Метод симплексных решеток

Метод симплексных решеток. При изучении свойств смеси, зависящих только от соотношений компонентов, факторное пространство представляет собой правильный (9—1)-Мерный симплекс. Для систем выполняется соотношение [c.249]

Симплекс-решетчатые планы Шеффе наиболее успешно используют для описания закономерностей в однофазных системах, для однофазных участков сложных систем или если изучаемое свойство определяется только одной фазой. Попытки использовать метод симплексных решеток для построения зависимостей свойств от состава целиком во всей многофазной системе часто оказываются неудачными. Точки симплекс-решетчатого плана могут не совпадать с критическими точками диаграммы, и аналитическое описание не улавливает участки скачкообразного изменения свойств. Например, попытки построения зависимости температуры начала кристаллизации целиком для всей системы эвтектического типа РЬ - d - Bi не привели к успеху, хотя были построены полиномы от второй до четвертой степени включительно (рис. 66, а и 6). При построении зависимости свойств от состава для многофазной системы необходимо учитывать априорную информацию о строении изучаемой системы. Поверхность ликвидуса в системе эвтектического типа представляет собой три пересекающиеся поверхности первичной кристаллизации каждой фазы. Предлагается аналитически описать каждую из этих поверхностей, применяя симплекс-решетчатые планы, затем найти линии их пересечения и точку пересечения этих линий. Поверхности первичной кристаллизации можно выделить при помощи вспомогательного треугольника, вершинами которого служат точки двойных эвтектик двойных диаграмм (рис. 66, в). Образовавшиеся новые треугольники I, II и III рассматриваются как исходные. Для рассматриваемой [c.285]

ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ САЖЕНАПОЛНЕННОЙ КОМПОЗИЦИИ НА ОСНОВЕ ПОЛИЭТИЛЕНА МЕТОДОМ СИМПЛЕКСНЫХ РЕШЕТОК [c.102]

Исследовалась локальная область диаграммы состав-свойство, представляющая собой правильный треугольник (рис. 1). Для применения метода симплексных решеток при изучении локальной области диаграммы состав-свойство произвели переход от координат Х[, Х2, Сз к псевдокоординатам, 21 2з [6]. [c.102]

Чтобы построить диаграмму состав — свойство обычным классическим способом (изменение одного параметра при всех остальных постоянных) потребовалось бы 45 опытов. Статистический метод дает решение проблемы по минимальному количеству опытов. В данном случае для получения квадратичной модели по методу симплексных решеток было использовано только 13 опытов. [c.414]

Проверку адекватности уравнения регрессии, полученного по симплекс-центроидному плану, и построение доверительных интервалов значений свойств, предсказанных уравнением, осуществляют тел и же способами, что и в методе симплексных решеток. [c.272]

Проверка адекватности и построение доверительных интервалов при использовании 1)-оптимального плана (табл. 83) проводятся так же, как и в методе симплексных решеток. Зависимость от состава приведена на рис. 72. [c.298]

Анализ табл. 1 показывает, что по мере достижения почти стационарной области значения факторов Хз и постоянно снижаются, следовательно, в состав оптимальной стабилизирующей системы должны входить следующие стабилизаторы П-24 ионол С-1. Для оценки эффективности стабилизирующей системы от состава и построения диаграммы состав — свойство был использован метод симплексных решеток [5]. Изучалась полная диаграмма состав — свойство для системы С-1 (лг1), ионол (хг), П-24 (лгз). [c.98]

Разработана термостабилизирующая система для электропроводящих композиций на основе полиэтилена низкой плотности термоэластопласта ДСТ-30 и печной сажи. Для оптимизации состава термостабилизирующей системы использован последовательный симплексный метод планирования эксперимента и метод симплексных решеток, Ил. 1. Табл. 3, Библ. 8 назв. [c.125]

Симплекс-решетчатые планы Шеффе наиболее успешно используются для описания закономерностей в однофазных системах, для однофазных участков сложных систем нлп если изучаемое свойство определяется только одной фазой. Попытки использовать метод симплексных решеток для построенпя зависимостей свойств от [c.267]

При исследовании свойств стеклонаполненного полиэтилена., содержащего в качестве модификатора- поверхности стекловолокна ХСХ и ГМЦ, а также аппреты АГМ-9 и ВТЭС, нами были использованы тройные диаграммы состав - свойство.Тройные диаграммы построены согласно теории статистического планирования эксперимента методом симплексных решеток т1.Этот метод дает возможность при небольшом числе экспериментов получить нужные зависимости, которые позволяют определить свойства композиций гаобого состава и подобрать соответственно их оптимальный состав. При расчете исходили из уравнения регрессии, предложенного Шеффе [q.Решение общего уравнения производили на электронно-вычислительной машине "Про-минь-М". Зависимость свойств композиций полиэтилен - модифицированное октадециламином стекловолокно от содержания отдельных компонентов выра кали в виде обычных двойных диаграмм. [c.110]

Таким образом, изучение трехкогухпонентной системы с помощью метода симплексных решеток позволяет выбрать состав композиции с заданными свойствами и управлять ими в процессе разработки технологии производства. В исследованной области оптимальным является следующий состав 40—60% ПЭНП, 15—30% ПИБ-200, 25—30% сажи ПМ-100. Композиция указанного состава обладает р =10 —10 Ом-см. т = 200 — 800 ч наряду с довольно высокими деформационно-прочностными свойствами. [c.106]

Исследование свойств саженаполненной композиции на основе полиэтилена методом симплексных решеток. Павлий В. Г., Харитонов Е. А., Галушкина Л. H., Кузнецов Е. В. — Физ.-хим. основы синтеза и переработки полимеров. Межвуз. сб. Горький, 1978, с. 102—106. [c.125]