Сенсибилизация в электрическом поле

Сенсибилизация радиационно-химических процессов и, в частности, радиационной полимеризации,— это ускорение процессов, вызываемое определенными веществами (сенсибилизаторами) или факторами (например, влиянием электрического поля). Сенсибилизаторами служат различные газообразные, жидкие и твердые добавки, вводимые в систему, подвергаемую облучению. Механизм их действия достаточно сложен и является предметом многочисленных исследований [1—7]. В одних случаях действие сенсибилизаторов заключается в передаче энергии излучения реакционной системе, что является дополнительным источником химических превращений, помимо тех, которые испытывает система от непосредственного воздействия излучения. В других случаях происходит переход энергии, поглощенной мономером, к добавке (например, выполняющей роль растворителя), которая распадается затем на радикалы, инициирующие полимерные цепи. [c.68]

СЕНСИБИЛИЗАЦИЯ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ [c.76]

С сублимированными и порошкообразными слоями ТН проводились опыты по влиянию постоянной подсветки и постоянного электрического поля на спектр конденсаторной фотоэдс. Слой помещался в вакуумный конденсатор между слюдяными прокладками и измерения проводились по схеме [4]. Использование синхронного детектора на выходе усилителя позволяло определять не только величину, но и знак фотоэдс. Ранее было установлено, что если слой ТИ в конденсаторе одновременно с модулированным светом освещать постоянным светом (подсветка) из области собственной чувствительности полупроводника, то в спектре фотоэдс появляется новый узкий максимум, прилегающий к длинноволновой границе собственной чувствительности, а основной максимум снижается [10]. У окрашенных слоев при подсветке из области собственной чувствительности наблюдалось значительное увеличение сенсибилизованной фотоэдс [13]. Подсветка из области поглощения адсорбированного красителя приводи.яа к резкому падению фотоэдс в полосе сенсибилизации. [c.257]

Теоретические и экспериментальные исследования тепловой кинетики и распределения температур в сварных швах привели к выводу формул [245], позволяющих определить температуру в любой точке температурного поля. Однако зависимость последнего от большого числа факторов вносит в расчеты значительные погрешности, и поэтому распределение температур в зависимости от времени чаще всего определяется экспериментально. Приходится учитывать общую энергию электрической дуги, способ сварки, толщину листа, расположение шва (горизонтальное, вертикальное или потолочное), количество, скорость и последовательность наложения валиков друг на друга, применение промежуточного охлаждения и т. д. Из теплофизических свойств металла основное влияние на температурное поле имеет теплопроводность. С повышением теплопроводности уменьшается ширина сенсибилизированной зоны а сокращается время сенсибилизации. Для образования зоны, склонной к межкристаллитной коррозии, имеет значение не только тепло, подведенное дугой к основному материалу через жидкую металлическую ванну наплавленного металла, но и процесс его затвердевания и охлаждения. Если весь процесс плавления металла при сварке разделить [c.232]

Если скорость образования электронов и дырок увеличивается настолько, что электроны одновременно захватываются как на поверхности, так и внутри центра светочувствительности, то начальное распределение скрытого изображения между поверхностью и внутренней областью будет определяться относительными скоростями нейтрализации объемных зарядов. Во время освещения центр светочувствительности заря1жен отрицательно. Положительные дырки легче всего захватываются на поверхности вблизи центра светочувствительности, во-первых, благодаря электростатическому притяжению и, во-вторых, из-за преимущественного образования продукта сенсибилизации вблизи этого центра. Поверхностные ловушки могут быть снова восстановлены в исходное состояние подвижными ионами серебра за более короткий промежуток времени, чем внутренние ловушки, так как в первом случае ионы проходят более короткие отрезки пути в более интенсивном электрическом поле. Это обстоятельство способствует образованию компактного поверхностного скрытого изображения в определенном интервале освещенностей и экспозиций. [c.69]

В результате выделения атомов серебра по границам полиэдрической субструктуры непосредственно под внутренней поверхностью кристалла, повидимому, образуется высокодисперсное внутреннее скрытое изображение. Это служит одной из причин отклонений от взаимозаместимости при высоких освещенностях в этом интервале освещенностей. Атомы серебра высокодисперсного внутреннего скрытого изображения могут медленно агрегировать, образуя менее дисперсное внутреннее скрытое изображение, или же конденсироваться на цоверхностных центрах, увеличивая их размеры до размеров центров проявления. Наши опыты отчетливо показывают, что начальное распределение атомов серебра на внутренней поверхности не обязательно должно совпадать с их конечным распределением. Процессы перераспределения атомов серебра могут быть ускорены дополнительным экспонированием при низкой освещенности, если эмульсия обнаруживает отклонения от взаимозаместимости при низкой освещенности, обусловленные неэффективной химической сенсибилизацией. Второй причиной отклонений от взаимозаместимости при высоких освещенностях, роль которой возрастает с ростом освещенности, является перемещение электронов и дырок в электрических полях, связанных с объемными зарядами, и рекомбинация дырок с атомами серебра, выделившимися на центре светочувствительности. Центр светочувствительности не только не будет захватывать новых электронов, но уже образовавшиеся на нем атомы серебра будут интенсивно переходить на другие места. [c.70]

Прежде чем рассматривать экспериментальные доказательства триплет-триплетного переноса и его важные химические приложения, остановимся немного на этих трех типах взаимодействия, которые Декстер классифицировал как 1) перекрывание электрических дипольных полей донора и акцептора, ( -перенос (в терминологии, принятой для криста л лофосфоров, они называются сенсибилизатором или абсорбером и активатором или эмиттером соответственно) 2) перекрывание дипольного поля донора с квадрупольным нолбм акцептора ( д-перенос) и 3) обменные эффекты. Эти механизмы переноса расположены в порядке убывания силы взаимодействия. Декстер вывел выражения для вероятности переноса для каждого случая и рассчитал, что они приводят к сенсибилизации примерно 10 —10, 10 и 30 слоев решетки соответственно в типичном сенсибилизируемом твердом теле . [c.272]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология