Осаждение в низкотемпературной плазме

ОСАЖДЕНИЕ В НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЕ [c.144]

При получении окислов в низкотемпературной плазме часто происходит осаждение реагентов на стенках и аппарат в реакционной зоне покрывается коркой. Это явление имеет особое значение для процессов, протекающих в плазме высокочастотного разряда и с химическими превращениями реагентов в камере разряда. При этом возможно отложение твердых осадков на стенки камеры, в результате чего меняются индукционные характеристики высокочастотного генератора. Для борьбы с этим явлением предлагается осуществлять испарение жидкости, подаваемой через пористую стенку камеры в разряд, или подвергать действию ультразвуковой энергии с основной частотой 20-20000 гц один из реагентов перед введением в зону реакции [c.71]

Широкое применение в промышленности, главным образом в микроэлектронике, находят в настоящее время тонкие пленки, осажденные из низкотемпературной плазмы. Различные диэлектрические пленки используются [c.277]

Экспериментальные установки для осаждения пленок из низкотемпературной плазмы [c.278]

Пленки неорганических материалов. Пленки неорганических материалов, осажденные в низкотемпературной плазме, плотные, аморфные и характеризуются значительной твердостью. Экспериментально получены следующие пленки а) кремния из плазмы в парах силана осаждением на холодную поверхность б) окислов кремния из плазмы в парах силана и кислородосодержащего газа ( Og, HgO, NO) или разложением тетраэтоксисилана в кислородной плазме в) нитрида кремния из плазмы в смеси силана и аммиака, Si ]4, NHo, N2 и NoO в различных соотношениях. [c.280]

Для научных работников и инженеров-технологов, использующих в работе осаждение пленок с помощью низкотемпературной плазмы. [c.279]

Рассмотрены методы вакуумного нанесения тонких пленок с помощью процессов, происходящих в низкотемпературной газоразрядной плазме осаждение распылением ионной бомбардировкой, активируемое плазмой охлаждение из газовой фазы при пониженном давлении, ионное покрытие, автоэмиссионный метод, кластерный метод, осаждение с помощью сильноточных плазменных устройств. [c.279]

Как правило, наблюдается, что кремнезем осаждается внутри тканей растения в аморфной форме. Тем не менее было сообщено, что в ряде случаев происходит осаждение и кристаллического кремнезема, хотя, правда, не существует способа определения того, не является ли такое осаждение следствием механических пылевидных включений кристаллического кремнезема. Умемото [77] утверждает, что при получении золы растений методом низкотемпературной плазмы фактически удается избежать термических эффектов. (Это позволяет устранить возможную опасность, появляющуюся при использовании сильных окислителей.) Умемото сообщил, что, хотя вначале кремнезем был [c.1020]

Вакуумными технологическими процессами называют процессы обработки поверхности подложки в условиях вакуума (давление ниже 1 Па). К ним относят процессы вакуумтермической технологии осаждения тонких (0,1 —1,0 мкм) пленок различных веществ и технологии обработки поверхности в низкотемпературной плазме (осаждение, оксидирование, травление). [c.129]

Осаждение органических пленок в низкотемпературной плазме тлеющего разряда. Для тонких органических пленок в отличие от неорганических диэлектрических пленок характерны малые внутренние механические напряжения и малая пористость. Для получения тонких органических пленок используют явление полимеризации мономерных >10лекул, адсорбированных подложкой из паровой фазы, с помощью электронно-ионного облучения в вакууме. Под влиянием энергии облучения между мономерными молекулами возникают перекрестные связи, в результате образуется тонкая пленка из макромолекул. [c.154]

Возможности осаждения висмутсодержащих ферроэлектрических пленок из низкотемпературной плазмы также продемонстрированы в ряде работ. Разработаны и устройства для осуществления такого процесса. Так, ферроэлектрические висмутовые слоистые тонкие пленки состава SrBI2Ta209 приготовлены на 1/Т1/8102/81-подложке плазмохимическим осаждением из газовой металлоорганической фазы [197]. Пленки кристаллизовались при температуре 500—600 °С. Диэлектрическая постоянная и фактор диссипации составляли, соответственно, 320 и 0,04 при приложенной частоте [c.269]

Для синтезов все чаще применяют методы фиэ. воздействия — сверхвысокие т-ры и давления, ионизирующее излучение, ультразвук, вибрация, интенсивное световое излучение, магн. поля, ударные волны и центробежные силы. Мн. процессы проводят в условиях горения или низкотемпературной плазмы. Нередко применяют низкие и сверхнизкие т-ры, сверхглубокий вакуум, большие скорости снижения т-р при закаливании, исследуют процессы в условиях невесомости. Широкое применение находят неводные р-рители. Для получения тугоплавких соединений применяют методы спекания, реакц. спекания и хим. осаждения из газовой фазы. Хим. р-ции часто сочетают с получением волокнистых, слоистых и монокристаллич. материалов, с изготовлением электронных схем. Легирующие элементы часто вводят методом ионной имплантации. Сферич. частицы мн. оксидов со спец. св-вами получают методом золь — гель (превращая р-р соли в эоль, к-рый переводят в гель и прокаливают). [c.373]

При получении окислов в низкотемпературной плазме часто происходит осаждение реагентов на стенках и аппарат в реакционной зоне покрывается коркой. Это явление имеет особое значение для процессов, протекающих в плазме высокочастотного разряда и с химическими превращениями реагентов в камере разряда. При этом возможно отложение твердых осадков на стенки камеры, в результате чего меняются индукционные характеристики высокочастотного генератора. Для борьбы с этим явлением предлагается осуществлять испарение жидкости, подаваемой через пористую стенку камеры в разряд или подвергать действию ультразвуковой энергии с основной частотой 20-20000 гц один из реагентов перед введением в зону реакции При получении мелкодисперсных порошков плазмохимическим методом технологическая схема процесса, его производительность, выбор исходного сырья и свойства порошков зависят от характеристик источника низкотемпературной плазмы. Экономическая оценка химической ооработки материалов в плазме показала 328, чю простым и дешевым плазменным источником является угольная дуга, однако она не может быть использована для получения окиси алюминия. Для этой цели наиболее пригодны дуговые и высокочастотные плазмотроны, [c.71]

Для получения защитных пленок на полупроводниковых изделиях, в частности на поверхности кремния, осаждение производится чаще при 500—800° С. Низкотемпературное нанесение пленок на поверхность изделий из кремния возможно при разложении алкоксисиланов в газовой плазме. В частности, разработан метод нанесения пленок Si02 путем разложения различных соединений [c.38]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология