Общие положения о распылении

ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ О РАСПЫЛЕНИИ [c.29]

Резервуар наполняется на 7-1 своей емкости известковым порошком . Весь распылитель, включая выпускные трубки, взвещивают с точностью до 1 г. Жестко закрепляют его в определенном положении и затем по крайней мере 2 минуты осуществляют непрерывное опыливание со скоростью, не превышающей установленную. После этого вес распылителя и оставшегося порошка определяют с точностью до 1 г. Затем подсчитывают общий вес распыленного порошка и определяют его расход в 1 минуту. [c.465]

Для обеспечения эффективного испарения жидкого топлива, подаваемого в камеры сгорания газотурбинных двигателей, топливо должно быть хорошо распылено. Механизм распыления топлива до настояш,его времени недостаточно изучен, и нет обш ей теории, на основе которой можно было бы предварительно определять необходимую тонкость распыливания топлив. Общий характер процесса распыливания топлив обычно устанавливают по результатам многочисленных экспериментальных работ и некоторых теоретических положений. [c.8]

Картины преимущественного выброса распыленных атомов наблюдались и при ионном распылении полупроводников, хотя для этих материалов анизотропия распределения менее выражена, чем для металлов. Преимущественные направления испускания — это, во-первых, <111> и, во-вторых, <100> [88, 89]. Количество материала, распыленного в этих направлениях, и ориентация этих направлений зависит от угла падения ионов. Это означает, что наблюдаемые преимущественные направления испускания обусловлены столкновениями в приповерхностном слое, а не цепочками сфокусированных столкновений. Выброс атомов в направлении <100>, по-видимому, невозможен для бездефектных структур. Андерсон и Венер [88] предположили, что такой выброс возможен, если будет занято любое из общих междоузельных положений. [c.386]

На рис. 144 дан общий вид установки для микроопределения температуры плавления. Небольшое количество распыленного вещества микрошпателем кладут на стеклянную пластинку и прижимают сверху покровным стеклом. Затем образец помещают в столик, как показано на рис. 145, и закрепляют сверху вилкообразным зажимом последнее не обязательно, но рекомендуется для недостаточно опытных работников. Положение стекла подбирают при фокусировке микроскопа, чтобы в поле зрения были не целые образования, а отдельные, четко выраженные кристаллы. Иногда [c.132]

В связи с этим важное практическое значение приобретают исследования способности жидких ФФО резольного типа включать и удерживать воздушные пузырьки при перемешивании и распылении этих олигомеров. Исходя из общих положений физикохимии пенообразоваиия, изложенных нами ранее [5, 59], совершенно очевидно, что эти вопросы тесным образом связаны с агрегативной устойчивостью полимерных пен. Процессы эмульгирования компонентов, зарождения, роста и стабильности газовых пузырьков во многом определяются присутствием ПАВ [53, 54]. [c.163]

В бумажной (или тонкослойной) х ромато рафии (комплексные соединения металлов распределяются между полярной неподвижной фазой и менее полярной подвижной фазой. Чем выше растворимость данного комплексного соединения в неполярной фазе, тем выше окорость перемещения соответствующего пятна от точки нанесения пробы (старта). Подвижная фаза обладает максимальной скоростью перемещения и формирует фронт растворителя . Скорость перемещения растворенного вещества по сравнению со скоростью растворителя характеризуется коэффициентом удерживания Rf, выражающим отношение расстояния, пройденного данным пятном, к тому расстоянию, на которое переместился фронт растворителя. Значение Rf представляет собой ту долю от общего времени эксперимента, которую растворенное вещество проводит в подвижной фазе. При разделении окрашенных веществ положения пятен на хроматограмме видны и могут быть идентифицированы. В (Случае бесцветных к0(Мплекс0в хроматограмму можно либо наблюдать в ультрафиолетовом свете и тем самым идентифицировать флуоресцирующие пятна, либо нанести на них распылением раствор подходящего реагента, который дает окрашенный продукт. Значение Rf определяется отнвшением [c.235]

Метаномеф VM1 с платиновыми спиралями, подвергаемыми специальной физико-химической обработке, в результате которой повышается срок их действия без заметного распыления, выпускает французская фирма Олдам . В метанометре рабочая и компенсационная спирали устанавливаются в общей камере, при этом рабочая спираль нагревается до температуры порядка 900 °С, что гарантирует полное сгорание метана в стехиометрической зоне. Температурный режим компенсационной спирали выбран таким образом, что в диапазоне 0-12 об. % СН на ней не происходит окисления ме-imia если концентрация метана превышает 12 об. %, на спирали начинается подгорание метана, которое при дальнейшем росте конценфации переходит в бурное его окисление. Это приводит к резкому изменению знака сигнала, в результате чего стрелка прибора переходит из крайнего правого положения в крайнее левое. [c.763]

Эффекты типа только что рассмотренных могут объяснить, почему за-родышеобразовакие и рост тонких пленок при ионном распылении часто зависят от положения подложки в распылительной камере. Например, Молнар и др. [35] сравнивали конденсацию пленок арсенида галлия, распыляемых на подложки из плавленного кварца и полированного флюорида кальцня в зависимости от температуры и положения подложек в распылительной системе. В частности, сравнивались осажденные пленки на подложках, помещенных в катодное темное пространство и в область отрицательного свечения разряда. Было установлено, что на подложках, находившихся в области отрицательного свечения, росли пленки с преимущественной ориентацией (III) во всем исследовавшемся интервале температур подложки (вплоть до 600° С), тогда как на подложках, помещавшихся в темное пространство, до температур 400° С росли аморфные пленки, до температ ры 510° С отмечалась текстура (110), которая резко изменялась на текстуру (1П) прн дальнейшем увеличении температуры. К сожалению нашего пониман гя всех этих эффектов совершенно недостаточно, чтобы делать общие предсказания о том, какой тип пленки будет получен при любой наперед заданной системе параметров разряда. [c.419]

Первой работой, положившей начало исследованиям высокочастотного распыления, по-видимому, явилась статья Робертсона и Клаппа, опубликованная в 1933 г. [120]. Авторы наблюдали удаление материала с6 стенок стеклянной газоразрядной трубки, когда в ней при помощи внешних электродов зажигался высокочастотный разряд. Продолжая их исследования, Хэй [121] установил, что удаление материала было обусловлено его распылением, и что оно происходило только в тех случаях, когда используемая частота была- достаточно высокой. Однако причину этого явления понять не удалось. Спустя десять лег Лодж и Стюарт [122] получили дополнительные данные, свидетельствующие о том, что материал удалялся путем распыления, и связали это распыление с появлением отрицательного заряда на поверхности диэлектрика, находящейся под высокочастотным электродом. В 1957 г. Левитскнй [123] провел зондовые измерения потенциала и исследовал распыление материала в высокочастотном разряде с внутренними металлическими электродами. В 1962 г. Андерсон с сотрудниками [124], на основании предположения, выдвинутого ранее Венером [125], показали, что в трехэлектродной распылительной разрядной трубке с помощью внешнего высокочастотного электромагнитного поля можно осуществлять очистку внутренних поверхностей стенок, и предположили, что подобным образом можно наносить и диэлектрические пленки. Впоследствии этот общий принцип был положен в основу разработанного Дэвидсом и Майсселом метода, позволяющего достаточно быстро наносить диэлектрические пленки на подложки большой площади [54, 126]. Авторы показали также, что трехэлектродная система ионно-плазменного распыления для этой цели совсем не обязательна и что можно использовать устройство, сходное с системой ионного распыления на постоянном токе. [c.444]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология