Энергия активации центра свечения

Однако наряду с развитием представлений о рекомбинационном механизме свечения щелочно-галоидных фосфоров в работах ряда исследователей развивалась также идея о том, что фосфоресценция этих фосфоров носит метастабильный характер [237, 331, 332]. На основе представлений о метастабильном характере свечения указанных фосфоров их длительное послесвечение объясняется наличием в центрах люминесценции метастабильных уровней. Переход электронов с этих уровней в основное состояние может осуществиться лишь после их перехода с затратой энергии активации на другой возбужденный уровень, с которого переход в основное состояние не ограничен каким-либо запретом. [c.237]

Опыт показывает, что энергия кванта света, которая должна быть передана электрону или дырке, чтобы они могли освободиться из ловушки оптическая энергия активации), как правило, превышает необходимую для этого тепловую энергию термическую энергию активации). В этой связи нужно упомянуть и о другом очень важном явлении — стоксовом смещении оказывается, что для ионизации центра свечения (переход 1, см. рис. 6) нужен квант большей энергии, чем та, которой обладает квант испускаемого света (переход 2 на рис. 6). Это проявляется в том, что полоса из- [c.32]

Представление о прямой активации. Квазиатомные и квази-молекулярные центры свечения. Изучение спектров поглощения и излучения люминофоров показывает, что в ряде случаев эти Спектры специфичны для данного активатора и могут быть приписаны электронным переходам между энергетическими уровнями, принадлежащими атому или иону активатора. Это случай так называемой прямой активации. Условием ее осуществления [65] является достаточно малое расстояние между соответствующими возбужденными и основным уровнями атома активатора, чтобы энергия кванта излучаемого света была меньше ширины запрещенной полосы кристалла, так как только в этом случае свет не будет поглощаться основанием люминофора. Поэтому, как уже отмечалось в гл. I, возникновение такого рода центров происходит при активации тяжелыми металлами, атомы которых обладают сближенными термами. В то же время следует иметь в виду, что поле кристаллической решетки и в особенности ближайшее окружение влияют на взаимное расположение уровней. Они влияют также на величину стоксова смещения и на вероятности электронных переходов. Изучение этого влияния составляет одну из главных задач спектроскопии люминесцирующих кристаллов. [c.208]

О причинах различия в величинах оптической и термической энергии активации. При помощи модели потенциальных кривых можно проанализировать также условия освобождения электрона из ловушки, если предположить, что этому предшествует пребывание его на неглубоком возбужденном уровне. В таком случае энергетическая диаграмма ловушки, как и центра свечения, может быть представлена двумя кривыми — кривой основного и возбужденного состояний (см. рис. 17). На возможность использования этой модели указывают, в частности, свойства электронных ловушек щелочно-галоидных кристаллов — Na l, K l и других, —превращающихся при захвате электрона в процессе облучения в так называемые F-центры — центры окраски, которые изменяют цвет кристаллов вследствие появления полосы возбужденного поглощения. Эти центры обладают способностью и к излучению, лежащему в инфракрасной области, причем как поглощение, так и из-чучение могут быть описаны моделью потенциальных кривых. [c.41]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология