Теория электрокристаллизации

НО из-за ряда различных причин не реализуются. Часть из этих причин была учтена в кристаллохимической теории электрокристаллизации К. М. Горбуновой и П. Д. Данкова, которую можно рассматривать как развитие взглядов Фольмера. [c.338]

Следует также учитывать возможное изменение состава раствора в непосредственной близости от растущей грани кристалла и влияние перемещивания электролита. Большинство этих факторов было принято во внимание в кристаллохимической теории электрокристаллизации металлов, разработанной К. М. Горбуновой и П. Д. Данковым [4], которая хорошо согласуется с опытными данными. Так, например, эта теория объясняет такие опытные факты как распространение по поверхности кристалла при послойном росте не монослоев, а толстых пакетов толщиной в десятки, сотни и даже тысячи атомов. Создание первоначального двухмерного зародыша протекает, в соответствии с этой теорией, на пассивированной грани, на которой выигрыш энергии может быть [c.127]

Кристаллохимическая теория электрокристаллизации [c.352]

Теория электрокристаллизации должна объяснять течение катодного процесса, начиная от появления после разряда первых свободных атомов и зародышей кристаллов в виде кристаллических или коллоидных частиц и вплоть до формирования кристаллов и образования металлических покрытий на катодах. Эти процессы во многих случаях находятся в тесной связи с процессами в прикатодном слое, преимущественно в жидкой фазе, т. е. с теми явлениями, для объяснения которых возникли теории, рассмотренные в предыдущем параграфе. [c.350]

Одним из важных в теории электрокристаллизации является вопрос о месте разряда ионов металла. Непосредственно восстановление гидратированных ионов металла до атомов в местах роста зародышей статистически маловероятно. Можно предположить, что ионы металла восстанавливаются в любом месте поверхности до адсорбированных атомов, которые потом по поверхности металла диффундируют к месту роста. Согласно другой концепции (Дж. Бокрис, Б. Конвей) энергия активации перехода из гидратированного иона в растворе в незаряженный атом слишком велика и перенос не может осуществляться с заметной скоростью. В связи с этим переносимая по поверхности частица является не адсорбированным атомом (ад-атом), а адсорбированным ионом (ад-ион). Миграция ад-иона по поверхности будет сопровождаться постоянным уменьшением гидратной оболочки и увеличением числа координационных связей с атомами металла. [c.240]

Критические зародыши — это неустойчивые частицы новой фазы, которые с равной вероятностью могут как расти, так и распадаться. Расчеты, основанные на современной теории электрокристаллизации металлов, показывают, что зародыши критического размера содержат от двух до восьми атомов металла. Изменение энергии Гиббса системы при образовании зародыша критического размера связано с возникновением поверхности раздела фаз зародыш — электролит и с образованием объема новой фазы. Выражение для изменения энергии Гиббса при образовании трехмерного зародыша имеет вид [c.30]

Специфической областью электрохимической кинетики является раздел, посвященный электрокристаллизации. Теория электрокристаллизации имеет большое значение для таких важных приложений электрохимии, как электрометаллургия и, особенно, гальванотехника. [c.161]

Следовательно, образование цинковой губки при низких катодных плотностях тока является не исключением, как это принято было считать до сих пор, а наоборот, служит подтверждением основных положений общей теории электрокристаллизации металлов. [c.248]

НЕКОТОРЫЕ ВОПРОСЫ ТЕОРИИ ЭЛЕКТРОКРИСТАЛЛИЗАЦИИ СПЛАВОВ [c.404]

Вопросы теории электрокристаллизации сплавов 405 [c.405]

Не следует, конечно, думать, и я также далек от этой мысли, что только адсорбцией катионов или анионов можно объяснить все многообразие явлений электрокристаллизации металлов и что весь сложный процесс образования новой фазы па катоде может быть сведен к разности между стационарным потенциалом металла и его нулевой точкой. Совершенно очевидно, что имеются и другие факторы, играющие важную роль в процессах осаждения и растворения металлов большинство из них учитывается современной теорией электрокристаллизации металлов. К числу таких факторов относятся образование поверхностных окислов, адсорбция незаряженных частиц, в частности, атомарного водорода, различных органических молекул, гидратов окислов и основных солей осаждаемого металла, изменение состава разряжающихся ионов и т.д. [c.575]

Совещание отмечает большие успехи, достигнутые советскими электрохимиками в развитии кинетики электродных нроцессов, теории электрокристаллизации, электродных потенциалов, процессов коррозии, исследовании строения границы металл — раствор. [c.6]

Глубокое исследование теории электрокристаллизации металлов создало благоприятные предпосылки для развития промышленности электроосаждепия металлов. [c.6]

Подробный анализ явлений, сопровождающих рост граней кристалла., был сделан К. М. Горбунопой и П. Д. Данковым [3] при изложении разработанной ими кристаллохимической теории электрокристаллизации. [c.336]

Теория ориентированной электрокристалпизации разработана на основании классических теорий электрокристаллизации, структурообразова-ния и текстурообразования. Эта теория способна описать основные закономерности формирующейся макроструктуры (фазовое строение, химический состав, текстуру), индивидуальные особенности некоторых реальных систем, прогнозировать структуру неисследованных систем с учетом механизма для однокомпонентных и смешанных кристаллов. [c.24]

Большинство этих факторов было учтено в кристаллохимической теории электрокристаллизации металлов, разработанной К- М. Горбуновой и П. Д. Данковым (1948). Кристаллохимическая теория лучше согласуется с опытными наблюдениями, чем теория Фольмера. Она объясняет такие опытные факты, как распространение по поверхности не мономолекулярного слоя, а толстого пакета постоянное направление развития этого пакета от одной стороны грани к другой и т. п. Создание первоначального двухмерного зародыша протекает, согласно этой теории, на отравленной (пассивированной) грани, на которой выигрыш энергии может быть меньше, чем величина За, 2а или даже а. В то же время поверхность только что появившегося зародыша не успевает еш е в достаточной степени запассивироваться и поэтому посадка на нее новых структурных элементов кристалла оказывается энергетически более выгодной. В результате возникает двухэтажный зародыш, на который может наслаиваться третий зародыш и т. д. вплоть до образования пакета. Все однослойные двухмерные зародыши развиваются при этом по закону новторяюшегося шага и, следовательно, рост пакета в целом совпадает с направлением роста каждого из зародышей. [c.433]

Большинство этих факторов было учтено в кристаллохимической теории электрокристаллизации металлов, разработанной Горбуновой и П. Д. Данковым (1948). Кристаллохимическая теория лучше согласуется с опытными наблюдениями, чем теория Фольмера. Она объясняет такие опытные факты, как распространение по поверхности не мономолекулярного слоя, а толстого пакета, постоянное направление развития этого пакета от одной стороны грани к другой и т. п. Создание первоначального двухмерного зародыша протекает, согласно этой теории, на отравленной (пассивированной) грани, на которой выигрыш энергии молжт быть меньше, чем величина За, 2а или даже 1а. В то же время поверхность только что появившегося зародыша не успевает еще в достаточной степени запассивироваться и поэтому посадка на нее новых структурных элементов кристалла оказывается энергетически более [c.432]

Электролитические осадки обычно подразделяют по характеру связи отдельных кристаллитов между собой в основном на два типа порошки, частицы которых представляют собой ден-дриты, и плотные — компактные покрытия, состоящие из более или менее четко выраженных кристаллитов. Закономерности роста осадков обоих типов соответствуют основным положениям теории электрокристаллизации. [c.381]

Состоявшееся совеищние по электрохимии ноказало, что по ряду вопросов теоретической электрохимии, как то механизму выделения водорода, строению двойного слоя, вопросу об абсолютных потенциалах, о иространственном разделении катодного и анодного нроцессов при явлениях коррозии и растворении металлов, некоторым вопросам теории электрокристаллизации и т. д., в настоящее время еще не существует единой точки зрения среди советских электрохимиков. [c.3]

В связи с большим значением вопроса о распределении активных и пассивных мест на электроде оказывается существенным выяснение закономерностей этого распределения и природы активности и нассив-ности различных участков поверхности. Этот вопрос применительно к росту отдельных граней и отдельных нитевидных и дендритных кристаллов, с точки зрения развиваемой иами кристаллохимической теории электрокристаллизации, был рассмотрен недавно [1,2] и дал ряд интересных результатов. Вместе с тем оказывается важным рассмотреть, хотя бы в нервом ириближении, распределение активных и пассивных мест при росте сплошных (плотных, порошковых и др.) осадков. [c.222]

С точки зрения развитой нами теории электрокристаллизации, механизм возни1 новения порошковых осадков онисывается следующим образом. Определяющей в этом механизме является весьма низкая, близкая к нулю концентрация ионов металла в прикатодном слое раствора. При такой концентрации возникают качественно новые условия выделення металла. Скорость образования зародышей и скорость выделения ионов металла в этом случае будут в значительной мере определяться их кон-це1гграцией, а не только работой образования зародышей и энергией ак- [c.234]

В последние годы замечается расцвет советской теоретической электрохимии. Наряду с достижениями по теории электрокристаллизации, благодаря работам К. М. Горбуновой, А. Т. Ваграмяна, А. Г. Самарцева, П. Д. Данкова и Г. В. Воздвиженского, за последнее время сформировались новые и плодотворные пути развития электрохимической мысли, связанные с именами О. К. Кудры, Л. И. Антропова, Н. Е. Хомутова, Г. В. Акимова, В. Ф. Антипина. [c.244]

Г. Брандес заложил основы теории электрокристаллизации металлов. [c.594]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология