Температура перехода в сверхпроводящее состояние

Формула соединения Удельная электропро- водность, Мсим/м Температура перехода в сверхпроводящее состояние, Формула соединения Удельная электропро- водность, Мсим/м Температура перехода в сверхпроводящее состояние, °К [c.96]

Намагничивание сверхпроводников. Как было показано Мендельсоном, сверхнизкие температуры можно получать путем адиабатного намагничивания сверхпроводящего металла. При температурах ниже температуры перехода в сверхпроводящее состояние Тс металл может находиться как в нормальном, так и в сверхпроводящем состояниях Известно, что сверхпроводящее [c.32]

Для сверхпроводников первого рода в табл. 19.8 (для чистых металлов) и 19.9 (для сплавов и соединений) дается температура перехода в сверхпроводящее состояние. Сверхпроводники второго рода характеризуются прежде всего зависимостью максимальной плотности тока от магнитного поля (при Т = 4,2° К)- Эта зависимость кроме состава соединения определяется также и технологией его обработки. На рис. 19.4—19.6 представлен ряд таких зависимостей. [c.310]

Относительное удельное сопротивление при низких температурах и температура перехода в сверхпроводящее состояние для металлов-сверхпроводников [4] [c.311]

Температура перехода в сверхпроводящее состояние для некоторых соединений — сверхпроводников первого рода [4]. Соединения расположены в порядке убывания [c.311]

Температура перехода в сверхпроводящее состояние — 268,8° С [301, 304]. [c.514]

Температура перехода в сверхпроводящее состояние — 263,8° С [301]. [c.543]

Температура перехода в сверхпроводящее состояние. °К [c.750]

Наиболее достоверными значениями температуры перехода в сверхпроводящее состояние для а-лантана составляет 4,90 0,Ю°К, а для Р-лантана соответственно 5,85 0,11°К. [c.750]

Электрические и магнитные. Удельное электрическое сопротивление бария при 78 К р=0,16 мкОм-м, при 298 К р=0,60 мкОм-м. Удельная электрическая проводимость при 78 К а=6,25 МСм/м, при 298 К а= = 1,67 МСм/м. Температурный коэффициент электрического сопротивления при 298 К 0 = 3,6-10-3 К . Изменение удельного электросопротивления при плавлении рпл/ртв= 1,62. Температура перехода в сверхпроводящее состояние Гс=1,ЗК при давлении 5 ГПа, 3,05 К при давлении 8,5—8.8 ГПа и 5,2 К при давлении 14 ГПа. Максимальное значение коэффициента вторичной электронной эмиссии бария атах=0,83 при ускоряющем напряжении первичных электронов 0,400 кэВ. Магнитная восприимчивость бария при 293 К Х= -1-0,15-10 . [c.117]

Температура перехода в сверхпроводящее состояние для алюминия равна 1,175 К- Абсолютный коэффициент т. э. д. с. прн 273 К е = =—1,6 мкВ/К. Алюминий является парамагнетиком, т. е. его магнитная восприимчивость положительна, а магнитная проницаемость больше единицы. Магнитная восприимчивость алюминия чистотой 99,999 и 99,99 % Х= 0,6276-10- и 0,6267-10-9 соответственно, а жидкого алюминия чистотой 99,9% х = 0,45-10-9. Магнитная индукция алюминия чистотой [c.160]

ГПа температура перехода в сверхпроводящее состояние равна [c.192]

Температура перехода в сверхпроводящее состояние пленки кремния при 12—13 ГПа 7с = 7,1 К. [c.206]

Под давлением 14,0—22,0 ГПа мышьяк становится сверхпроводником, температура перехода в сверхпроводящее состояние 7 с = 0,31- -т-0,5 К. [c.279]

Температура перехода в сверхпроводящее состояние Гс = 2,6- -2,7 К. Коэффициент вторичной электронной эмиссии атах=1>19 при ускоряю, щем напряжении первичных электронов 0,600 кэВ. [c.287]

Температурный коэффициент электрического сопротивления висмута а = 4,2-10 К (273—373 К). Температура перехода в сверхпроводящее состояние Гс= 7 К, а при давлении 2,47 ГПа 7 с = 4,2 К. [c.295]

Температура перехода в сверхпроводящее состояние 7 с = 5,31 К. Постоянная Холла / ванадия чистотой 99,63 % в зависимости от температуры [c.305]

Температура перехода в сверхпроводящее состояние 70 = 4,47 К. Абсолютный коэффициент т.э.д.с. при 298 К е=—5,0 мкВ/К. [c.328]

Температура перехода в сверхпроводящее состояние, определенная иа массивных образцах, Гс =0,9- 0,98 К, на тонких пленках, 7"с = 4- - -6,7 К. [c.382]

Температура перехода в сверхпроводящее состояние 7 с = 0,0154 К напряженность критического поля Яо=91,54 А/м. В тонких пленках температура перехода вольфрама в сверхпроводящее состояние возрастает до 1.7—4,1 К. [c.401]

Лантан — сверхпроводник. Температура перехода в сверхпроводящее состояние для a-La 7 с=4,90 0,10 К и p-La — 5,85 0,И К. С возрастанием давления до 2 ГПа наблюдается. понижение Гс на 0,5 К, что связывается с а->р-переходом. С дальнейшим увеличением давления Тс возрастает до 11 К и в области 10—23 ГПа практически не меняется. [c.552]

Из простых веществ самую высокую критическую температуру перехода в сверхпроводящее состояние имеет ниобий [Тс = 9,17 К). Сплавы ниобия Nb—Т1—2г (Тс = 9,7 К) нашли применение для обмоток. ющных генераторов, магнитов большой мощности для поездов на магнитной подушке, тунельных диодов и др. Более высокое значение Тс имеют сплавы NbзGe (23 К) и оксидная система (керамика) состава Ьа—Ва—Си—О (35 К). Такие температуры могут быть достигнуты в среде жидкого водорода, температура кипения которого равна 20,3 К. Это область среднетемпературной сверхпроводимости. Если же вещество переходит в сверхпроводящее состояние выше температуры кипения азота, то такие сверхпроводники называются высокотемператАур-ными сверхпроводниками. При температуре жидкого азота такие свойства проявляют вещества следующего элементного состава V—Ва—Си—О (Тс = 90 К), В1—Са—Зг—Си—О (Тс = ПО К), Т1—Са—Ва—Си—О (7 = 125 К), Hg—Ва—Са—Си—О (Тс = 135 К) и др. Ведутся поиски новых систем, которые могли бы находиться в сверхпроводящем состоянии при температурах кипения диоксида углерода (194,7 К), относящиеся к горячим сверхпроводникам. [c.638]

Нитрид Плотность, г/см Температура плавления, °С Теплота образова- ния, кдж/моль удельная электропро- водность, M umIm температура перехода в сверхпроводящее состояние, °К [c.108]

Соедине- ние Плот- ность, г/см Температура плавления, С Теп/1ота образования, кдж1мпль удельная электропро водность, Мсим/м температура перехода в сверхпроводящее состояние, К [c.110]

Критическая температура перехода в сверхпроводящее состояние монотонно возрастает с увеличением параметра решетки. Так, при переходе от СбоКз к СбоКЬзСз критическая температура поднимается от 19,28 до 31,30 К, а параметр решетки возрастает от 1,4253 до 1,4493 нм. Теоретические расчеты методом сильной связи (расширенный метод Хюккеля) показали , что с увеличением параметра решетки возрастает и плотность электронных состояний на границе Ферми. Видимо, поэтому и увеличивается температура соли. [c.153]

Коэффициент линейного термического расширения (20—1000 С), Цград Удельное электросопротивление (20° С), мком-см Температурный коэффициент электросопротивления,1/г/)аЗ Температура перехода в сверхпроводящее состояние, К Удельная магнитная восприимчивость (20,2° С), в единицах СГС Модуль упругости (20° С), кПмм [c.18]

Высокотемпературная сверхпроводимость в керамических оксидных материалах впервые была обнаружена в системе Ьа—Ва—Си—О в 1986 г. с температурой перехода в сверхпроводящее состояние Гс = 35 К. С этого момента началось интенсивное исследование этого явления. Спустя год в мировой научной литературе появилось не менее трех тысяч работ. На следующий год в той же системе получена критическая температура Тс = 70 К. Состав керамики в системе УВагСизО . в том же году обеспечил стабильную воспроизводимость электрических и магнитных свойств практически независимо от способа получения и предыстории исходных химических реактивов с температурой перехода в пределах 90—95 К. Следует отметить, что первый висмутсодержащий оксидный сверхпроводник состава Ва(В11 Ь г)Оз был синтезирован еще в 1975 г., но температура перехода в сверхпроводящее состояние составляла лишь 13 К. В 1988 г, синтезированы сверхпроводящие составы в системе В1—8г— Са—Си—О с уходом сопротивления в нуль при 125 К. С тех пор изучается множество составов в системе В1—8г—Са—Си—О, большинство из них метастабильны и являются смесью сверхпроводящих и несверхгтроводящих фаз. [c.236]

Эпитаксиальному росту сверхпроводящих тонких пленок состава Bi2Sr2 a u20y с плоскими поверхностями посвящен обзор [19], содержащий 11 ссылок. Изучены влияние материала подложки на морфологию и качество пленок, их электрические свойства. Пленки, выросшие на подложках с большим несоответствием решеток, имеют низкую температуру сверхпроводящего перехода. Напротив, пленки, выросшие на подложках с малым несоответствием решеток, имеют очень гладкую поверхность и высокую температуру перехода в сверхпроводящее состояние. Эти результаты интерпретируются в терминах внутренних напряжений, возникающих между пленкой и подложкой. [c.241]

Постоянная Холла для твердого галлия R=—0,63-10- м Кл. Температура перехода в сверхпроводящее состояние для Ga 1,0897 К, Ga 1,0770 К и для природного галлия 1,0845 К. Электросопротивление твердого поликристаллического галлия выше сопротивления жидкого, отношение Р2эз/р з Ь7. Значения удельного электрического сопротивления жидкого галлия при различных температурах [c.171]

Ряд соединений германия с переходными металлами имеет высокую температуру перехода в сверхпроводящее состояние, в частности материалы на основе соединения NbзGe(7 >22 К). [c.223]

Температура перехода в сверхпроводящее состояние при обычном давлении Тс=7,19 К. Увеличение давления приводит к снижению Тс, при Р=5 ГПа Го=5 К, а прн Р=13 ГПа 7 с=3,55 К., Фазовый переход РЫ->-РЬП практически не оказывает влияния на Т . Т.э.д.с. термопары свинец — Платина в интервале 173—373 К меняет свой знак. При 173 К т.э.д.с. термопары =—0,130 мВ, а при 373 К Е — = -(-0,440 мВ. Абсолютный коэффициент т.э.д.с. е =—4,4 мкВ/К. Коэффициент т.э.д.с. жидкого свинца при 623 К е — —5. Постоянная Холла при комнатной тем.нературе Л ==-1-0,09 10 ° м /Кл. В интервале 603-823 К / =(—0,44 0,03).10- ° м7Кл (свинец чистотой 99,999 %). [c.235]

Температура перехода в сверхпроводящее состояние для иодидиого титана чистотой 99,99 % Гс = 0,387 К. Эту температуру (Гс) можно повысить путем легирования титана р-стабилизирующими элементами. [c.243]

Температурный коэффициент электросопротивления в интервале температур 273—373 К а = 4,4-10- К". Температура перехода в сверхпроводящее состояние 7 с = 0,128 К. В термопаре гафний—платина гафний проявляет положительную т. э. д. с. по отношению к платине. При 723 К э. д. с. указанной термопары достигает 6 мВ. Максимальный коэффициент вторичной электронной эмиссии Сттах=1.16 при ускоряющем напряжении первичных электронов 0,7 кэВ. [c.262]

Температура перехода в сверхпроводящее состояние для монокристаллов молибдена изотропна, а критическая величина иапряжеииостн магнитного поля анизотропна (по аналогии с данными для монокристаллов ванадия, ииобия и тантала). [c.382]

Температурный коэффициент электросопрогивления для температурного интервала 273—373 К а = 4,20-10- К . Коэффициент вторичной электронной эмиссии атах=1,7 при ускоряющем напряжении первичных электронов 0,75 кэВ. Температура перехода в сверхпроводящее состояние при иапряженности магнитного поля Я=0,817 А/м Гс = 0,71 К. Магнитная восприимчивость при 298 К х=0,052-10- >. [c.510]

Тепловые и термодинамические. Прн давлении 10 МПа температура плавления гелия /пл=—269,7 °С. Прн нормальном давлении (0,1 МПа) температура испарения исп=—268,94 °С, температура перехода в сверхпроводящее состояние 7 с = 2,03 К. Удельные теплоты фазовых переходов в указанных условиях плавления ДЛпл = 5,22 кДж/кг, испарения ДНисп=20,9 кДж/кг, теплота сверхпроводящего перехода равна нулю. Изотоп Не испаряется при исп=—271,5 °С и 0,02 МПа. Удельная теплота испарения в этом случае ДНисп=И,9 кДж/кг. Удельная теплоемкость гелня Ср при низких температурах н нормальном давлении в зависимости от температуры [c.529]