Ионы-активаторы

При питтинговой коррозии основное коррозионное разрушение локализуется на отдельных небольших участках металла (магний, алюминий, железо, никель, титан и др.) и протекает с большой скоростью, что может приводить к сквозной точечной коррозии металла. Питтинговая коррозия наблюдается, обычно, когда основной металл находится в пассивном состоянии. Ионы-активаторы (СГ, Вг , I") адсорбируются в основном на участках поверхности, где плеяка оксида несовершенна (металлические или неметаллические включения, искажающие или нарушающие кристаллическую структуру оксида) [22]. Анионы частично замещают кислород в оксиде и образуют хорошо растворимые поверхностные комплексные ионы. Пассивная пленка нарушается, и металл начинает непосредственно контактировать с раствором. Потенциал металла на этих участках имеет более отрицательное значение, чем потенциал основного металла, покрытого оксидной пленкой, что приводит к возникновению локальных токов. Если пассивная пленка не обладает большим омическим сопротивлением, то система заполяризовывается и на участках питтингообразования в основном протекает интенсивно анодный процесс, а катодный процесс восстановления окислителя идет на пассивной поверхности металла. При этом миграция анионов-активаторов идет в основном к участкам питтингообразования. [c.38]

Люминофоры на основе соединений цинка, кадмия и других элемен тов. Точное определение понятия люминесценции Видемана—Вавилова следующее Люминесценцией называется избыточное свечение над температурным излучением тела, если длительность этого свечения более 10 1 сек . Акту люминесценции предшествует поглощение энергии люминесцирующим телом. По виду этой энергии различают фотолюминесценцию, ренгенолюминесценцию, катодолюминесценцию, электролюминесценцию, хемолюминесценцию, радиолюминесценцию. Твердые люминофоры часто называют фосфорами. В случае фотолюминесценции энергия испускаемого кванта всегда меньше энергии поглощаемого (Стокс). Эффективность свечения данного люминофора зависит от способа получения образца, но цвет свечения специфичен для люминофра данного состава. Это указывает на существование в люминофоре кристаллохимических образований, которые называются центрами свечения. Простейшим центром свечения является чужеродный атом (ион) — активатор в кристалле основного вещества люминофора, например атом меди в кристалле сульфида цинка. [c.365]

Установлено, что особенности золь-гель метода получения порошковых люминофоров позволяют исполь овать повышенные концентрации ионов активаторов при равномерном объемном распределении их в структуре материала, а также регулировать дисперсность путем изменения условий синтеза, исключая при этом технологическую [c.17]

Анодная пассивность. Поляризация анода может быть также вызвана образованием пассивных пленок на поверхности металла. При определенных условиях (при наличии в растворе окислителей и отсутствии ионов-активаторов) анодная поляризация облегчает наступление пассивного состояния и ионизация металла сильно тормозится. Этот процесс сопровождается значительной анодной поляризацией Д а, которая для некоторых металлов может превышать значение 1 в. [c.34]

Помимо рассмотренных, есть еще одна группа реагентов, которые уже в очень малой концентрации мешают образованию пассивных слоев или пленок и способствуют их разрушению. Это так называемые ионы-активаторы. Анодное растворение металлов значительно ускоряется, если в растворе присутствуют анионы хлора. Так, хром, соприкасавшийся с атмосферным воздухом, при погру- [c.445]

При наличии в водной среде так называемых ионов активаторов (СГ, Вг , 1 и др.) и при достаточной их концентрации в растворе при потенциалах меньших цвр происходит нарушение сплошности пассивирующей пленки оксида и наблюдается на отдельных участках локальное растворение металла с высокой скоростью (питтингообразование). Узкая область потенциалов, при которой наблюдается резкое увеличение силы тока (рис. 4, кривая Б), соответствует потенциалу питтингообразования. Явление питтингообразования характерно и для металлов, не подвергающихся окислению с образованием ионов более высокой степени окисления. [c.27]

В результате интенсивной коррозии в питтинге увеличивается концентрация иона-активатора и концентрации ионов металла. Г идролиз катиона металла приводит к подкислению среды. Концентрация молекул воды в области питтинга уменьшается. [c.38]

Кинетические характеристики 8Н-групп белка и их изменение под влиянием различных воздействий позволяют анализировать изменения конформации белковой молекулы, которые происходят при связывании субстратов, ионов-активаторов, аллостерических модификаторов, детергентов, при изменении температуры и т. д. [c.362]

У большинства описываемых далее люминофоров спектры излучения представляют собой широкие полосы. Однако в некоторых случаях у люминофоров С редкоземельными активаторами спектры люминесценции состоят из характерных узких полос. Расширение полосы обусловлено воздействием ионов основной решетки на энергетическое состояние ионов активатора. [c.9]

В связи с близостью ионных радиусов указанных ионов-активаторов и ионов иттрия в восьмерной координации образование ИАГ с различным содержанием этих компонентов не представляет особых технологических трудностей (гранаты таких составов образуют непрерывные ряды твердых растворов). Все они могут вхо- [c.225]

Свечение кристаллофосфоров объясняется зонной теорией твердого тела. Кристаллофосфоры представляют собой ионные кристаллы с вкрапленными в них ионами активатора и плавня. В результате сильного взаимодействия с соседями энергетические уровни ионов кристалла расщепляются на больщое число уровней, образуя щирокие энергетические зоны. Число уровней, составляющих такие зоны, равно удвоенному числу взаимодействующих между собой ионов. У кристалла может быть несколько энергетических зон. Одни из них образуются вследствие расщепления энергетических уровней катионов, а другие — в процессе расщеплении энергетических уровней анионов. При этом каждая из образующихся зон является обобществленным уровнем всех катионов или всех анионов кристалла. Наиболее важными зонами, определяющими оптические свойства кристалла, являются самая высокая из заполненных электронами зон, образованная уровнями аниона основного вещества, и самая низкая из незаполненных зон, образованная уровнями катиона основного вещества. Первая зона называется валентной, а вторая — зоной проводимости. Между этими двумя зонами располагается запрещенная зона. Ее ширина в случае кристаллофосфоров колеблется от 2 до 10 эВ. [c.509]

Ионы активатора, внедренные в кристаллическую решетку основного вещества кристаллофосфора, имеют свои невозбужденный и возбужденный уровни, которые значительно уширяются под влиянием электрического поля окружающих ионов кристаллической решетки. Невозбужденный уровень активатора располагается несколько выше валентной зоны кристаллической решетки кристаллофосфора, а возбужденный — несколько ниже зоны проводимости. Кроме того, в запрещенной зоне имеются так называемые локальные энергетические уровни (ловушки), вызванные дефектами в кристаллической решетке основного вещества вследствие внедрения в нее активатора. [c.509]

Структура кристаллической решетки основы должна допускать введение иона активатора. Близость ионных радиусов основы и активатора позволяет получить наиболее эффективный для целей анализа кристаллофосфор. Если ионы основы и активатора имеют близкие радиусы, но разные заряды, то необходимо, чтобы имелась возможность компенсации различия зарядов. Обычно для компенсации зарядов вводят дополнительные ионы. Например, при синтезе 2п8 8т для компенсации избыточного заряда в кристаллическую решетку основы вводят ионы СГ или Ка . При подборе компенсирующих ионов руководствуются правилами изоморфного замещения ионов в кристаллической решетке. [c.517]

Пасснпность, вызванная адсорбированными молекулами пли ионами, в отсутствие фазово-в]лра кенных пленок, связана со значителы[ым изменением электрического поля двойного слоя. Пассивации препягствуют ионы-активаторы, иапример иопы i , увеличивающие скорость анодного растворения. [c.369]

Помимо рассмотренных, есть еще одна группа реагентов, которые уже в очень малой концентрации мешают образованию па ссивны.ч слоев или пленок и спосо бствуют их разрушению. Это так называемые ионы-активаторы, самыми энергичными из которых являются ионы галогенов С1 , Вг", J и Р . [c.406]

Анализ поляризационной кривой позволяет сделать предварительное заключение о том, что наименьший коррозионный ток, т. е. наименьшая скорость коррозии, соответствует потенциалам металла, лежащим между потенциалом полной пассивации и потенциалом пробоя (потенциалом питтингообразования) Ф р. Сдвиг значений потенциала в область более благородных по сравнению с ф р, происходящий, как правило, в присутствии ионов-активаторов, приводит к питтингообразованию сдвиг потенциалов к более отрица-тельньш значениям, к Фладе-потенциалу, активизирует коррозионный процесс. [c.164]

Известно, что скорости химических реакций возрастают с увеличением температуры. Этот же вывод справедлив по отношению Е процессам коррозии. С ростом температуры раствора снижается перенапряжение анодного процесса в активной области и области перепассивации. В пассивной области скорость коррозии, как правило, также (рис. 9) возрастает, и область пассивного состояния сокращается. В присутствии ионов-активаторов при повышении температуры раствора металл из пассивного состояния может переходить в состояние пробоя, и поверхность металла будет подвергаться питтинговой коррозии, так как потенциал питтин- [c.30]

Потенциал пробоя пассивной пленки в присутствии иона-активатора зависит от природы металла. Поэтому в присутствии ионов-активаторов одного и того же вида и той же концентрации один металл может подвергаться питтинговой коррозии, а другой нет. [c.31]

Для люминофоров на основе силикатов, фосфатов, германатов, арсенатов (см. стр. 46, Г), 80) поглощение в области X = 200—400 нм обусловлено активаторами. Вызвано это электронными переходами внутри иона в последних энергетическое же состояние ионов активаторов может зависеть от окружения. Так, центрами поглощения галофосфата кальция, активированного ЗЬ (см. рис. IV.8, стр. 80), являются ионы ЗЬ, но максимум спектра поглощения зависит от концентрации фтора и хлора, входящих в решетку галофосфата. [c.7]

В неокисляющих агрессивных средах защитная пленка на поверхности хромистых сталей не формируется, поэтому они интенсивно корродируют в серной, соляной, а также в органических кислотах. При наличии в среде ионов-активаторов (ионы СГ, Вг", Г) нержавеюище стали подвергаются местной точечной коррозии. Эти стали достаточно стойки к коррозии под напряжением в растворах аммиака и нитратов, стойки они и в щелочных растворах при невысоких температурах. [c.119]

Фермент широко представлен в тканях с выраженным глюконеогене-тическим превращением углеводов, т. е. в печени и почках. Фермент представляет собой тетрамер, для которого характерна кооператив-лость при взаимодействии с субстратом, ионом-активатором Mg и некоторыми внутриклеточными метаболитами. [c.355]

Свойства и применение. Применяется в качестве коррозионно-стойкого, жаростойкого и жаропрочного материала. Коррозионно-стойкий в 60%-ной азотной кислоте до 80°С, растворах органических кислот, солей. В азотной кислоте может прояв-лять склонность к МКК, ножевой коррозии. Обладает пониженной стойкостью в средах неокислительного характера и средах, содержащих ионы-активаторы. Используется для изготовления сварного оборудования — колонного, емкостного, теплообменио-го, реакционного — и применяющегося в криогенной технике. Область применения от —269 до -Ьб10°С. Давление не ограничено. Обладает лучшей стойкостью против МКК и ножевой коррозии. Применяется от —253 до -1-610°С давление не ограничено [c.318]

Электролюминофоры, возбуждаемые постоянным электрическим полем, полученные на основе 2пЗ Или 2пЗ 2пЗе при активации марганцем, свинцом и редкоземельными элементами, имеют спектр излучения, характерный для электронных переходов внутри иона активатора [19]. [c.12]

Важное значение как ион-активатор имеет ион Рп -. Ею введение в люминофор даст красное свечеиие. что используют, ий-пример, прн изготовлении экранов цветны.ч телевизоров. Н лю. минофорс Еи группа [УО Р логлощает элергию катод- [c.171]

Выращивание и исследование кристаллов (V, Но, Ег, Тт)зА15012 проводились сначала одним из авторов настоящей работы в ФИАНе [32], а затем во ВНИИСИМСе, Основные задачи работ по выращиванию и исследованию кристаллов указанного состава следующие 1) получение наиболее оптически однородны.х кристаллов 2) поиск наиболее оптимальных с точки зрения спектрально-люминесцентных и генерационных параметров концентраций ионов-активаторов Но, Ег, Тт, необходимых для получения высокоэффективной генерации в ИК диапазоне длин волн. [c.225]

Если в коррозионной среде присутствуют ионы-активаторы, например, СГ, то наст5 пает преждевременное нарушение пассивного состояния [c.11]

Наличие в морской воде значительного количества СГ, т. е. ионов-активаторов, способствует более интгнсив-ному процессу коррозии. Морская вода имеет нейтральную или слабощелочную реакцию (pH 7.2—8,6), ее удельная электропроводнмо( ть достаточно высока (2,5 — 3,0-10 См), содержание кислорода может достигать 8 мг/л. В морской воде содержится большее количество микроорганизмов, способствующих ускорению коррозии и обрастанию соприкасающихся с водой металлоконструкций. [c.14]

Поглощение возбуждающего света происходит в основном веществе (рис. 14.4.83,.а, б). В результате возбуждеЕшя электрон ё из заполненной валентной зоны переходит в зону проводимости (рис. 14.4.83, а, б I), а на его месте в валентной зоне образуется дырка, обладающая свойствами положительного заряда е" и способная передвигаться по валентной зоне. Передвижение дырки осуществляется в результате быстрого последовательного обмена электронами между соседними ионами валентной зоны. Если уровень активатора располагается вблизи от валентной зоны, то электрон с активатора рекомбинирует с дьфкой. Она всплывает и локализуется на его уровне (рис. 14.4.83, а, б П). В результате рекомбинации электрона е, попавшего в зону проводимости, с дыркой активатора е (рис. 14.4.83, а, б 111) возникает кратковременное свечение. Однако электрон, оказавшийся на нижнем уровне зоны проводимости, может перейти на локальный уровень (безызлучательный переход рис. 14.4.83, б, IV). Переход с локального уровня непосредственно на невозбужденный уровень активатора невозможен. Чтобы попасть на уровень активатора, электрон сначала должен вернуться назад в зону проводимости, для чего ему необходимо сообщить дополнительно небольшую порцию энергии. Запасенная электронами на ловушках энергия (так называемая запасенная светосумма) может быть освобождена при нагревании кристаллофосфора или облучении его ИК-светом. При помощи энергии, сообщенной извне (тепловой или лучистой), захваченный ловушкой электрон возвращается в зону проводимости (рис. 14.4.83, б, V), а затем рекомбинирует с положительно заряженным ионом активатора (дыркой), вызывая его люминесценцию. Люминесценция, отве- [c.509]

Рекомбинационная люминесценция возникает и при непосредственном возбуждешш активатора (рис. 14.4.83, в, г). Возбуждение переносит электрон с уровня актршатора в зону проводимости (рис. 14.4.83, в, г VI). При этом на уровне, принадлежащем активатору, образуется дырка е , которая отличается от описанной вьппе тем, что она локализована и не имеет возможности перемещаться по кристаллу. Свободный электрон, передвигаясь по зоне проводимости, попадает на ьшжний энергетический уровень, а затем рекомбинирует с ионом активатора, вызывая его свечение (рис. 14.4.83, в, г VII). Процесс свечения будет кратковременным ( 10с), если имеет место непосредственная рекомбинация возбужденного электрона с ионом активатора (рис. 14.4.83, [c.510]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология