Динамика двойника

В других задачах динамики двойника подобное универсальное решение отыскать не удалось, и они анализируются с помощью приближенного метода (см. гл. 4). [c.88]

При изучении динамики двойника интерференционным методом по высоте ступеньки на поверхности кристалла необходимо использовать соотношение [c.108]

Для более детального сопоставления динамики двойника и звукового излучения была разработана методика синхронной регистрации перемещения дислокаций и генерируемой ими АЭ [412—416]. Схема эксперимента "показана на рис. 8.1. Кристалл кальцита 1 вырезался таким образом, чтобы в нем можно было создать упругий двойник 2, состоящий из прямолинейных отрезков винтовых двойникующих дислокаций. Упругий двойник удерживался в кристалле распределенной нагрузкой, прикладываемой к кристаллу с помощью тяги 3. [c.209]

Характер и динамика износа печных труб и двойников, т. е. наиболее ответственных элементов трубчатых печей, зависят прежде всего от свойств проходящего по змеевику продукта и его температуры. [c.6]

Точное решение системы нелинейных интегродифференциальных уравнений динамики упругого двойника в общем случае не представляется возможным. При рассмотрении возможности приближенного решения следует учесть, какие именно параметры движущегося скопления представляют наибольший интерес с точки зрения сопоставления с экспериментом. Выпишем соотношения, связывающие функции р(х, t), v x, ), X (г) с параметрами, измеряемыми в экспериментах с макроскопическими двойниками. [c.107]

Выход упругого двойника из кристалла под действием сил поверхностного натяжения рассмотрен в [192, 223, 226]. Если после образования двойника разгрузить кристалл, то будет происходить выход упругого двойника из кристалла (предполагается, что М ГГ > 5о) под действием сил поверхностного натяжения. Рассмотрение динамики такого выхода представляет особый интерес, так как он является специфической особенностью явления. В этом случае Рд = 0. Выражение для р получаем в виде [c.110]

Динамика превращения двойника в остаточную прослойку рассмотрена в [192, 223]. Так как функция 5д (х) отлична от нуля только в конце двойника, то в случае пластины ее можно записать в виде [c.111]

Ри с, 4.23, Сопоставление экспериментальных данных о динамике выхода упругого двойника из кристалла с соотношением (3.73) 1 - 6 - номера двойников [c.125]

Данная простая модель искусственного нейрона игнорирует многие свойства своего биологического двойника. Например,она не принимает во внимание задержки во времени, которые воздействуют на динамику системы. Входные сигналы сразу же порождают выходной сигнал. Несмотря на это, сети, построенные из искусственных нейронов, обнаруживают свойства, сильно напоминающие биологическую систему. Среди других моделей искусственных нейронов можно назвать нейроны второго и более высокого порядка, которые, в отличие от рассмотренного нейрона первого порядка, осуществляют перемножение не векторов, а матриц и многомерных тензоров. [c.33]

В описанных ниже экспериментах динамика двойника изучалась в условиях, наиболее приближенных к рассматриваемым в динактческой теории — в случае двойников, состоящих из прямолинейных двойникующих дислокаций. Характерные времена перемещения такого двойника в кристалле составляли 10 -10 с. Поэтому для исследования динамическо- [c.92]

В целом можно сделать вьюод, что приближенный способ решения системы основных уравнений динамики двойника позволяет получить соотношения, количественно описывающие изменение во времени макр< скопических характеристик двойника и качественно описывающие полу-микроскопические. [c.127]

Перейдем к построению импульса ПАВ, генерируемого при выходе упругого двойника (фактически плоского скопления двойникующих дислокаций) из кристалла. В качестве р(0, и и (О, г) используем автомодельные решения уравнений динамики двойника (см. гл. 3). В результате получаем, что выражение для импульса ПАВ, генерируемого при вь1ходе на поверхность упругого двойника, в случае Г < г имеет вид [c.207]

Перейдем к краткому описанию методики моделирования, разрабо-ганной для исследования атомной структуры ядер полных и двойникую-ших дислокаций, двойниковых и межзеренных границ [117, 118, 122, 126, 132--135, 139, 140]. В качестве вещества, служ ашего образцом для конструирования схем мoдeлиpoвaниЯj во многих случаях использовался вольфрам. Он практически упруго изотропен, и динамику его ре щетки можно описывать с помощью центральных сил. [c.38]

Что касается сопоставления данамической теории с экспериментом, то ранее его можно бьшо в основном провести лишь с результатами о "пробивании двойником кристалла в однородном упругом поле [57, 199—202]. Этот процесс протекает с большой скоростью и регистрируется высокоскоростной киносъемкой. В рамках динамической теории удается описать все основные стадии двойникования, в том числе и в случае приложения сосредоточенных нагрузок как для больших, так и для малых скоростей движения двойника, образованного плоским скоплением прямолинейных дислокаций. Определенную информацию об этом можно извлечь из экспериментов [198, 203, 70] на кальците, В [198, 203] изучалась динамика роста двойника под сосредоточенной нагрузкой в расширенном интервале температур. В [70] исследовалась динамика выхода двойника из кристалла. Эти эксперименты проводились над линзовидными двойниками. Большой вклад сил поверхностного натяжения приводил к настолько большим скоростям движения двойника, что он не успевал полностью подстраиваться к изменяющейся нагрузке, так что, по существу, была получена информация лишь о временном характере изменения нагрузки [196]. [c.92]

Таким образом, в рамках развитого выше дислокационного подхода удается дать последовательное описание кинетики (статики и динамики) упругого двойника, превращения его в остаточную прослойку и ее утолщения. Следует, однако, иметь в виду, что из рассмотрения выпадает случай утолшения остаточной прослойки под воздействием больших нагрузок, когда дислокаций на границе мало и ситуацию нельзя описать в терминах дислокационного ансамбля. Кроме того, в ряде материалов в процессе двойникования имеет место взаимодействие между растущими двойниками, картина осложняется параллельно протекающими процессами скольжения и разрушения. Последовательное включение всех этих явлений в общую схему дислокационного описания, по-видимому, станет возможным по мере дальнейшего развития теории. [c.121]

Динамика роста двойника под сосредоточенной нагрузкой рассмотрена в [224]. Изучение производилось методом скоростной киносъемки на той стадии, когда двойник уже яьлялся макроскопическим скоплением дислокаций на первом же кадре после появления двойника его длина была не меньше 0,05 см. Такой двойник вполне может описываться в терминах динамической теории. Кинокамера СКС-Ш включалась в момент нагружения кристалла, воздействие на кристалл осуществлялось сосредоточенной нагрузкой - шаром небольшого диаметра, а двойник состоял из прямолинейных отрезков двойникующих дислокаций. Максимальные скорости конца двойника составляли порядка 10 см/с. [c.122]

Динамика выхода упругого двойник а из кристалла под действием сил поверхностного натяжения исследоваласБ в [226]. Движение двойника при этом полностью определяется внутренними силами, и зависимость Ь ( ), полученная в рамках динамической теории, носит универсальный характер. Экспериментальная проверка ее возможна лишь в условиях, когда двойник сокращается в свободном от внешних напряжений кристалле. Создание таких условий было важным моментом при проведении данных экспериментов. С помошью сосредоточенной нагрузки в кристалле кальцита вызывался упругий двойник, образованный скоплением прямолинейных краевых двойникуюших дислокаций. Затем двойник переводился на распределенную нагрузку и удерживался в кристалле электромагнитом. Выключение электромагнита синхронизировано с запуском скоростной кинокамеры. В момент выключения электромагнита тяга, жестко связанная с якорем, приподнималась над поверхностью образца. Этот процесс кииематографировался. [c.124]

Обработка экспериментальных данных для участка небольших длин двойников (Ь < 0,45 см) показывает (рис. 4.23), что дислокационное описание динамики выхода упругого двойника из кристалла в диапазоне больших скоростей движения хорошо огшсывает этот процесс. Следует иметь в виду, что соотношение (3.73) получено для двойника в неограниченном кристалле эти результаты без изменения могут быть также перенесены на двойник вблизй поверхности, образованный винтовыми дислокациями. Поскольку в настоящих экспериментах исследовался двойник, состоящий из краевых дислокаций, то надежнее оценивать В по порядку величины -в 10" Пз (подробнее измерение параметра теории 5 и его физическая природа будут рассмотрены ниже). [c.124]

Для прямого сопоставления динамики сокращения двойника и генерируемого аннигиляционного излучения проводилась синхронная регистрация этих процессов. Результаты одного из экспериментов представлены на рис. 8.21, где на единой временнбй шкале показаны зависимость длины сокращающегося двойника от времени и осциллограмма зафиксированного звукового сигнала. Эти процессы можно сопоставить с погрешностью, не превышающей нескольких миллисекунд. [c.227]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология