Сорбция кислорода на полупроводниках

Сорбция кислорода на полупроводниках [c.36]

Наблюдаемое здесь явление отлично от появления темновой проводимости у фталоцианинов ( дырочных полупроводников) при сорбции кислорода [20]. [c.388]

На основании изотопных данных и измерений работы выхода электрона при адсорбции на поверхности металлов и полупроводников существуют отрицательно заряженный атомарный и молекулярный кислород. Поверхность катализатора неоднородна по теплотам и энергиям активации сорбции кислорода. [c.120]

В. Ф. Киселев (1961 г.) получил надежные опытные доказательства и дал теоретическое обоснование строгого подчинения процесса хемосорбции закономерности стехиометрии. Совместно с сотрудниками им было установлено, что величины и теплоты сорбции на графите обусловлены количеством и характером межатомных связей, возникающих между атомами сорбата и атомами поверхности сорбента. Он отмечает, что хемосорбция на атомарно чистой поверхности приводит к насыщению разорванных на поверхности химических связей. Происходит восстановление нормальной гибридизации орбиталей поверхностных атомов благодаря их связи с хемосорбированными атомами. Исследование поверхности полупроводников со структурой алмаза, а именно монокристаллов германия и кремния методом дифракции медленных электронов, показало, что при сорбции на них кислорода, иода, брома, воды и атомов некоторых металлов действительно восстанавливается порядок в расположении атомов на поверхности, что и позволяет восстанавливать нормальную гибридизацию. [c.199]

Следует особо отметить, что конденсация паров многих элементов сопровождается сорбцией или образованием соединений с остаточными газами в вакуумной камере (кислород, азот, углерод— от разложения летучих органических соединений, выделяющихся из вакуумного масла). Кислород, азот и углерод являются для большинства полупроводников весьма нежелательными примесями, а поэтому процессы дистилляции или возгонки необходимо проводить в камерах, где предусмотрена возможность десорбции газов со всех внутренних поверхностей и где может быть обеспечен возможно более глубокий вакуум. [c.393]

Окислы металлов (УзОб, СнаО, N10 и др.). Адсорбция кислорода на некоторых полупроводниках (2пО, СигО) изучена довольно подробно. В табл. 9 приведены данные об энергиях активации, теплотах адсорбции и кинетических законах сорбции кислорода, на простых полупроводниковых окислительных катализаторах. [c.36]

Следует заметить, что в настоящее время насчитывается только небольшое число исследований по хемосорбции на полупроводниках и изоляторах во время облучения. Можно упомянуть работы Барри [1 ] по хемосорбции кислорода на ZnO, Барри и Клира [2, 3] по хемосорбции кислорода и водорода на ZnO, Кекельбергса с сотр. [4] по хемосорбции кислорода на АЦОз и Колбановского и Пепеляева [5] по хемосорбции водорода на 7-AI2O3. Однако из упомянутых выше исследований, выполненных в разных условиях, практически невозможно сопоставить скорости хемв-сорбции кислорода и водорода на этих двух твердых телах с различными электронными свойствами. [c.242]

Марголис [149] была изучена хемосорбцпя непредельных и насыщенных углеводородов на различных полупроводниках на простых окислах металлов — пятиокиси ванадия, закиси меди, закиси никеля, окиси хрома, и па сложных — шпинелях (СиСг204 и М Сгг04). В статической вакуумной установке катализаторы тренировали в вакууме ири 10 мм рт. ст. ири различных температурах. Сорбцию углеводородов изучали при низких давлениях объемным методом, а при давлениях 200 мм рт. ст. — на кварцевых пружинных весах. Для изучения хемосорбции подбирали такие условия, при которых полностью отсутствуют побочные процессы (окисление углеводородов кислородом решетки катализатора, разложение углеводорода и т. д.). [c.48]

На типичных р-полупроводниках углеводороды при сорбции понижают их электропроводность. Знак заряда адсорбированной молекулы, определенный для N10 и УгОз по работе выхода и по результатам измерения электропроводности, один и тот же. Таким образом, различные молекулы углеводородов являются донорами при адсорбции на простых и сложных полупроводниках таких как 2пО, МпОг, СггОз, СпзО, МпСогО и СоМпа04. По данным Твигга [165], электропроводность серебра, нанесенного на стеклянное волокно, увеличивается при взаимодействии с этиленом и уменье шается при обработке в кислороде. Любарский [107] показал, что электропроводность серебра изменяется при реакции окисления этилена. Измерение электропроводности тонких серебряных про- [c.55]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология