Отношение осей в гексагональной плотной упаковке

Гораздо сложнее СО структурами типа гексагональной плотнейшей упаковки. Деформация вдоль главной О СИ шестого порядка не влечет за собой изменения симметрии (отношение с/а, в частности, меняется у одного и того же вещества с температурой) и поэтому нет такого жесткого критерия, каким мы пользовались при описании структур, получающихся в результате деформации куба. [c.256]

Если предположить, что ионы металла имеют сферическую форму, то структура таких кристаллов должна соответствовать плотной упаковке шаров одинакового размера. Возможны два способа плотной упаковки шаров кубическая (гранецентрированная) и гексагональная. Для шаров, упакованных в плотную гексагональную структуру, соотношение параметров с/а = 1,633. Все металлы с плотной гексагональной структурой имеют отношение с/а либо меньше, либо больше этой величины. Это говорит о том, что ионы металлов не имеют сферической формы, а являются либо сплюснутыми, либо вытянутыми вдоль оси с. Ближе всего к иде- [c.48]

Расширение линий на рентгенограммах может оыть вызвано и дефектами упаковки. ЕЗ гл. 4 мы рассмотрели влияние политипии на дифракционную картину. Для политипии характерен дальний порядок в чередовании слоев. Если же такого дальнего порядка нет, то дополнительные линии не появляются, но происходит уширение линий. Чаще всего дефекты упаковки встречаются в веществах, построенных по принципу плотнейшей упаковки. Для гексагональной плотнейшей упаковки характерна последовательность чередования слоев АВ АВ АВ, для кубической - АБС АБС АБС. Дефект упаковки может возникнуть вследствие сдвига очередного слоя плотнейшей упаковки (и следующих за ним), в результате вместо приведенных выше последовательностей мы получаем АВ АС ВС ВС... или АВ СА СА ВСА... (вследствие смещения слоя В он становится слоем С). Такие дефекты упаковки называют деформационными в отличие от дефектов роста, при которых последовательность чередования слоев после нарушения правильного чередования становится обратной АВ АС АС... или АВ СА СБ АСБ (вдоль диагонального направления гексагональной ячейки слой В по отношению к слою А сдвинут на 1/3 трансляции, а слой С - на 2/3 или на - 1/3). Уширение линий происходит вследствие тех же причин, что и появление дополнительнЕзГх линий у политипов. Если оба основных типа плотнейших упаковок описывать в гексагональной установке, то в случае дефектов упа- [c.237]

Кристаллическая решетка ВеО находится в таком же отношении к решеткам MgO, СаО и т. д., как решетка элементарных Ве и Mg к решетке элементарного Са. В решетке поваренной соли каждый вид ионов образует грапецентрированную кубическую ячейку, т.е. кубическую плотнейшую упаковку. Таким же образом и в решетке окиси бериллия (рис. 60) каждый из двух видов атомов образует ячейку с гексагональной плотнейшей упаковкой. Показанный на рис. 60 тип решетки получается, e iH вставить одну в другую обе эти ячейки. Этот тип решетки обычно называют типом вюртцита, так как он впервые был установлен для вюртцита (гексагональная модификация ZnS). Для ВеО а = 2,69 А, с — 4,37 А. Каждый атом Ве окружен здесь четырьмя атомами О, расположенными вокруг него в виде тетраэдра, а каждый атом О тетраэдрически окружен четырьмя атомами Ве. Расстояние Ве О = jo = 1,65 А. [c.290]

Исследования остальных. лантаноидов при высоких давлениях и до 25° указывают на признаки фазовых переходов [262—263]. Так было найдено, что лантан при повышении давления до 80 кбар переходит из гексагональной а-модификации типа a-La (АВАСАВ) в ГЦК плотную упаковку [264]. Самарий при повышении давления до 40 кбар переходит из ромбической плотной модификации а-8ш (АВАВСАСВС) в структуру типа a-La (АВАСАВАС) [265]. Гадолиний при давлении 20—25 кбар испытывает переход из плотной гексагональной структуры типа магния (АВАВ) в плотную гексагональную структуру тина a-Sm [266]. Изложенные ранее представления о влиянии температуры на фазовые превращения лантаноидов, основанные на гипотезе об изменении эллиптичности ионов при возрастании с/а [57, 127], могут быть распространены и на превращения, обусловленные влиянием повышения давления. С повышением давления эллиптичность оболочек ионов уменьшается и с/а стремится к идеальному отношению для шаров (1,6333). Это приводит к тому, что у всех лантаноидов с ростом давления дблжны наблюдаться переходы от плотных упаковок типа Mg(Gd, Tb, Dy, Но, Er, Tu, Lu) к плотной ромбической структуре самария, затем к структуре a-La и при еще более высоких давлениях — к плотной кубической упаковке с с/а=1,6333. Не исключено, что аналогичные переходы при высоких давлениях будут обнаружены у щелочных, щелочноземельных и d-переходных металлов. [c.274]

По сравнению с типом С6, ось с увеличена вдвое] вышележаш,ий слой повёрнут по отношению к нижеле5кащему на 60 вокруг проходящей через (2/3 1/3 0) оси, перпендикулярной слою. Тогда как в типе 6 6 атомы галогена упакованы по ге1 сагональному закону, в типе С19—по кубическому и в типе С21 атомы галогена образуют плотную шаровую упаковку с чередовацием слоёв по гексагональному и кубическому законам. [c.415]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология