Дефекты атомные ассоциации

Взаимодействие дефектов при высоких концентрациях может приводить по крайней мере к двум различным эффектам [32, 33]. Первый из них заключается в ассоциации атомных дефектов в различного рода комплексы. Простейшие из них, парные, будут рассмотрены ниже (см. раздел 5.3) для примесных ионных кристаллов. Более сложные комплексы, содержащие более двух атомных дефектов, получили название кластеров. [c.48]

Подход, аналогичный изложенному выше, пригоден и для ассоциации заряженных атомных дефектов в полярных твердых телах (соединениях). Однако существует и различие. В кристаллах простых тел необходимо учитывать только электронную поляризацию. Вследствие этого энергия образования ассоциата дается законом Кулона [c.208]

По данным Рудольфа равновесие кристалл — пар замораживается при Г1 < 900° К. Следовательно, изменение электропроводности с температурой, наблюдаемое ниже 900° К, обусловлено а) ионизацией или деионизацией доноров или акцепторов, б) изменением подвижности, в) эффектами ассоциация — диссоциация и осаждение — растворение атомных дефектов. Мы пока не будем учитывать эффектов, [c.415]

О роли некоторых кинетических факторов. Выше предполагалось, что при достаточно быстром охлаждении кристаллофосфора концентрации атомных дефектов остаются без изменения. Однако опыт показывает, что полное замораживание высокотемпературного равновесия, как правило, неосуществимо. Это объясняется сравнительно малой теплопроводностью фосфоров и большой скоростью диффузии ряда дефектов. Продолжительность охлаждения фосфоров мало зависит от температуры, тогда как скорость диффузии увеличивается с ростом ее экспоненциально. Особенно быстро происходит диффузия собственных дефектов, приводя прежде всего к аннигиляции междоузельных атомов с соответствующими вакансиями, а также к ассоциации вакансий и выходу их на дислокации, к снижению концентрации тепловых дефектов по Шоттки и к уменьшению отклонений от стехиометрического состава. Это проявляется, например, в том, что по достижении некоторой критической температуры Г рит дальнейшее повышение температуры прокаливания ряда бинарных соединений не изменяет определяемой по электропроводности растворимости в них избытка элементов, образующих эти соединения [90]. На самом деле, конечно, растворимость изменяется, однако измерения при комнатной температуре фиксируют одно и то же состояние, отвечающее Гкрит — температуре, при которой диффузия собственных дефектов замедляется настолько, что дальнейшее изменение концентрации их при охлаждении не происходит . Уменьшение отклонений от стехиометрического состава в процессе охлаждения приводит к расширению области давлений паров серы (цинка или кадмия), при которых образуются кристаллы ZnS и dS с низкой электропроводностью. Это еще один фактор, затрудняющий получение сульфидов с р-проводи-мостью. [c.206]

Интересно отметить, что как нейтральные, так и ионизированные дефекты можно представить в виде ассоциатов и в том случае, когда используются понятия электрон и дырка . При употреблении нашей атомной системы обозначения вакансия иона меди (т. е. ион отсутствует) записывается как Уси- Сходным образом, ион Си в узле, обычно занимаемом Си" , обозначается как Си и это эквивалентно И. Следовательно, ассоциация в смысле, употребляемом Дюнвальдом и Вагнером, изображается реакцией [c.156]

Если дефекты в кристалле распределяются хаотически, то имеется определенная вероятность того, что они займут соседние места решетки, т. е. образуют ассоциаты (пары, триплеты и т. д.). Когда дефекты взаимодействуют друг с другом, концентрация ассоциатов зависит от характера взаимодействия при взаимном притяжении дефектов она будет больше, чем при хаотическом распределении, а при взаимном отталкивании — меньше. Как показано в гл. XIII, концентрацию ассоциатов собственных атомных дефектов можно вычислить непосредственно, не обращаясь к свойствам простых дефектов. Однако, если в ассоциации участвуют примесные структурные элементы, образование ассоциатов лучше рассматривать, исходя из простых дефектов. Такой же подход можно применить и к ассоциатам собственных дефектов. [c.195]

Так как в паре, находящемся в равновесии с твердым ВаО, рва P ol = Квао, то найденная зависимость о от роз соответствует а ос рв . Попробуем построить теоретическую модель, способную объяснить перечисленные свойства. Из геометрических соображений и результатов изучения диффузии следует, что, вероятно, атомными дефектами в окиси бария являются вакансии. Так как барий и кислород двухвалентны, то следует ожидать, что вакансии создадут два уровня в запрещенной зоне. Таким образом, придется принимать во внимание следующие атомные дефекты Ува, Ува, Ува, Уо, Уо, Уо- Кроме того, имеются электроны и дырки. Не исключено и образование ассоциатов заряженных дефектов. Благодаря большой диэлектрической проницаемости (34) энергия связи в ассоциатах сравнительно мала. Следовательно, их вряд ли нужно учитывать при анализе высокотемпературного равновесия. При низких температурах, особенно в закаленных образцах, роль их может оказаться значительной, особенно когда образцы закаливаются недостаточно быстро. Сначала не будем учитывать процессы ассоциации. [c.411]

Механизм внедрения кадмия в заряженной форме, как и раньше, определяется преобладающими в чистом основном соединении собственными дефектами, заряд которых противоположен по знаку заряду центров кадмия. При этом он изменяется от механизма контролируемых атомных дефектов в областях III, IV, V (рис. XVI.И, б), соответствующих областям II и III рис. XVI.11, а, до механизма контролируемых электронных дефектов в областях I и II рис. XVI.11, б (соответствующих области I рис. XVI.11, а). Однако для неионизированного d g дело обстоит иначе ассоциация dAg и электронов способствует внедрению кадмия по механизму контролируемых электронных дефектов. [c.457]

Тенденция к ассоциации с образованием ( dAgVAg) зависит от концентрации вакансий VAg или VAg, и поэтому при высоких значениях рвгг ассоциация более существенна, чем при низких. Концентрация ассоциатов в области контролируемых атомных дефектов (область IV), где [c.457]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология