Калия бромид энергия образования

На основе значений Кр ион-молекулярных равновесий рассчитывают важные для химии характеристики — энергии образования ионов, энергии разрыва химических связей, величины сродства к электрону и потенциалы ионизации молекул. Так, при измерении температурной зависимости констант ион-молекулярных равновесий для хлоридов натрия, калия и рубидия и бромида калия было установлено, что энергии разрыва связей М+—МХ (где М — атом металла, X — атом галогена) составляют 150. ..200 кДж/моль, уменьшаясь от натрия к рубидию и от хлора к брому. [c.52]

Сравнение устойчивости комплексов фторидов щелочных металлов с устойчивостью вышеописанного комплекса КСЬ А1(С2И5)з показывает, что, очевидно, с увеличением радиуса галоидного иопа комплексы становятся менее стабильными. В соответствии с этим бромистый и иодистый калий не образуют комплексов с триэтилалюминием, бромистые рубидий и цезий образуют, а иодистый цезий нет. Бромиды рубидия и цезия образуют с избытком триэтилалюминия два слоя, из которых нижний содержит комплекс 1 1. Очевидно, комплексы 1 2 здесь не существуют. Для того чтобы иодид был способен к образованию комплексов с триэтилалюминием, требуется еще более значительное увеличение одновалентного катиона (одновременно со снижением энергии решетки соли, см. ниже). Иодистый тетраэтиламмоний связывается с триэтилалюминием, причем существуют комплексы 1 1 и 1 2. Комплекс 1 2 образует подобно NaF-2Al( 2Hs)3 несмешивающуюся с триэтилалюминием жидкую фазу. Оба комплекса расщепляются эфиром. Уже Хайн и Полинг (см. работу [7], стр. 364) наблюдали образование слоев, но они приписывали образующемуся веществу с 2 молями четвертичной соли обратный состав. Может быть, эти авторы ошибались Если катионы и анионы расположить по возрастающим иоиным объемам (табл< 1) и отметить определенные поля плюсами или минусами в зависимости от того, наблюдается ли комплексообразованне с триэтилалюминием или нег, то граница между плюсовыми и минусовыми полями проходит по диагонали таблицы. Если для сопоставления добавить еще ион №, то он дает плюсовое поле также и для литиевого соединения. [c.51]

Рассмотрим образование скрытого изображения при комнатной температуре во время экспонирования с весьма низкой освещенностью, когда скорость поглощения лучистой энергии такова, что каждый акт поглощения приводит к образованию электрона и дырки, захвату этих зарядов и движению иона серебра, нейтрализующему результирующий объемный заряд и восстанавливающему ловушки в их исходное состояние. В таких условиях можно принять, что электрон с наибольшей вероятностью захватывается на центре светочувствительности, расположенном либо на поверхности, либо внутри кристалла, и что, хотя дырка может быть захвачена тем же центром, она может также быть захвачена в другом месте. Две возможные причины низкой эффективности образования скрытого изображения заключаются в диффузии атомов серебра и брома после их образования. Диффузия атомов серебра была однозначно доказана в серии опытов Хеджеса и автора. Полоски серебра с поверхностной плотностью 10 атомов на 1 напылялись на поверхности кристаллов бромида серебра, которые затем хранились в вакууме различное время. Было найдено, что серебро диффундировало от мест его напыления по внешней поверхности кристалла, а также вдоль внутренних границ субструктуры. Это было показано путем фотографического проявления поверхности кристалла до и после обработки растворами хромовой кислоты и затем цианида калия. Осадок напыленного серебра стабилизируется и диффузия серебра по внешней поверхности сильно затрудняется в результате покрытия поверхности кристалла тонкой пленкой желатины. Однако и в этом случае наблюдается слабая диффузия от внешней поверхности к соседним внутренним границам субструктуры. Существуют два возможных механизма такой диффузии атомов [c.61]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология