Эверсол

По этим причинам мы не можем включить в наше краткое изложение обзор и оценку результатов экспериментального исследования электрокинетических явлений. Даже в такой обстоятельно написанной книге, как [2 ], Овербек, один из авторов, оказался не в состоянии прийти к однозначным выводам по этим вопросам. Большая часть работ по электрокинетическим явлениям посвящена исследованию зависимости -потенциала от концентрации электролита. В то же время именно эта простейшая на первый взгляд зависимость не может быть получена теоретически однозначно. Можно было бы предположить, что расстояние б от плоскости скольжения до внешней фазы, определяемое гидродинамическими факторами, должно быть одним и тем же для разбавленных водных растворов, находящихся в контакте с твердой гладкой поверхностью. Однако попытки Эверсола и Бордмена (1941 г.) рассчитать б из данных, полученных путем исследования зависимости (с), привели к необъяснимым результатам значения б оказались в интервале от 8 [c.154]

В. Эверсол использовал в основном порошок с размером частиц до 1 мкм и наращивал до 60% новой фазы. Дифракцией электронов было доказано, что структура наращенной новой фазы соответствует алмазу. Плотность алмаза наращенного на 21%, определенная методом флотации, оказалась равной 3,48 г/см , тогда как исходные кристаллы, очищенные прокаливанием в водороде, имели плотность 3,49 г/см , т. е. практически ту же. Содержание углерода -В наращенном алмазе составляло 99,4 + 0,40% против 99,6 + Чг 0,40% в исходном алмазе. [c.55]

Наибольшее увеличение веса исходного порошка было 59,50%. В этом случае проведено 85 последовательных циклов наращивания (по 1,8 часа) и очистки (по 4,5 часа). Обработка результатов экспериментов Эверсола показывает, что чем меньше продолжительность цикла наращивания, тем выше его скорость. Изменение времени наращивания от 4 до 16 час. не увеличивало общего привеса алмаза, но средняя скорость наращивания, количество наращенного нового алмаза в единицу времени, естественно, уменьшалось, что указывало на то, что поверхность растущего алмаза по истечении определенного времени полностью блокируется графитом. [c.55]

В 1968 г. Дж. Ангус, Г. Уилл и В. Станко [47] опубликовали статью, посвященную воспроизведению и проверке патента Эверсола. Наращенные алмазные порошки были исследованы посредством измерения плотности, спектрального, рентгеновского, электронографического анализов, исследований микроволнового поглощения. Все эти методы современного анализа показали полную идентичность наращенного и исходного алмазов. В 1971 г. на Международном конгрессе по синтетическим алмазам в Киеве Дж. Ангус докладывал о наращивании полупроводникового алмаза на затравочных алмазных порошках. Полупроводниковый алмаз получался за счет легирования бором алмаза, растущего из метана [481. [c.56]

Для опытов Эверсола характерны следующие условия температура в интервале 600—1600 С, общее давление газа — одна атмосфера, концентрация метана в газовой смеси от 0,015 до 7%. Затравки имели размер всего лишь 0,1 мкм (десятитысячная доля миллиметра) в диаметре, что обеспечивало большую поверхность для осаждения алмазов. К сожалению, помимо алмаза в газовой фазе образовывались также скопления графита, которые осаждались вместе с алмазом на поверхности затравочных кристаллов. Если время от времени ие останавливать процесс для удаления графита, его концентрация настолько возрастает, что препятствует осаждению алмаза. Для этого в методе Эверсола предусматривалось периодическое извлечение алмазов, которые затем помещались в сосуд высокого давления (от 50 до 200 атм) с водородом и прокаливались при температуре 1000°С-Водород вступает в реакцию с графитом намного быстрее, чем с алмазом, поэтому такая процедура очищает поверхность затравочных кристаллов для последующего роста. [c.82]

Метод Эверсола в США развивался в основном Дж. Ангусом и его сотрудниками в университете штата Огайо [34]. Используемые ими условия роста температура 1000°С, давление метана (в смеси с водородом) 0,2 мм рт. ст.—близки к УСЛОВИ51М экспериментов, проводимых группой Дерягина. Прирост веса составляет обычно 6% за 20 ч, что соответствует линейной скорости роста только 0,001 мкм/сут. Более высокие скорости наблюдаются в начальный период процесса, что, вероятно, связано с напряжениями, обусловленными небольшими различиями расстояний между атомами углерода в пленке н кристалле-подложке. Возможно, что очень высокие скорости роста, о которых сообщалось советскими учеными, также характерны только для начальной стадии процесса. [c.83]

Неро и Эверсоль опубликовали результаты измерения поверхностного натяжения растворов хлорной кислоты с концентрацией О—72,25% при 15, 25 и 50 °С. Они нашли, что существует максимум, соответствующий составу НСЮ4-ЗН2О при всех температурах (табл. 7, стр. 34). [c.27]

Поверхностное натяжение растворов хлорной кислоты (по данным Неро и Эверсоля ) Таблица / [c.34]

Эверсол и др. 2 обнаружили приблизительное постоянство частоты образования пузырьков в определенных условиях и экспериментально показали, что при использовании капилляров с диаметром отверстий 0,14— [c.84]

Попытки синтезировать алмазы в области термодинамической устойчивости графита не прекращаются и в настоящее время. Так, например, Эверсол (цит. по [30]) получил патент на процесс синтеза алмазов путем пропускания газа, содержащего метильную группу (например, метана, этана, пропана, Hg l или ацетона), над алмазным порошком при температуре около 1000° С, под давлением 0,2 мм рт. ст. Через несколько часов алмазы покрывались черной пленкой, представлявшей собой преимущественно графит эта пленка удалялась хромовой смесью или путем нагревания при 1000 С в водороде (10—50 атм) в течение нескольких часов. После такой обработки алмазная пыль обнаруживала привес на 1—4%. Этот процесс рекомендуется повторять, что приводит к дальнейшему увеличению веса алмазов. [c.83]

Но быстрее дело, к сожалению, не двигалось. Грани кристаллика росли медленно, как и предупреждал почти тридцать лет назад Франк-Каменецкий. Увидеть, что они и в самом деле растут, было совершенно невозможно за час прибавлялось всего несколько микрон. Тем не менее это было уже в тысячу раз быстрее, чем у Эверсола, и, главное, не нужно было прерывать синтез для очистки кристалла от графита. [c.132]

Потом удалось вырастить усы самых разных форм и размеров. И даже круглые, и даже слегка ограненные алмазные наросты. А самое замечательное было то, что усы росли с поразительной для а.тмаза скоростью в среднем но 10 микрон в час. Если но способу Эверсола слой толщиной в миллиметр мог образоваться на грани кристалла за 10 млн. часов чистого роста, то здесь алмазный ус иногда подрастал на 1 мм всего за 4 часа. В 2,5 млн. раз быстрее [c.132]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология