Распределение электронной плотности в алмазе фиг

Рис. 7. Кривые распределения плотности электронных состояний в валентной зоне алмаза (о), графита (Ь). карбина (с) и электронные термы углеродных цепочек С для п= -8 (с )

Рассматривается влияние характера и энергии межатомного взаимодействия на структуру и физические свойства кристаллов. Изучаются факторы, определяющие термодинамические свойства и их температурные зависимости. Разбирается влияние некоторых параметров на форму частотного спектра на примере кристаллов со структурой алмаза. Рассматривается вопрос об определении упругих констант как производных энергии кристалла через функции распределения электронной плотности, представ-тенные различными аппроксимациями. [c.358]

Рис. 57. Распределение электронной плотности в плоскости (ПО) алмаза [154], Вблизи единичной изолинии плотность соответствует р.

На рис.7с приведена кривая распределения плотности электронных состояний в валентной зоне образца карбина. Для сравнения приведены теоретические данные для алмаза (рис.7а) и фафита (рис.7Ь). Внизу (рис.7с1) изображены эпекфонные термы линейных цепочек углерода С , рассчитанные методом линейной комбинации атомных орбиталей (ЛКАО) для п=2.3.- -,8. Как видно из расчетных данных, цепочки состоят из глубоко залегающей <т-зоны и расположенной выше нее л--зоны. [c.31]

Алмаз — типичное вещество с ковалентной или гомеополярной связью. Кристаллическая решетка алмаза (рис. 153) состоит из двух кубических гранецентрированных подрешеток, сдвинутых относительно друг друга на Д длины диагонали куба. В ковалентной связи участвуют только электроны внешней оболочки атомов так, что распределение электронной плотности в направлении четырех вершин тетраэдра одинаковы. Это состояние отвечает зр -гибридизации. [c.412]

Исследования пространственного распределения электронной плотности в алмазе показали, что электронная плотность в тетраэдрических направлениях не падает до нуля, как это характерно для ионных соединений, а создает электронные мостики [46, 47]. [c.63]

Химическая связь в алмазе обычно рассматривается как ковалентная, парно-электронная, насыщенная, направленная. Экспериментальные исследования распределения электронной плотности в алмазе показали, что она не падает до нуля в тетраэдрических направлениях, а дает картину электронных мостиков [2, 3, 4]. [c.96]

Распределение электронной плотности в ковалентном кристалле, алмаз (ср. с рис. 134) [c.145]

Те же самые принципы, которые справедливы для поверхности кристаллических веществ, сохраняют свое значение и для поверхности аморфных твердых тел. Кристаллы могут иметь чисто ионную структуру, как, например, НаР, или чисто ковалентную, как, например, алмаз. Однако большинство веществ находится где-то между этими двумя крайними случаями (даже в случае фторида лития путем точного определения распределения электронной плотности была показана [ ] возможность образования связи между катионом и анионом). Установлено, что в большинстве аморфных веществ преобладают ковалентные связи. Как и в жидкостях, в них обычно имеется некий ближний порядок, сходный с упорядочением в соответствующих кристаллических структурах. Очевидно, это [c.186]

Распределение электронной плотности, получаемое по РМХ для кластера С35 ковалентного кристалла алмаза, совершенно не соответствует действительному заряды на атомах принимают значения от 0,38 на центральном атоме до —0,76 на краевых, проходя через значения 0,37, 0,17, 0,06 для промежуточных атомов. [c.144]

При снятии циклических граничных условий распределение электронной плотности в алмазе искажается гораздо сильнее, чем в КС1 и LiH (см. рис. 4.8 и 4.6) заряд на атоме Г (окруженном в кластере ближайшими соседями (см. рис. 4. 10.в)), равен +0,68, а на краевых атомах 1 и 9 он получается —1,67. Для остальных атомов заряды принимают промежуточные зна- [c.242]

Рентгенографическое определение распределения электронов в кристаллах. VII. Плотность электронов в решетке алмаза и решетке кремния. [c.191]

На это. , 1 рисунке сопостаЕ-лены кривые распределения электронной плотности 4х(г--/ (г) валентных электронов нейтральных атомов в решетках алмаза, кубического ВК, ВеО п Ь1р вдоль линии, соединяющей соседние атомы А и В. При этом для случаев С, ВК и ВеО величина /(г) соответствует гибридным 5р -орбиталям, а в случае кристалла Ь1р чистой 5-орбиталн (нейтрального) атома и чистой р-орбитали (нейтрального) атома Р (атомные волновые функции взяты нз расчетов по методу Хартри — [c.143]

Итак, кристалл рассматривается как трехмерное периодическое потенциальное поле, в котором движутся валентные электроны. В соответствии с этим волновая функция электрона имеет в идентичных позициях в каждой элементарной ячейке одну и ту же амплитуду. На рис. IV.9 показано распределение электронной плотности в решетке алмаза, на рис. IV. 10 — в решетке Na l. [c.324]

Рассмотрим еще раз свойства связей в твердых телах при помощи диаграмм электронной плотности. На рис. 61а и 616 приведены диаграммы электронной плотности для хлористого натрия и алмаза, а на рис. 62 схематически представлено изменение электронной плотности в зависимости от расстояния между соседними атомами для хлористого натрия, алмаза, магния и аргона. Эти четыре примера наглядно и убедительно иллюстрируют различия в распределении электронной плотности при четырех типах связей ионной, атомной, металлической связи и вандерваальсовой. В то время как при ионной связи существует область, в которой электронная плотность снижается до нуля, в случае алмаза мы не находим ее нулевого значения в области между атомами, так как именно здесь локализована электронная пара. Это относится также и к металлической связи, хотя в этом случае электроны не локализованы в определенном [c.176]

В 1939 г. ТО.М же методом было исследовано [49] распределение электронной плотности в кристаллах каменно соли, алмаза, гексаметилен-тетрамина II найдено, что электронная плотность меи ду ионами Ка + и С1 падает практически до пу ля в весьма широх ом ииторвале расстояний между центрами ионов Ка и С1 , т. о. также был подтверждён ионный характер связи. [c.207]

Рис. 3.3. Распределение зарядовой плотности р (по отношению к числу валентных электронов в ячейке р ) вдоль линий связи в алмазе (7), Р-СзК4 (2) и нитриде бора (3)

С первого взгляда может показаться, что эта проекции" аналогична диаграмме, обращающей гомеополярную связь в алмазе, так как электронная плотность в седло- образных участках между атомами 51 и О (2,25/А ) отвечает взаимному проникновению внешних электронных оболочек 81 и О. Однако в этом распределении отсутствуют точки добавочного скопления электронов, как это наблюдается в случае структуры алмаза. Эта особенность указывает на вероятность реального существования в данном случае механизма связи, промежуточного между гетёро- и гомеополярными механизмами. [c.17]

Обычно полагают, что самосогласование наиболее существенно для кристаллов, где велика ионная составляющая химической связи (велики разности электроотрицательностей образующих кристалл атомов). Однако и в кристаллах ковалентных необходимость в са.мосогласовании не отпадает. Для алмаза, например, при нулевых зарядах на атомах электронная плотность в кристалле существенно отличается по характеру своего распределения от плотности в системе невзаимодействующих атомов сферически-симметричные электронные облака невзаимодействующих атомов сильно искажаются вдоль линий связи, где и концентрируется электронная плотность в кри-ста. )ле. [c.171]

Очень точные измерения электронной плотности в кристаллической решетке алмаза [186, 187] [на рис. 26 дана проекция на плоскость (ПО) в электронах на 1 А ] показывают распределение максимальной плотности заряда атомов углерода. Видно, чго плотность заряда сохраняет конечное значение вдоль линии, соединяющей два непос])едственно связанных друг с другом атома угле- [c.82]

Сфуктура валентной зоны фафита и алмаза имеет мало общего с таковой для одномерного углерода. Однако, как видно из рис.7, все особенности расчетов для одномерного углерода находят Офажение в экспериментальной кривой плотности состояния карбина положение экспериментально наблюдаемых максимумов плотности электронных состояний карбина отвечает энергиям =12,5 эВ, Е1=16,5 эВ, Ез=19-20 эВ и Е4=25,5 эВ. Максимумы Ез и Е4 связаны с потолком и дном <т-зоны цепочек углерода. Верхняя часть валентной зоны (Е<17 эВ) отвечает л--подзоне углеродной цепочки. Она располагается гораздо глубже. т-зоны в фафите. Расчетные данные о распределении плотности электронных состояний в углеродной цепочке в зависимости от числа атомов в ней приведены на рис.7(1 уровни одиночного атома расщепляются в двухатомной цепочке, и далее расщепление возрастает с увеличением числа п атомов углерода. Экспериментальные данные соответствуют значению п>8. [c.31]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология