Эвтектика двойная

Симплекс-решетчатые планы Шеффе наиболее успешно используют для описания закономерностей в однофазных системах, для однофазных участков сложных систем или если изучаемое свойство определяется только одной фазой. Попытки использовать метод симплексных решеток для построения зависимостей свойств от состава целиком во всей многофазной системе часто оказываются неудачными. Точки симплекс-решетчатого плана могут не совпадать с критическими точками диаграммы, и аналитическое описание не улавливает участки скачкообразного изменения свойств. Например, попытки построения зависимости температуры начала кристаллизации целиком для всей системы эвтектического типа РЬ - d - Bi не привели к успеху, хотя были построены полиномы от второй до четвертой степени включительно (рис. 66, а и 6). При построении зависимости свойств от состава для многофазной системы необходимо учитывать априорную информацию о строении изучаемой системы. Поверхность ликвидуса в системе эвтектического типа представляет собой три пересекающиеся поверхности первичной кристаллизации каждой фазы. Предлагается аналитически описать каждую из этих поверхностей, применяя симплекс-решетчатые планы, затем найти линии их пересечения и точку пересечения этих линий. Поверхности первичной кристаллизации можно выделить при помощи вспомогательного треугольника, вершинами которого служат точки двойных эвтектик двойных диаграмм (рис. 66, в). Образовавшиеся новые треугольники I, II и III рассматриваются как исходные. Для рассматриваемой [c.285]

Перейдем теперь к изучению политермических разрезов, ограничиваясь двумя такими разрезами по линиям Ае и С1 (см. рис. XXI.3). Разрез по линии Ае , проходящий через фигуративную точку компонента А и эвтектику двойной системы В—С, изображен на рис. XXI.5, а. Пересечение поверхности ликвидуса состоит из следующих четырех частей A i — пересечение части ликвидуса, отвечающего выделению А из жидкого слоя Ж , i g — то же из двух жидких слоев Ж + Жа, g m — выделение С из двух жидких слоев Ж Н- Жа и m a — выделение С из жидкого слоя Жа. Пересечение поверхности солидуса, т. е. плоскости тройной эвтектики, — горизонтальная прямая линия А ое . Кроме того, на разрезе имеется целый ряд линий, разграничивающих области того или иного выделения. У сплавов отрезка Ai (см. рис. [c.275]

При построении зависимости свойств от состава для многофазной системы необходимо учитывать априорную информацию о строении изучаемой системы. Поверхность ликвидуса в системе эвтектического типа представляет собой три пересекающиеся поверхности первичной кристаллизации каждой фазы. Предлагается [38] аналитически описать каждую из этих поверхностей, применяя симплекс-решетчатые планы, затем найти линии их пересечения и точку пересечения этих линий. Поверхности первичной кристаллизации молено выделить при помощи вспомогательного треугольника, вершинами которого служат точки двойных эвтектик двойных диаграмм (рис. 51, в). Образовавшиеся новые треугольники I, П и П1 рассматриваются как исходные. Для рассматриваемой системы РЬ—Сс1—В1 внутри каждого треугольника был реализован неполно кубический симплекс-решетчатый план (табл. 68). [c.268]

Четвертый разрез (рис. 76, г) проведен при температуре , кристаллизации эвтектики системы А — В, наиболее низкоплавкой из всех трех эвтектик двойных систем. [c.209]

В общем случае процесс кристаллизации начинается первичным выделением, за которым следует вторичное и, наконец, третичное. При первичной кристаллизации выделяющаяся фаза представляет собой, как и в случае двойных сплавов, более или менее крупные образования, которые затем при вторичном выделении окружаются смесью кристаллов двух компонентов. Вторичное выделение по структуре аналогично твердым эвтектикам двойных систем (см. раздел VI.4), но обычно отличается несколько более грубым строением. Наконец, все это окружено закристаллизовавшейся тройной эвтектикой, которая является по строению еще более сходной с эвтектикой двойных систем, но отличается от последней присутствием третьей фазы. Нередко тройная эвтектика имеет настолько тонкое строение, что даже при больших увеличениях кажется однородной массой. Часто в тройной эвтектике хорошо видны две фазы, а третья — гораздо хуже. [c.201]

Рассмотрим теперь два изотермических сечения. На рис. XIX.22, а показано изотермическое сечение, проведенное при температуре плавления компонента С, которая предполагается более низкой, чем точка плавления эвтектики двойной системы А—В. Мы видим на этом сечении однофазные области жидкости Ж и твердых растворов аир, двухфазные области Ж а, Ж + Р, а -1- р и трехфазную Ж + ос + Р- Обратим внимание на то, что линии, отделяющие двухфазную область Ж а от однофазных а и Ж, пересекаются в точке, совпадающей с точкой плавления компонента С. [c.243]

В предьщущем разделе мы изучили влияние малых добавок третьего компонента на критическую точку в двойной системе. Теперь аналогичным образом рассмотрим влияние добавляемого третьего компонента на эвтектическую и перитектическую точки в двойной системе. Координата состава эвтектики двойной системы отвечает самой низкой температуре, при которой еще существует жидкая фаза на практике часто полезно определять, будут ли повышать или понижать эту температуру небольшие добавки каких-либо элементов в сплав. Например, при создании твердых сплавов полезно понижать эвтектическую температуру. При получении огнеупоров на основе системы MgO- aO (фазовая диаграмма [c.287]

В. Г. Хлопина [27]. Исследовались главным образом имеющие простую эвтектику двойные системы типа М(Ра) (МОз)г—МаМОз, где М—Ва, 8г и т. д. Твердая фаза выделялась охлаждением расплава. В зависимости от количества выделяемой твердой фазы устанавливались состав начального расплава и начальная температура. В отдельных опытах к расплаву определенного состава добавлялся при постоянной температуре избыток твердой фазы (макрокомпонента), после чего производилось перемешивание смеси в течение нескольких часов. Распределение микрокомпонента при выделении его из расплава изучалось путем измерения активности начального и конечного расплава, расчетного определения по кривой плавкости количества макрокомпонента, перешедшего в твердую фазу, и вычисления по полученным данным величин О и X. [c.63]

Для примера на рис. 4 изображена проекция поверхности ликвидуса Т. с. А—В—С, компоненты к-рой А, В, С в жидком состоянии неограниченно растворимы друг в друге, а в твердом состоянии взаимно нерастворимы химич. соединеиия отсутствуют. Стороны АВ, АС и ВС соответствуют двойным системам А—В, А—С и В—С, точки Е , Вг, Е — эвтектики двойных систем (двойные эвтектики), а точка Е — эвтектика тройной системы (тройная эвтектика) кривые E E, ЕгЕ и ВдЕ — пограничные кривые, нередко неправильно наз. эвтектич. линиями АЕ,ЕЕ — поле кристаллизации компонента А, ВЕ ЕЕг— компонента В и СЕ ЕЕ — компонента С. Стрелками показано направление понижающейся темп-ры. Тонкими линиями проведены изотермы поверхности ликвидуса. [c.143]

У тройной твердой эвтектики, так же как и у эвтектики двойной системы (двойная твердая эвтектика), под микроскопом обнаруживается тонксе строение из трех компонентов. [c.75]

На рис. 42 изображена плоская диаграмма конденсированного состояния системы цинк — олово — кадмий. Вершины треугольника соскгветствуют температурам плавления чистых компонентов цинка 418°, олова 232°, кадмия 318°. Точки плавления и составы эвтектик двойных систем следующие 1) цинк— олово 199°, 13 ат. % цинка 2) цинк — кадмий 263°, 74 ат. % кадмия олово — кадмий 177°, 71 ат. % олова. Точка плавлег ния тройной эвтектики 163° ее состав 70,83 ат. % олова, 25,41 ат. % кадмия и 3,70 ат. % цинка (в сумме 99,94 вместо 100,00) . [c.79]

Если соединить точки, полученные указанным выше способом па диаграмме VII, то получим две линии температур начала затвердевания РН Е, отвечающую выделению компонента В, и СВ О Е, отвечающую выделению компонента А. Таким образом, кривая температур начала кристаллизации диаграммы состояния окажется построенной. Эта кривая называется ликвидусом и состоит из двух ветвей, соответствующих кристаллизации того и другого компонента. Ветви пересекаются в точке Е, которая будет изображать состояние раствора (расплава), находящегося в равновесии одновременно с твердыми В и А. Раствор, находящийся в равновесии с двумя твердыми фазами, называется двояконасыш,енным. При продолжающемся отнятии теплоты от системы температура и состав жидкости, состояние которой определяется точкой Е, постоянны. Расплав Е называется эвтектическим или жидкой эвтектикой. Затвердевшая жидкая эвтектика называется твердой эвтектикой (по валовому составу они тождественны), а температура, при которой жидкая эвтектика затвердевает,— эвтектической температурой. Точка Е, изо-бранл ающая состояние жидкой эвтектики (фигуративная точка жидкой эвтектики), называется эвтектической точкой. Когда это не может повести к недоразумению, употребляют один термин — эвтектика, объединяя и температуру, и состав эвтектической точки. Так как в эвтектике двойной системы число компонентов равно двум, число фаз — трем, а давление постоянно, то эта точка нонвариантная (точнее, условно-нонвариантная). [c.88]

Четвертый разрез проведем при температуре кристаллизации эвтектики системы А-—С, наиболее низкоплавкой из всех трех эвтектик двойных систем. После сказанного полученная диаграмма (рис. XVII. 10,г) ясна. [c.198]

Скажем еще несколько слов по поводу точки — эвтектики двойной системы 8—С, общей для обеих вторичных тройных систем А—8—С и В—8—С. На рис. XVIII.2,а дано изображение этой точки в пространстве вместе с четырьмя сходящимися в ней линиями Се — ветвь ликвидуса системы 8—С, отвечающая кристаллизации С — ветвь ликвидуса той же системы, отвечающая кристаллизации 8 65 1 и е Е2, — две ветви кривой выделения С и 8. Составим себе представление о форме поверхности ликвидуса в окрестности точки е . По линии Се З поверхность поднимается в двух противоположных направлениях, а по линии Е Е , пересекающейся с линией Свс,3, поверхность опускается тоже в двух противоположных направлениях. Такие точки, представляющие собой пересечение двух лежащих на некоторой поверхности линий, причем на одной из этих линий эти точки являются самыми высокими, а на другой — самыми низкими, называются перевальными (седловинными) точками (по сходству их с перевальными или седловинными точками горных хребтов), или точками Ван Рейна. На плоской диаграмме эти точки изображают схематично так, как показано на рис. XVIII.2,6. [c.205]

На рис. ХУП1.4 изображены горизонтальные, т. е. изотермические разрезы, которые тон е могут быть получены соположением разрезов вторичных систем. Первое сечение (см. рис. ХУП1.4, а) проведено при температуре ниже эвтектических точек двойных систем А—3 и 3—В и точки плавления компонента С, но выше эвтектических температур систем А—3, В—3 и 3—С. Второе сечение (см. рис. ХУИ1.4, б) проведено при температуре, ле-и аш,ей между точками плавления тройных эвтектик, с одной стороны, и всех эвтектик двойных систем, с другой. [c.207]

А, В, С, В. Значение элементов тетраэдра приведено в разделе XXIII.2. Обозначения на рис. XXIII.9 е с индексами — эвтектики двойных систем, Е с индексами — эвтектики тройных систем точка Е без индекса лежит внутри тетраэдра и соответствует, как показано далее, четверной эвтектике. [c.316]

Рассмотрим теперь схему проекции тетраэдрической диаграммы AB D на грань АВС для системы с простой эвтектикой (рис. XXIII.И). Получаются проекции эвтектик двойных систем е , е , е , е , е , эвтектик тройных систем Еу, Е ,, Е , Е , четверной эвтектики Е, проекции линий вторичных выделений в тройных системах Е е , Е е , Е е , Е е , Е е , Е е , Е е , Е е , Е вц, Ецву, Ефд, 465, и проекции поверхностей вторичных выделений в четверной системе EE- e-Ji , ЕЕ е Е , ЕЕ е Е , ЕЕ е Е , ЕЕ е Е , EE,eJi . [c.322]

Если повысить температуру, то по мере приближения ее к эвтектической температуре двойной системы А—В линия сд будет приближаться к этой точке при этом она сокращается, так что точки с ж д. двигаются навстречу друг другу. При температуре кристаллизации эвтектики двойной системы А—В точки с ж д сливаются с эвтектической точкой этой системы, а эвтектическая линия сд исчезает изотерма растворимости для эвтектической температуры системы А—В показана на рис. XXIV.2, б. [c.333]

R 235 КаЫОз, Са (ХОз). Эвтектика двойной системы Са (ХОз)2 —ХаХОз [c.54]

Sr(N0a)2 и РЬ(ЫОз)г образуют непрерывный ряд твердых растворов. Самая низкая температура в тройной системе (рис. 112) отвечает эвтектике двойной системы Зг(ЫОз)2—NaNOa. [c.105]

Поверхность ликвидуса (рис. 152) представляет поле кристаллизации тройных твердых растворов, которое вблизи системы Т1С1 — ТЦ расщепляется на два поля ограниченных тройных твердых растворов. Кривая совместной кристаллизации двух родов ограниченных тройных твердых растворов начинается в эвтектике двойной системы Т1С1—Ти при 309° и обрывается внутри системы. [c.135]

До 1150° реакции протекают главным образом в твердой фазе, хотя уже при 780—880° появляется жидкая фаза вследствие образования эвтектик силикатов магния и иатрия с кремнеземом и эвтектик двойных карбонатов с NaaSiOg. [c.73]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология