Взаимодействие между хемосорбированными атомами

На рис, 5 показана зависимость описанной выше необратимой (или сильной) хемосорбции пропилена от теплоты образования окислов, рассчитанной на 1 г-атом кислорода. Видно, что количество необратимо хемосорбированного пропилена увеличивается при уменьшении теплоты образования окисла, т. е. при уменьшении энергии связи между металлом и кислородом. Такую закономерность следовало ожидать, если необратимая хемосорбция связана с взаимодействием пропилена с ионами кислорода окисла, поскольку кажется вполне вероятным, что реакционная способность ионов кислорода по отношению к пропилену должна быть высокой в случае слабой связи между металлом и кислородом. [c.408]

Для случая в основном ковалентных хемосорбционных связей, к которым относится, например,, большинство связей водорода с металлами. Будар [61 ] сделал попытку найти связь между изменением работы выхода и изменением теплоты хемосорбции AQ по мере увеличения покрытия поверхности 6. Будар принимает, что изменение дифференциальной теплоты при добавлении аО атомов к хемосорбированному слою эквивалентно работе переноса оЬ электронов из металла в середину двойного слоя (мы допускаем, что в этом случае отрицательные концы диполей направлены наружу). Однако это равносильно предположению, что связь является на 100% ионной, поскольку на каждый адсорбированный атом переносится один электрон, и в то же время на 100% ковалентной, так как электрон переносится только на расстояние //2, где й—толщина двойного слоя. В случае, когда хемосорбционные связи являются в основном ковалентными, только часть заряда на каждый хемосорбированный атом участвует эффективно в образовании двойного слоя, и поэтому, как указал Кемболл [47], вычисленное значение ЛQ должно быть значительно меньше величины 0,5 полученной Бударом. К аналогичным выводам пришел Гомер [43]. Тем не менее следует ожидать, что этот эффект, которому Будар дал название индукция , приведет к снижению дифференциальных теплот хемосорбции. Из-за малочисленности экспериментальных данных по значениям Аф и AQ для одних и тех же систем нельзя сделать каких-либо определенных выводов относительно величины отношения Аф/Ар. Оптимальная для определения этого отношения область заполнения поверхности лежит в пределах от 0= -=О,3 до 6= 0,7, поскольку, как будет показано ниже, при малых заполпе-ииях теплоты увеличиваются благодаря биографической неоднородности, а при больших покрытиях вследствие поверхностного взаимодействия нельзя ожидать линейной зависимости между Ф и Q. [c.499]

Об элементарных взаимодействиях между газообразными участниками реакции и поверхностью кристалла нельзя привести надежных данных, так как процесс очень сложен. Поэтому представляется целесообразным сравнить связи в поверхностном комплексе со свя-зями в неорганическом комплексе. С уверенностью можно сказать, что каталитическое действие основывается на процессах химической и физической адсорбции. Таким путем на поверхности возникают активированные комплексы (адсорбционные комплексы или нестабильные переходные состояния), например, благодаря хемосорбированному атому, который действует как активный центр физической адсорбции. Характерно то, что переходные металлы, известные как комплексооб-разователи, одновременно являются хорощнми катализаторами. По истечении периода вероятного существования этот комплекс опять распадается с образованием продуктов реакции. Таким образом, энергия активации, необходимая для реакции, сильно понижается, а скорость реакции увеличивается. [c.373]

Сходное объяснение различия существующего между энергиями активации реакций обмена и гидрирования дал Туигг [115], который предположил, что при более низких температурах равновесная адсорбция водорода не достигается. Единственное отличие от трактовки Хориути заключается в том, что согласно Туиггу, реакция протекает при взаимодействии между адсорбированной молекулой водорода и хемосорбированной молекулой этилена, в результате чего образуется адсорбированный этильный радикал и адсорбированный атом водорода. [c.369]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология