят члены, учитывающие только спиновое взаимодействие. Влияние индуцированного орбитального момента учитывается -тензором и является причиной его анизотропии и отклонения от значения ge. Константу спин-орбиталь-ного взаимодействия данного атома можно оценить из известных данных оптической спектроскопии. Таким образом, из наблюдаемых --тензоров можно определить симметрию парамагнитного центра и величину энергетического расщепления. [c.421]

Лиганды можно расположить в ряд, в котором каждый последующий лиганд вызывает смещение полос поглощения в область более высоких волновых чисел или более высоких энергий поглощаемого света. В этом спектрохимическом ряду лиганды располагаются в порядке понижения силы создаваемого ими кристаллического поля и уменьшения энергетического расщепления -подуровня (см. с. 204). [c.347]

Лиганды, находящиеся в левой части спектрохимического ряда, называются лигандами слабого поля или просто слабыми лигандами. Те лиганды, которые находятся в правой части спектрохимического ряда, называются лигандами сильного поля или сильными лигандами. На рис. 23.27 схематически показано, что происходит с энергией расщепления кристаллическим полем при изменении лигандов в ряду нескольких комплексов хрома(Ш). (Здесь уместно напомнить, что при последовательной ионизации атома переходного металла первыми отрываются валентные -электроны. Поэтому атом хрома имеет электронную конфигурацию [Аг] 45 3 , а ион Сг имеет конфигурацию [Аг] 3 .) Отметим, что с усилением поля, действующего на ион металла со стороны шести окружающих лигандов, расщепление энергетических уровней -орбита-лей металла усиливается. Поскольку спектр поглощения связан с этим энергетическим расщеплением, окраска комплексов неодинакова. [c.394]

При исследовании неметаллических образцов на их поверхность напыляется тонкий слой (— 0,1 мкм) сверхчистого металла (А1, Ли, Мп, Си, Ag и др.). Для проведения электронно-зондового микроанализа используют кристалл-дифракционные рентгеновские спектрометры и спектрометры с анализом энергетического расщепления рентгеновского излучения. В качестве детекторов рентгеновского излучения используют счетчики Гейгера — Мюллера, газонаполненные пропорциональные и сцинтилляционные счетчики [41, 366, 820], а также 81(Ь1)-детекторы [366, 1001]. [c.118]

Рис. 2,4. Энергетическое расщепление -подуровня в комплексах различной симметрии

Рис. 23.12. Энергетическое расщепление -орбиталей в октаэдрическом комплексе (качественная картина).

Энергетическое расщепление между уровнями с заданными значениями квантовых чисел S и L, но с различными значениями квантового числа У обусловлено спин-орбитальным взаи- [c.171]

Качественное предсказание последовательности молекулярно-орбитальных энергий гомоядерных двухатомных молекул возможно потому, что диагональные матричные элементы гамильтониана (которые аппроксимируют энергетические уровни атомных орбиталей) для конкретной атомной орбитали имеют одинаковое значение у обоих атомов. Главные взаимодействия в молекуле происходят между одинаковыми орбиталями на двух атомах. Энергетическое расщепление уровней возникающих молекулярных орбиталей является в первом приближении симметричным относительно их исходного энергетического уровня. Относительные величины расщеплений а- и я-типов можно установить на основании учета геометрических факторов. [c.230]

Обозначим через ( /о синглетное основное состояние, а через Vn — возбужденные состояния с той же совокупностью чисел L и S. Энергетическое расщепление между состояниями % и % обычно много больше, чем спин-орбитальное взаимодействие. Поэтому можно считать, что член Ai S описывает возмущение. Теория возмущения первого порядка позволяет представить основное состояние Tq как [c.420]

Из энергетического расщепления П2/з- и П,/2-состояний можно найти, что константа спин-орбитального взаимодействия N0 составляет 0,01 эВ. Расшепление Л между ст- и 7г -орбиталями для молекулы этого типа составляет 3—5 эВ. Расщепление б между тг - и тг -орбиталями, по-видимому, много меньше, чем Л. Следовательно, можно предположить, что [c.424]

Напомним, что энергетическое расщепление -уровней в кристаллическом поле является результатом повыщения устойчивости 2я-орбиталей, т. е........их энергии (i2g) с [c.136]

Парамагнитный резонанс и релаксация u " и N1 в MgO и СаО, Определение энергетических расщеплений вследствие эффекта Яна—Теллера, [c.203]

Таким образом, из экспериментальных данных по энергетическому расщеплению линий в квадрупольном спектре можно найти величину QU г Для определения знака этой величины необходимо дополнительно исследовать, какой из пиков соответствует я-, а какой — а-переходу. На рис. 1.19 схемы расположения уровней приведены для случая, когда 0,Ьгх > 0. В противном случае уровень с т = 2 будет располагаться ниже уровня с т = V2 Выражение (1.96) было получено в предположении аксиально симметрич- [c.55]

Возможные первичные фотофизические процессы в нафталине и абсолютные значения энергий нижних возбужденных состояний нафталина и бензо-фенона изображены на рис. 4-15. Энергетические расщепления Т1 [c.235]

На рис. 8.2.2 представлены две из трёх серий компонент сверхтонкой структуры, соответствующие изменениям квантового числа F" на +1 и 0. Квантовое число F, возникающее при квантовании проекции магнитного момента ядра на направление орбитального момента электронной оболочки, определяет величину энергетического расщепления компонент СТС [103] [c.377]

Энергетическое расщепление уровней и А [c.42]

Неэмпирические расчеты геометрии и энергетического расщепления между основным и первым возбужденным состояниями проведены и для ряда других карбенов и их аналогов (см. 375], а также рис. 2.2 и 2.3). По данным этих расчетов, в полном соответствии с экспериментальными данными, видно, что при наличии в а-положении к карбеновому центру атомов F, С1, N или О основным состоянием является синглет, а при наличии только атомов С или Н — триплет, что соответствует результатам исследования методом ЭПР. [c.44]

Как говорилось в гл. 9 (см. рис. 9.18), взаимодействие магнитного диполя электронного спинового момента с орбитальным моментом Ь 8 представляет собой спин-орбитальное взаимодействие. Изменение величины спин-орбитального взаимодействия в различных электронных конфигурациях также приводит к расщеплению термов, о которых уже шла речь. При рассмотрении этого эффекта широко используются две схемы так называемая схема взаимодействи.ч Рассела — Саундерса, нлк xe.ua Р 8-взаимодействия, и схема ] -взаимодействия. Если электрон-электронные взаимодействия приводят к большим энергетическим расщеплениям термов по сравнению с расщеплениями, обусловленными спин-орбитальным взаимодействием, пользуются первой схемой. В этом случае мы по существу рассматриваем спин-орбитальное взаимодействие в качестве возмущения энергий отдельных термов. [c.67]

На рис. 68 представлена энергетическая диаграмма октаэдрического комплекса. Такая диаграмма объясняет магнитные и оптические свойства, а также целый ряд других особенностей комплексных соединений. Как видно из рис. 68, картина комплекса в ММО значительно полнее, чем в ТКП. Так, для октаэдрического комплекса ММО учитывает 15 МО, в то время как ТКП оперирует только вкладом пяти -орбиталей. -Орбиталям ТКП на энергетической диаграмме ММО отвечают трижды вырожденные НМО, а 7-орбиталям — дважды вырожденные РМО. В ММО энергетическое расщепление происходит в результате образования ковалентной связи и перекрывания орбиталей центрального атома и лигандов. Чем больше перекрывание электронных облаков, тем больше значение энергии расщепления Д. Так же как и в ТКП, в ММО распредетение электронов по орбиталям и 7 рассматривается в зависимости от соотношения энергий расщепления и спаривания. Энергия связи может быть оценена на основании величин энергий отрыва электронов с соответствующей СМО. Выигрыш в энергии, например, для [ o(NHз)6] выше, чем для [СоГе] , так как в первом случае на СМО содержится 12 некомпенсированных электронов, а во втором — только 10. [c.120]

В наилучшей степени это условие выполняется для атомов, поскольку разность энергий между длектронными -термами — щтшстъежттж термами, которые характеризуют внутреннее состояние атомных частиц,— как правило, намного превышает величину энергетического расщепления колебательных и вращательных термов молекул. Разумеется, атомы не должны находиться в вырожденном электронном состоянии, поскольку для переходов между вырожденными состояниями параметр Месси очень мал, и пренебречь изменением внутреннего состояния нельзя. Эти условия накладывают серьезные ограничения на возможные плры частиц, при столкновении которых можно пренебречь неупругими процессами. В частности, столкновение двух атомов инертных газов или атома щелочного металла с атомом инертного газа может служить иллюстрацией упругого столкновения. Именно исследованию столкновений такого типа посвящена большая часть работ по упругому рассеянию. [c.101]

ОНИ взаимодействуют, что приводит к энергетическому расщеплению 26x2, очень малому по сравнению с тем, что изображено на рис. 3,6. Тогда возникает вопрос, будет ли система оставаться на низшей поверхности или, иными словами, будет ли она вести себя адиабатически или будет перескакивать через очень маленький промежуток между двумя поверхностями Приближенный ответ на этот вопрос дали Ландау, Зепер и Штюкельберг [13]. Вероятность перехода выражается как [c.502]

В ЭПР-спектрах обычно применяют длины волн 3 и 0,8 см (здесь и в дальнейшем мы ограничимся рассмотрением только ЭПР в сильных полях), что-соответствует частотам со — 10 сек Ч Соответствующие разности энергий АЕ1 — 10 ав много меньше энергетического расщепления электронных термов, обусловленного кулоновским и обменным электронны ш взаимодействиями. Поэтому при расчете энергий магнитных подуровней можно учитывать только одну электронную конфигурацию, которая соответствует интересующему нас терму парамагнитной частицы. Обычно это основной электронный терм, хотя в принципе это может быть и некоторое возбужденное состояние, например фото-индуцированное триплетное. [c.9]

Из сопоставления геометрических построений (рис. 4), демонстрирующих распределение ближайших атомов по отношению к и -уровням центрального атома переходного металла для идеального (а) и искаженного (б) (в соответствии с кристаллической структурой Сг312) тетраэдров, можно сделать вывод, что у атомов хрома в дисилициде Зйг -уровень будет располагаться выше, чем Зс1х -у2. При этом энергетическое расщепление достигает, вероятно, значительных величин, приводящих к большей стабильности низкоспинового распределения электронов по уровням (в соответствии с магнитными свойствами Сг512). [c.295]

Простое выражение для вероятности в( ) резонансной дезактивации энергии ридберговских электронов может быгь получено для степенного закона энергетического расщепления Ша г) К(% г для [c.283]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология