Атмосфера кристаллизации

Диаграмма состояния позволяет установить основные условия кристаллизации состав выращиваемого монокристалла, атмосферу кристаллизации. [c.8]

Рис. 8. Изменение веса лейкосапфира в зависимости от температуры и атмосферы кристаллизации 1 — атмосфера водорода, 2 — вакуум 5 10 тор. 5 — атмосфера азота

На основе даннь]х работы [12] была предложена технология выращивания монокристаллов лейкосапфира в газовой среде СО низкого давления (0,2 0,3 тор) [14]. Проведенные исследования позволили определить требования к атмосфере кристаллизации должны содержаться добавки, обеспечивающие восстановительные условия парциальное давление этих добавок не должно превышать критического значения (Р о — 1 тор) [c.14]

Указанное рассмотрение относится к случаю испарения в вакууме. В действительности же мы имеем дело с атмосферой нормального давления, о вкладе которой можно судить по величине поверхностного натяжения расплава. Например, при увеличении давления атмосферы кристаллизации до нормального поверхностное натяжение оксида алюминия снижается от 0,68 Дж/м (в вакууме) до 0,2 Дж/м (на воздухе). Эту зависимость можно учесть, используя уравнение Шишковского [c.91]

Метод гарниссажа обладает рядом преимуществ свободой выбора атмосферы кристаллизации, вплоть до кристаллизации на воздухе малыми [c.133]

Несмотря на уникальные возможности получения высоких и сверхвысоких температур, плазменный нагрев, однако, во многом ограничивает условия кристаллизации. Во-первых, поток газов, образующих плазму, не позволяет создать требуемую атмосферу кристаллизации и полностью исключает кристаллизацию в вакууме. Во-вторых, для плазменного нагрева характерны слишком высокие градиенты температуры и недостаточно [c.135]

Роль атмосферы кристаллизации можно проследить на примере плавления оксида алюминия в различных средах — в вакууме, в атмосфере азота и в атмосфере водорода, поскольку природа атмосферы кристаллизации влияет на интенсшность испарения кристаллизуемого вещества. Согласно рис. 8 наименьшая интенсивность испарения в атмосфере азота, а наибольшая — в атмосфере водорода. Вакуум занимает промежуточное [c.13]

Таким образом, атмосфера кристаллизащш является достаточно мощным средством, позволяющим влиять на характер процесса. Для усиления, например, диссоциативного испарения предпочтительным является вакуум, а для его ослабления — инертная атмосфера. В общем виде можно сформулировать следующее правило в качестве атмосферы кристаллизации предпочтительной является атмосфера, содержащая летучие компоненты кристаллизуемого вещества [15]. Например, для оксидов — кислородсодержащая атмосфера нитридов — азотсодержащая атмосфера фторидов — фторсодержащая атмосфера сульфидов — серосодержащая атмосфера фосфидов — фосфорсодержащая атмосфера и т. д. В практике выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов используется кристаллизация как в вакууме, так и в нейтральной (гелий, аргон, азот) и окислительной (воздух, кислород) атмосферах. [c.15]

Известно, что давление атмосферы кристаллизации определяется величиной упругости пара кристаллизуемого вещества. Разлотается кристаллизация при нормальном давлении (1 атм.) средних давлениях (до 200 атм.) высоких давлениях (свыше 200 атм.). Подавляющее большинство кристаллов выращивается при нормальном давлении, так как использование средних и высоких по величине давлений сопряжено с техническими [c.15]

Известно [18], что к лимитирующим кристаллизацию факторам относятся факторы как физической, так и химической природы химхгческие реакции синтеза исходного вещества, термическая диссоциация, взаимодействие кристаллизуемого вещества с материалом контейнера и с атмосферой кристаллизации и другие. Их интенсршность определяется диффузионным переносом вблизи фронта роста. [c.21]

Наличие указанных полос поглощения в с1шьной степени зависит от атмосферы кристаллизации. Эти полосы практически не наблюдаются при кристаллизации на воздухе и в инертной атмосфере, а проявляются при кристаллизации в вакууме или в атмосфере водорода. [c.83]

Характерно, что аналогичное поведение наблюдается и при исследовании температурной зависимости изменения веса образцов (см. рис. 8). То есть аналогичный характер изменешш двух разных по своей природе физических величин (появление полос поглощения и изменение веса образцов) в зависимости от атмосферы кристаллизации позволяет считать, что наводимое УФ-излучением поглощение связано с образованием в монокристаллах точечных дефектов за счет испарения одного из компонентов кристаллизуемого вещества. [c.83]

Если методы поиска новых монокристаллов отличаются технической простотой и универсальностью используемой аппаратуры, то методы, связанные с созданием высокосовершенных, в том числе и крупных монокристаллов, используют аппаратуру, которая в состоянии обеспечить преид-зионную стабильность температуры (с заданным распределением) и строгое соблюдение химического состава кристаллизуемого вещества. Причем обеспечение указанных требований в сильной степени зависит от способа нагрева, материала контейнера и атмосферы кристаллизации. [c.85]

Напротив, имеется, например, температурный предел, определяемый теп-лофизическими свойствами материалов нагревателей и тепловых экранов. Более того, взаимодействие паров кристаллизуемого вещества с материалом нагревателя зачастую уменьшает срок его службы. Омический нагрев накладывает ограничение и на атмосферу кристаллизации. На рис. 95 представлены различные типы омических нагревателей. Основное требование к ним — устойчивость при высоких температурах, т. к. в противном случае произойдет нарушение теплового режима кристаллизации. Как показал опыт эксплуатации омического нагрева, весьма эффективным оказался коаксиальный нагреватель (рис. 95 д), представляющий собой систему из трех соединенных по следовательно труб. Причем внутренная трубка (нагреватель) выполнена из вольфрамового листа, что позволило создавать в нем температуры порядка 2500 Ч- 2800 °С. Два внешних молибденовых экрана играют активную роль, поскольку являются проводниками электрического тока к нагревательному элементу. [c.130]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология