Уравнение кристаллохимическое реакции

Кристаллохимические формулы реальных твердых фаз и уравнения реакций, написанные с учетом требований физической химии полупроводников [c.549]

КРИСТАЛЛОХИМИЧЕСКИЕ ФОРМУЛЫ РЕАЛЬНЫХ ТВЕРДЫХ ФАЗ И УРАВНЕНИЯ РЕАКЦИЙ, НАПИСАННЫЕ С УЧЕТОМ ТРЕБОВАНИЙ ФИЗИЧЕСКОЙ ХИМИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ [c.378]

Подставляя соотношения (3.129), (3.130) в уравнение (3.127), получим дифференциальное уравнение кристаллохимической реакции на поверхность раздела фаз [c.276]

При выводе уравнения (3.131) использовались представления об обратимости кристаллохимической реакции на поверхности раздела фаз и не было принято никаких допущений о направлении реакции. Следовательно, это уравнение можно использовать при различных соотношениях между с и с,. При с>с. уравнение описывает кристаллохимическую стадию процесса роста кристалла, в противном случае — растворения. [c.277]

Пользуясь уравнением (12.9), можно подсчитать, например, что в течение 10 суток при распаде 10 кюри радиоактивного изотопа золота образуется 3,65 10 г Если эта исходная активность сосредоточена в 1 г золота, то примесь, накопившаяся за 10 суток, будет составлять несколько тысячных долей процента, что в ряде случаев может оказывать влияние на химические свойства препарата (например, при проведении реакций, катализируемых ртутью). Несомненное влияние эта примесь окажет на кристаллохимические характеристики кристалла золота, поскольку атомы ртути будут, особенно при высокой температуре, легко покидать узлы кристаллической решетки золота. [c.212]

Как мы знаем из гл. И1 и УП, важнейшим требованием современной термодинамики является написание точного уравнения реакции как для начального, так и для конечного состояния. Мы отказались в этой книге и других наших работах от написания уравнений по Крегеру, поскольку они противоречат этому требованию. На этом важном обстоятельстве мы остановимся в конце параграфа. Здесь мы ограничимся более второстепенным замечанием, что от изображения вакансии У по Крегеру мы сразу отказались ввиду его аналогии со знаком ванадия и необходимости введения, по нашему мнению, кристаллохимических формул, особенно для процессов в полупроводниках. [c.565]

Кристаллохимпческие уравнения образования дефектных структур, особенно полупроводников. Кристаллохимические уравнения реакции [c.379]

Кристаллохимические формуны структур деления. При взаимодействии 2AgI + HgI2 = А 2Н 14 возникает структура деления (в решетке сфалерита) (см. рис. 11.2, Ь). В кристаллохимическом отношении эту реакцию правильно описать уравнением [c.380]

Кристаллохимические формулы. В литературе, посвященной дефектам кристалла, широко применяются различные обозначения для вакансий, атомов в междуузлиях и т. п. Это не мешает большинству авторов писать уравнения реакций, пользуясь обычными стехиометрическими формулами, чем развитие физической химии полупроводников тормозится. Иногда совершенно необходимо написание уравнений реакций с применением кристаллохимических формул веществ. В развитие [2, стр. 10] мы применяем для обозначения вакансии квадратные скобки [ ] для обозначения междуузлия — круглые ( ). Для указания подрешетки, в которой имеется вакансия, слева внизу указывается знак элемента, справа — индекс доли вакансий, например, для вакансий в решетке структуры вычитания сульфида свинца [c.549]

Кристаллохимические уравнения образования дефектных структур, особенно полупроводников. Кристаллохимические уравнения реакции должны, как и химические уравнения, точно определить состав реагирующих химических компонентов и фаз в весовых, грамм-атомных и молярных % объемы реагирующих газовых фаз (на базе закона Авогадро) энтальпии (и свободные энергии) реакции. Кроме того, кристаллохимические уравнения должны описать концентрации вакансий, атомов в междуузлиях (в структурах внедрения) и другие точечные дефекты и их перераспределение в процессе реакции (см. VII. 17 и VII. 18).. [c.550]

Выделяющийся кремний оттесняется в междоузлия, однако его количества явно недостаточно для образования второй фазы. Эта реакция экзотермична, правда, в малой степени. Присутствие дефектов внедрения по Френкелю и является причиной проявления весьма своеобразных свойств этой де-фек1ной фазы. Если при образовании химических семей в решетке Mri4Si7 принимают участие все валентные электроны, то при фазовом переходе, характеризуемом уравнением ( ), кремний в междоузлиях служит акцептором части валентных, электронов, что приводит к образованию дырок и проявлению дырочного типа проводимости. В пользу правдоподобности данного предположения говорит тот факт, что концентрация дырок, полученная экспериментально, приблизительно равна количеству дефектов по Френкелю (4,6 10 ° и 6,5 10 соответственно). Поэтому фазе, существующей в интервале температур до 1125 °С, соответствует кристаллохимическая формула MnSii,73. [c.290]

Среднее значение п для температурного интервала 500—700° соста-чило 0,83. Относительно высокое значение показателя п в уравнении (3) указывает, что восстановление происходит в услов1 Ях, далеких от адсорбционного насыщения иоверхности десорбция единственного газообразного продукта СОг, вероятно, не представляет затруднения, и процесс лимитируется поверхностной реакцией, связанной с кристаллохимическими превращениями. [c.182]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология